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深圳市杰盛微半导体有限公司

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  • JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

    JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

    在电子工程师的日常研发中,“芯片替代” 往往是绕不开的课题 —— 供应链波动、成本控制、性能升级等需求,都可能让一款成熟产品的核心器件面临替换。而在高压栅极驱动领域,IRS21864 作为经典型号,其替代选型更是备受关注。今天,我们就来深度解析一款来自杰盛微(JSMSEMI)的高性价比替代方案 ——JSM21864STR,从参数匹配到场景适配,全方位验证它为何能成为 IRS21864 的 “理想平替”。
    2025-08-21 阅读:251 关键词: JSM21864STR IRS21864 芯片替代 高压栅极驱动 多场景适配
  • JSM2183STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

    JSM2183STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

    在工业控制、家电变频、电机驱动的世界里,功率驱动芯片就像 “神经中枢”,决定着整个系统的稳定性、效率与安全性。长期以来,IR2183 作为经典的高低侧驱动芯片,在市场中占据重要地位。但随着技术迭代与应用需求升级,一款更具性能优势的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自举高侧同低侧反驱动芯片。今天,我们就来深入解析这款国产芯片如何凭借两大核心优势,成为 IR2183 的理想替代者,为工程师们的设计之路降本增效。
  • JSM21814STRPBF 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

    JSM21814STRPBF 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

    在电力电子领域,一款稳定可靠的驱动芯片是系统高效运行的核心保障。今天为大家推荐一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF,它可完美替代 IRS21814STRPBF,凭借 700V 高压支持、大电流驱动能力和多重保护设计,成为电机控制、逆变器等场景的理想之选
  • JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

    JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

    在功率电子领域,栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”,直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来,IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片,凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展,一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数,成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用适配等维度,全面解析这款国产驱动芯片的硬核实力。
    2025-08-16 阅读:192 关键词: JSM2181STR 栅极驱动芯片 700V高压 多重保护 广泛应用
  • JSM27710DR单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

    JSM27710DR单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

    在功率电子技术飞速发展的今天,驱动芯片作为功率器件的 “大脑”,其性能与可靠性直接决定了整个电子系统的稳定性。面对市场对高性价比、高兼容性功率驱动方案的迫切需求,国内领先的半导体企业杰盛微(JSMSEMI)正式推出重磅产品 ——JSM27710DR 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,作为 UCC27710DR 的完美替代型号,为工程师们带来更可靠、更适配的技术选择!
  • JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

    JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

    在功率电子领域,栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”,其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR,它不仅性能优异,更是 EG2104 的理想替代型号,轻松适配各类功率应用场景。
    2025-08-12 阅读:350 关键词: JSM2104STR 栅极驱动芯片 EG2104替代 产品特性 应用场景
  • 芯片超人花姐亲临杰盛微,共探半导体新征途

    芯片超人花姐亲临杰盛微,共探半导体新征途

    半导体行业的 “芯片超人” 花姐,自 2005 年入行深耕芯片领域 17 年,经手超 10 亿采购额,积累了深厚行业资源。2017 年创立 “芯片超人” ,凭借专业内容收获全网 50 万 + 粉丝,成为行业知名 KOL。她带领团队打造芯片供应链服务平台,为近 4000 家 B 端客户提供撮合交易、国产替换等服务,是半导体领域极具影响力的实干者。
  • JSM2006G650V集自举单相高低侧同相电机驱动芯片

    JSM2006G650V集自举单相高低侧同相电机驱动芯片

    在电机驱动领域,芯片的稳定性、兼容性和性能直接影响设备的运行效率与寿命。杰盛微半导体自主研发的JSM2006G 650V 集自举单相高低侧同相电机驱动芯片,凭借优异的参数表现和广泛的兼容性,成为替代 PT5606、KP85302 的理想选择,为电机控制、家电、逆变器等场景提供高性价比解决方案。
  • JSM2203STR 4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片

    JSM2203STR 4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片

    在功率电子驱动领域,稳定可靠的栅极驱动芯片是电路高效运行的核心。如果你正在寻找 FD2203 的高性价比替代方案,杰盛微半导体推出的JSM2203STR绝对值得关注!这款 4A250V 集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片,不仅兼容 FD2203 的核心功能,更在性能、可靠性和应用灵活性上实现升级,为电机控制、逆变器、充电桩等场景提供强力支持。
    2025-08-06 阅读:164 关键词: JSM2203STR FD2203 栅极驱动芯片 电机控制 替代方案
  • JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片

    JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片

    在功率电子领域,半桥驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”,其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。杰盛微半导体推出的JSM2008STR作为一款 250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片,不仅继承了 IRS2008STR 的核心优势,更在兼容性与实用性上实现了无缝替代,成为高压 MOSFET 驱动场景的理想选择。本文将基于数据手册,从性能特性、电气规格、设计要点到应用场景进行全面解析。
  • JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

    JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

    在电力电子领域,功率驱动芯片犹如 “神经中枢”,直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增,一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片,成为工程师们的迫切需求。 杰盛微(JSMSEMI)深耕功率半导体领域多年,重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,不仅完美替代 TF2003M、IRS2003 等经典型号,更在可靠性、效率与适配性上实现全面升级,为工业与消费电子领域提供了更优解。
    2025-08-01 阅读:346 关键词: JSM2003STR 功率驱动芯片 电机控制 逆变器 国产替代
  • JSM5109G1.2A 250V单相高低侧同相栅极驱动芯片

    JSM5109G1.2A 250V单相高低侧同相栅极驱动芯片

    在电机控制、逆变器等电力电子系统中,栅极驱动芯片就像 “神经中枢”,负责精准控制功率 MOSFET 的开关状态。选对驱动芯片,系统效率能提升 15% 以上,故障率降低 30%;选错了,则可能面临频繁宕机、功耗飙升等问题。 今天,杰盛微要给大家推荐一款 “全能选手”JSM5109G。作为 1.2A 250V 单相高低侧同相栅极驱动芯片,它不仅能完美替代 U3116S、EG2132,更在性能、可靠性、兼容性上实现了 “越级” 表现。
    2025-07-31 阅读:410 关键词: JSM5109G 栅极驱动芯片 电机控制 逆变器 国产替代
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