行业动态｜英飞凌官宣 7 月涨价，国产芯片迎来新机遇
2026 年 5 月 26 日，英飞凌正式向客户发出调价通知，宣布将于2026 年 7 月 1 日起对旗下部分产品实施价格调整，这也是其今年内第二次调价动作。
深圳市杰盛微半导体有限公司
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JSM4N60F 600V N 沟道 MOSFET
在电子设备向小型化、高频化、高能效快速迭代的今天，功率 MOSFET 作为电源管理、电能转换的核心器件，其性能直接决定设备的运行效率、稳定性与使用寿命。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）等中高压场景，普通 MOSFET 常面临耐压不足、损耗过高、开关速度慢、抗干扰能力弱等痛点，成为工程师设计落地的关键阻碍。 -
JSM4N60C 600V N沟道功率MOSFET
在电子产业高速升级的当下，高频化、小型化、节能化成为各类功率设备的核心发展趋势。功率MOSFET作为电能转换、电源管理系统的核心核心元器件，其性能优劣直接决定了设备的运行效率、散热表现、使用寿命与整机安全性。 -
JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET
在电子技术飞速迭代的今天，高频开关电源、有源功率因数校正（APFC）等场景，对核心功率器件的低损耗、高稳定性、快开关速度要求愈发严苛。作为国产半导体领域深耕功率器件研发的优质企业，杰盛微（JSMSEMI）紧扣市场需求，推出JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能、可靠品质，为工业电源、消费电子等领域提供高性价比的国产替代解决方案，助力电子设备实现高效能、低能耗、长寿命的升级目标。 -
JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET
在电力电子技术飞速发展的今天，开关电源、UPS、光伏储能等领域对功率器件的高压耐受、大电流承载、低损耗、高可靠性要求日益严苛。作为国内专注功率半导体研发的高新技术企业，深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）深耕功率 MOSFET 领域多年，凭借自研工艺与全链条质控体系，推出JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能与稳定品质，为中高压功率转换场景提供优选国产方案，助力行业实现高效化、国产化升级。 -
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JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET
在工业电源、新能源设备、电机控制等领域，功率 MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起，本土品牌在高压功率器件领域不断突破，为客户提供高性价比、高可靠性的国产化选择。今天为大家带来杰盛微半导体（JSMSEMI）重磅打造的JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET，以 500V 高耐压、18A 大电流、低导通电阻的核心优势，成为高压功率场景的理想之选。 -
JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET
在高频开关电源、有源功率因数校正等电力电子应用场景中，功率 MOSFET 的性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起，杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率器件领域，推出多款高性能、高可靠的功率 MOSFET，为行业提供优质国产替代方案。今天为大家详细介绍杰盛微重磅打造的JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET，这款器件凭借优异的核心参数、卓越的高频性能与稳定的品质，成为中高压高频应用场景的理想选择。 -
JSM13N50F 500V N 沟道功率 MOSFET
在电子设备向小型化、高频化、高效化快速迭代的今天，功率 MOSFET 作为电源转换、能量控制的核心器件，其性能直接决定系统效率、稳定性与散热表现。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）等场景，低损耗、快开关、高可靠的 MOSFET 成为工程师选型的核心诉求。 -
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JSM6N40C 400V N 沟道 MOSFET
在工业控制、电源转换、家电驱动等中高压应用场景持续升级的当下，市场对功率器件的要求不断攀升 —— 更高耐压、更低损耗、更快开关速度、更稳定的可靠性，成为行业核心诉求。作为专注半导体功率器件研发与生产的创新企业，杰盛微 深耕功率 MOSFET 领域多年，凭借深厚技术积累与严苛品控标准，重磅推出JSM6N40C 400V N 沟道 MOSFET，以卓越性能、稳定品质与高性价比，为中高压功率系统提供高效可靠的核心解决方案。