深圳市杰盛微半导体有限公司

JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自杰盛微的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都实现了突破，完美承接 IR21844 的应用场景，更能应对升级后的需求。

2025-08-29 阅读：539 关键词：高压栅极驱动芯片 JSM21844STR 参数性能应用场景选型建议

JSM2184STR 4A 700V集成自举带SD功能栅极驱动芯片

在工业电机驱动、电动工具、电源转换系统等高压功率场景中，栅极驱动芯片就像 “功率器件的大脑”，直接决定了整个电路的稳定性、效率与安全性。长期以来，IRS2184 作为经典的高压栅极驱动方案，占据了不少市场份额。但随着国内半导体技术的飞速发展，杰盛微半导体推出的JSM2184STR凭借更优的性能、更完善的保护机制与高兼容性，成为了 IRS2184 的理想替代型号，今天就带大家全面拆解这款 “国产高压驱动新星”。

2025-08-28 阅读：287 关键词： JSM2184STR IRS2184 高压功率场景，国产替代驱动，高压栅极芯片，多场景适配，集成自举二极管

JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD 单相高低侧同相栅极驱动芯片。它不仅在封装、核心参数上与 IRS21867 高度兼容，更在保护机制、电气特性与设计适配性上实现优化，为工程师提供了高性价比的国产替代新选择。今天，我们就从参数对比、性能优势、设计指南与应用场景四个维度，全面解析这款 “国产强芯”。

2025-08-27 阅读：446 关键词：高压栅极驱动芯片 JSM21867STR 国产替代电机驱动应用场景

JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片

在功率电子领域，驱动芯片是连接控制信号与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与稳定性。今天要为大家介绍的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率预驱动芯片 —— 一款专为高压、高速场景设计的 1.5A/250V 三相高同低反逻辑芯片，凭借单芯片集成、宽适配性、强防护等优势，已成为电机控制、逆变器等领域的优选方案。

2025-08-25 阅读：423 关键词：功率预驱动芯片 JSM6287 电机控制逆变器驱动性能

JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与安全性。今天给大家推荐一款国产高性能驱动芯片 ——JSM21867STR，来自杰盛微半导体（JSMSEMI），不仅参数硬核，更能直接替代 IRS21867，为电机驱动、电源转换等场景提供高性价比解决方案。

2025-08-22 阅读：959 关键词： JSM21867STR IRS21867 栅极驱动芯片替代优势多场景应用

JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

在电子工程师的日常研发中，“芯片替代” 往往是绕不开的课题 —— 供应链波动、成本控制、性能升级等需求，都可能让一款成熟产品的核心器件面临替换。而在高压栅极驱动领域，IRS21864 作为经典型号，其替代选型更是备受关注。今天，我们就来深度解析一款来自杰盛微（JSMSEMI）的高性价比替代方案 ——JSM21864STR，从参数匹配到场景适配，全方位验证它为何能成为 IRS21864 的 “理想平替”。

2025-08-21 阅读：399 关键词： JSM21864STR IRS21864 芯片替代高压栅极驱动多场景适配

JSM2183STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

在工业控制、家电变频、电机驱动的世界里，功率驱动芯片就像 “神经中枢”，决定着整个系统的稳定性、效率与安全性。长期以来，IR2183 作为经典的高低侧驱动芯片，在市场中占据重要地位。但随着技术迭代与应用需求升级，一款更具性能优势的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自举高侧同低侧反驱动芯片。今天，我们就来深入解析这款国产芯片如何凭借两大核心优势，成为 IR2183 的理想替代者，为工程师们的设计之路降本增效。

2025-08-18 阅读：395 关键词： JSM2183STR 功率驱动芯片高压大电流多重保护国产替代

JSM21814STRPBF 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

在电力电子领域，一款稳定可靠的驱动芯片是系统高效运行的核心保障。今天为大家推荐一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，凭借 700V 高压支持、大电流驱动能力和多重保护设计，成为电机控制、逆变器等场景的理想之选

2025-08-16 阅读：405 关键词： JSM21814STRPBF 驱动芯片高压大电流多重保护应用广泛

JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

在功率电子领域，栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来，IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片，凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展，一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数，成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用适配等维度，全面解析这款国产驱动芯片的硬核实力。

2025-08-16 阅读：284 关键词： JSM2181STR 栅极驱动芯片 700V高压多重保护广泛应用

JSM27710DR单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

在功率电子技术飞速发展的今天，驱动芯片作为功率器件的 “大脑”，其性能与可靠性直接决定了整个电子系统的稳定性。面对市场对高性价比、高兼容性功率驱动方案的迫切需求，国内领先的半导体企业杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅产品 ——JSM27710DR 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，作为 UCC27710DR 的完美替代型号，为工程师们带来更可靠、更适配的技术选择！

2025-08-12 阅读：535 关键词： JSM27710DR 功率驱动芯片 UCC27710替代产品特性应用场景

JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR，它不仅性能优异，更是 EG2104 的理想替代型号，轻松适配各类功率应用场景。

2025-08-12 阅读：579 关键词： JSM2104STR 栅极驱动芯片 EG2104替代产品特性应用场景

芯片超人花姐亲临杰盛微，共探半导体新征途

半导体行业的 “芯片超人” 花姐，自 2005 年入行深耕芯片领域 17 年，经手超 10 亿采购额，积累了深厚行业资源。2017 年创立 “芯片超人” ，凭借专业内容收获全网 50 万 + 粉丝，成为行业知名 KOL。她带领团队打造芯片供应链服务平台，为近 4000 家 B 端客户提供撮合交易、国产替换等服务，是半导体领域极具影响力的实干者。

2025-08-09 阅读：542 关键词：杰盛微半导体芯片超人花姐半导体行业国产替代技术创新