JSM4800双 N 沟道增强型 MOSFET
在笔记本、便携数码、锂电池供电设备的 DC-DC 同步降压方案里，SOP-8 双 N 沟道 MOSFET 一直是电源设计的核心器件。长期以来，行业内大量硬件工程师选用经典 30V 双管方案 AO4800，但供应链波动、交期不稳定、成本持续上涨等问题，不断给量产项目带来交付压力。
深圳市杰盛微半导体有限公司
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JSM9926A SOP-8 双 N 沟道增强型 MOSFET
在消费电子、便携储能、电池管理赛道高速发展的当下，电源管理元器件的国产化替代已成行业刚需。海外经典型号 FDS9926A 凭借 20V 双路 MOS 架构、低导通电阻特性，长期占据便携设备负载开关、电池保护电路主流市场，但供应链交期波动、采购成本上浮等问题，持续困扰硬件研发工程师。为解决行业痛点，杰盛微 推出全新 JSM9926A SOP-8 双 N 沟道增强型 MOSFET，全参数精准对标 FDS9926A，引脚定义、封装尺寸、电气性能完全兼容，可实现 Pin to Pin 无缝替换；同时依托成熟沟槽工艺优化，产品批量一致性、供货稳定性、成本优势全面升级，是电池供电类设备国产化迭代的核心优选器件。 -
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JSM4468 N 沟道增强型 MOSFET
供应链波动、进口器件交期拉长、成本上涨，是当下硬件研发、采购团队共同面临的行业难题。在笔记本电源、便携数码、DC-DC 降压、负载开关等 30V 低压大电流场景中，经典型号 AO4468 长期被工程师广泛选用，但原厂供货不稳定、溢价等问题持续困扰项目落地。为此，杰盛微（JSMSEMI）基于自研高密度沟槽工艺，推出JSM4468 N 沟道增强型 MOSFET，引脚、封装、电气参数 1:1 对标 AO4468，可直接 Pin to Pin 替换，兼顾高性能、高可靠性与稳定国产供应链，为消费电子电源方案提供一站式国产化解决方案。 -
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JSM4410 30V N 沟道功率 MOSFET（SOP-8 封装）
随着消费电子、锂电储能、小型工控电源持续向小型化、高效率、高可靠性迭代，功率 MOSFET 作为电路核心开关器件，导通损耗、开关速度、散热能力、温度稳定性四大指标直接决定整机续航、温升与使用寿命。 市面上传统低压 MOS 常存在高温内阻飙升、栅电荷大、脉冲电流余量不足等设计短板，给硬件工程师带来调试难题。为此，杰盛微 JSMSEMI 基于自研高密度沟槽工艺，推出JSM4410 30V N 沟道功率 MOSFET（SOP-8 封装），兼顾超低导通电阻、快速开关特性与宽温稳定性能，覆盖全品类低压大电流应用，为国产电源方案提供高性价比、高一致性替代方案。 -
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JSM4406A 30V N 沟道增强型 MOSFET
随着 DC-DC 电源、负载开关、网络设备供电系统不断向小型化、高频化、高效率迭代，低压功率 MOSFET 成为硬件工程师选型的核心难点。市面上很多常规 MOS 器件普遍存在导通内阻偏高、大电流发热严重、开关损耗大、高温性能衰减明显等痛点，不仅拉低整机能效，还会增加散热设计成本。 杰盛微深耕沟槽型功率 MOS 研发，全新推出JSM4406A 30V N 沟道增强型 MOSFET，依托高密度先进沟槽工艺，实现超低导通电阻、15A 大电流承载、稳定高温工况表现，搭配通用 SOP8 贴片封装，一站式适配高频同步降压、负载开关等主流场景，为电源硬件设计提供高性价比国产替代解决方案。 -
JSM3442 N 沟道增强型功率 MOSFET
在笔记本电源、便携数码、多串锂电池供电设备的硬件开发赛道里，SOT23-3L 封装 100V N 沟道 MOSFET 是电源管理、负载开关、DC-DC 转换电路的基础核心器件。长期以来，AO3442 凭借稳定的电气性能、标准贴片封装，成为行业中小功率高压开关的通用标杆型号。但近年来海外物料交期波动、采购成本持续上浮、供应链不稳定等问题，持续困扰硬件研发、采购与量产团队。 -
JSM3422 60V N 沟道增强型 MOSFET
在笔记本电源、便携数码、锂电池供电设备的硬件设计中，60V 低压 SOT23 封装 N 沟道 MOS 是负载开关、DC-DC 转换、电池保护电路的刚需器件。长期以来，AO3422 凭借低导通内阻、小型化封装成为行业通用标杆型号，但供应链波动、交期不稳定、成本上浮等问题，持续困扰硬件研发与采购团队。 -
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