欢迎访问深圳市中小企业公共服务平台电子信息窗口

深圳市杰盛微半导体有限公司

联系人:杨静璇

联系电话:13652334188

联系地址:深圳市龙岗区平湖街道上木古社区宝来工业深圳杰盛微实业有限公司

网址:http://www.jsmsemi.com

  • JSM6971 带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

    JSM6971 带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

    在工业自动化、智能家居、电动工具、中小型变频器等领域快速发展的今天,三相电机驱动作为系统核心执行单元,正朝着高集成、高可靠、低成本、易开发的方向加速演进。传统分立驱动方案面临 PCB 面积紧张、外围器件繁多、死区设置复杂、保护机制不完善、系统稳定性不足等诸多痛点,严重制约产品研发效率与市场竞争力。
  • JSM21364STR 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片

    JSM21364STR 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片

    在工业变频、家电驱动、新能源逆变等领域,三相半桥栅极驱动芯片是功率系统的 “心脏”,承担着弱电控制强电的关键桥梁作用。长期以来,中高压三相驱动市场被海外型号占据,国产芯片在耐压、保护、延时匹配、抗扰性能上存在短板,导致工程师在选型时面临供货紧张、成本高企、技术支持滞后等难题。 如今,杰盛微半导体推出JSM21364STR—— 一款700V 带使能与故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片,SOP-28-300mil 封装,可直接对标 IRS21364,在关键参数上实现对等甚至优化,完美覆盖电机控制、变频家电、通用逆变、微型逆变器等主流场景,为国产功率驱动提供高可靠、高性价比、交期稳定的全新选择。
  • JSM4437 -30V P 沟道增强型 MOSFET

    JSM4437 -30V P 沟道增强型 MOSFET

    在消费电子、笔记本电源、电池供电系统与工业电源快速迭代的今天,低导通电阻、大电流、高可靠性、小型化的功率 MOSFET,已成为硬件工程师选型的核心诉求。AO4437 作为经典‑30V P 沟道增强型 MOSFET,凭借稳定性能在负载开关、DC‑DC 电源、高端开关等场景广泛应用,但供应链波动、交期拉长、成本上升等问题,让众多厂商迫切需要参数对标、引脚兼容、性能可靠、交付稳定的国产替代方案。
    2026-04-23 阅读:862 关键词: JSM4437 AO4437 国产替代 功率MOSFET 杰盛微半导体
  • JSM4423 -30V P沟道MOSFET

    JSM4423 -30V P沟道MOSFET

    在笔记本电脑、迷你主机(UMPC)以及各类高端网通设备的心脏地带,电源管理系统(PMIC)正面临着前所未有的挑战。随着处理器性能的飙升,供电电路必须在毫厘之间精准调控电流,同时还要应对高密度PCB布局带来的散热压力。 在同步整流 Buck 电路中,低侧开关(Low-Side Switch) 的选择往往决定了整个电源系统的成败。今天,我们要为大家深度解析一款来自杰盛微(JSMSEMI)的重磅新品——JSM4423。这不仅仅是一颗-30V P沟道MOSFET,更是针对高密度电源应用的一剂“退烧药”。
    2026-04-22 阅读:542 关键词: 杰盛微 JSM4423 MOSFET 电源管理 导通电阻 沟道MOSFET
  • JSM57102BDR 高速低侧栅极驱动芯片

    JSM57102BDR 高速低侧栅极驱动芯片

    在新能源汽车、工业控制、光伏储能等大功率电力电子系统飞速发展的当下,栅极驱动芯片作为连接主控单元与功率开关器件的核心桥梁,其驱动能力、响应速度、保护完整性与长期可靠性,直接决定了整机系统的效率、安全等级与使用寿命。面对市场对高集成、强保护、车规级驱动方案的持续刚需,杰盛微半导体(JSMSEMI) 基于自主研发功率模拟技术平台,正式推出 JSM57102BDR 高速低侧栅极驱动芯片,可对标型号 UCC57102B,以优异性能、稳定品质与完善生态,为行业提供高可靠、高性价比的国产化功率驱动解决方案。
  • JSM4421 SOP‑8‑60V P 沟道 MOSFET

    JSM4421 SOP‑8‑60V P 沟道 MOSFET

    在工业电源、电机驱动、DC‑DC 转换等功率应用场景持续升级的今天,市场 对高耐压、大电流、低导通损耗、高可靠性的 MOSFET 需求日益迫切。作为功率系统的核心开关器件,MOSFET 的性能直接决定整机效率、温升与稳定性。 杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率半导体领域多年,聚焦沟槽 MOSFET 工艺创新,推出JSM4421 SOP‑8‑60V P 沟道 MOSFET,产品可精准对标行业主流型号 TC4421,在关键电气、热学与可靠性指标上实现对等甚至优化,为客户提供高性价比、稳定供货、安全合规的国产替代优选方案。
    2026-04-20 阅读:898 关键词: JSM4421 MOSFET 国产替代 功率应用 杰盛微半导体
  • JSM27511 单通道 4A 超高速功率开关驱动器

    JSM27511 单通道 4A 超高速功率开关驱动器

    在开关电源、DC‑DC 转换器、电机驱动、数字电源与 GaN 功率器件快速普及的今天,高速、大电流、高可靠的栅极驱动器已成为功率系统的核心器件。市场对小体积、低延迟、强驱动能力、宽压兼容的单通道驱动器需求持续攀升,而供应链稳定、性价比优异的国产方案,正成为工程师选型的优先方向。
    2026-04-18 阅读:622 关键词: 栅极驱动器 JSM27511 国产替代 功率半导体 GaN器件
  • JSM27531 单通道低压侧栅极驱动器

    JSM27531 单通道低压侧栅极驱动器

    在功率电子技术高速迭代的当下,开关电源、工业驱动、光伏逆变等领域对高速、强驱、高鲁棒性栅极驱动芯片的需求持续攀升。作为功率系统的 “核心关节”,驱动芯片的性能直接决定整机效率、散热表现与长期寿命。面对市场对高性价比、高可靠性国产驱动器件的迫切需求,杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率半导体领域,重磅推出单通道低压侧栅极驱动器 JSM27531。产品引脚兼容、性能对标行业主流方案,可对标型号 UCC27531,以自主研发的核心实力,为工程师提供稳定供货、成本优化的国产优选,助力功率电子设备实现高效升级与自主可控。
    2026-04-17 阅读:643 关键词: 栅极驱动芯片 JSM27531 功率电子 国产替代 性能优势
  • SN74HC165DR 8位并行加载移位寄存器

    SN74HC165DR 8位并行加载移位寄存器

    在数字世界的底层逻辑中,数据的传输与转换如同城市的交通网络——有序则高效,混乱则拥堵。今天,杰盛微半导体(JSMSEMI)为大家带来一款能帮数据"排好队"的明星产品:SN74HC165DR 8位并行加载移位寄存器。它就像一位严谨的数据调度员,能让复杂的并行信号变得井然有序,也能将零散的串行信息整合成整齐的队列。无论是工业控制、智能设备还是物联网终端,它都是让系统"轻装上阵"的关键角色。
  • SN74HC74DR-JSM 2路带置位/复位的上升沿触发D型触发器

    SN74HC74DR-JSM 2路带置位/复位的上升沿触发D型触发器

    在数字电路设计的星辰大海中,触发器如同精准的“时间守门人”,负责在时钟信号的指挥下锁存数据、同步状态,是构建计数器、寄存器、状态机等核心模块的基础元件。而杰盛微半导体(JSMSEMI)推出的SN74HC74DR-JSM,正是一款专为高稳定性、宽适应性场景打造的双路带置位/复位上升沿触发D型触发器,以“双通道并行、强抗干扰、低功耗”的特性,成为工业控制、消费电子、通信设备等领域工程师的优选方案。
    2026-04-15 阅读:1489 关键词: D型触发器 双路D型触发器 宽温域适应 低功耗
  • JSM8563T/TS低功耗I2C接口实时时钟/日历

    JSM8563T/TS低功耗I2C接口实时时钟/日历

    在工业控制的分时调度、汽车电子的里程记录、物联网设备的定时唤醒中,实时时钟(RTC)芯片是系统的“时间管家”。它精准掌控年、月、日、时、分、秒,为数据打戳、闹钟触发、周期任务提供核心时序支撑。长期以来,PCF8563凭借高性价比占据中小功率RTC市场主流,但供应链波动与性能瓶颈促使行业寻求更优解。今天,杰盛微半导体(JSMSEMI)正式发布JSM8563T——一款与PCF8563引脚兼容、性能全面升级的国产RTC芯片,以“无缝替换+自主创新”的双重优势,重新定义国产RTC的价值标准!
    2026-04-14 阅读:1366 关键词: JSM8563T 实时时钟芯片 国产替代 产品特性 应用场景
  • 氦气供应紧绷加剧:全球芯片与高端制造再迎供应链考验

    氦气供应紧绷加剧:全球芯片与高端制造再迎供应链考验

    近期,中东地缘局势持续紧张,叠加全球主要氦气产区生产与物流扰动,一种在现代工业中几乎无可替代的关键资源 —— 氦气,正面临日益严峻的供应收紧压力。这场看似遥远的资源波动,正沿着产业链悄然传导,为半导体、医疗、航空航天等领域带来不确定性,也给全球经济复苏增添了新的变数。
    2026-04-09 阅读:901 关键词: 氦气供应 半导体产业 医疗领域 氦气 气源多元化
共13页   到第