JSM27714DR 700V 大电流高低侧驱动芯片
在工业控制、新能源、家电变频等电力电子应用持续升级的今天，高压、高速、高可靠的 MOSFET/IGBT 驱动芯片，已成为功率系统稳定运行的核心基石。面对市场对高性能、高性价比、稳定供货驱动芯片的迫切需求，杰盛微半导体（JSMSEMI） 自主研发推出JSM27714DR—— 一款可直接对标 UCC27714DR 的 700V 大电流高低侧驱动芯片，凭借优异的电气性能、完善的保护机制、高度的兼容性，为广大工程师提供更具竞争力的国产优选方案。
深圳市杰盛微半导体有限公司
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JSM27712 650V 高低侧栅极驱动芯片
在工业电源、电机驱动、新能源逆变等高压功率变换领域，半桥栅极驱动芯片堪称系统的 “心脏”，直接决定整机效率、可靠性与成本。长期以来，中高端高压驱动市场被国际品牌占据，国产方案在耐压、驱动能力、抗干扰与保护完整性上存在明显差距，工程师在选型时往往陷入 “性能达标就高价、低价就不稳” 的两难困境。 立足功率半导体国产化浪潮，杰盛微半导体（JSMSEMI） 推出高性能650V 高低侧栅极驱动芯片 JSM27712，全面对标市场主流 UCC27712，在关键参数、功能特性、应用兼容性上实现对等甚至优化升级，以更优性能、更稳品质、更高性价比，为功率电子工程师提供安全可靠的国产替代方案，助力高端电源与驱动系统自主可控。 -
JSM5183STR 高压大电流高低侧驱动芯片
在工业电源、新能源驱动、通信电源、电机控制等领域，高压半桥驱动芯片一直是功率链路的核心器件，承担着 MOS 管可靠开通关断、系统高效稳定运行的关键使命。长期以来，中高端驱动市场被海外品牌占据，供应链、成本与交期压力始终困扰着国内工程师。 如今，杰盛微半导体（JSMSEMI） 推出JSM5183STR 高压大电流高低侧驱动芯片，引脚对位、功能兼容、性能对标 NCV5183，在耐压、抗扰、驱动能力等核心指标上实现比肩甚至优化，为国产替代提供高可靠、高性价比、快交期的一站式解决方案。 -
JSM2109S 高压半桥同相栅极驱动芯片
在工业电机控制、家电变频驱动、中小功率逆变器等场景不断升级的今天，功率器件对栅极驱动芯片提出了更严苛的要求：更高耐压、更强驱动能力、更完善的保护机制、更稳定的抗干扰性能，同时还要兼顾国产化替代的性价比与供货保障。 立足功率驱动芯片领域深耕，杰盛微半导体（JSMSEMI） 正式推出JSM2109S 高压半桥同相栅极驱动芯片，可稳定对标市场主流型号 SFD2109S，在电气性能、可靠性、应用适配性上全面看齐并实现优化升级，为中高压功率系统提供更安全、高效、易用的驱动解决方案。 -
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JSM21364STR 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片
在工业变频、家电驱动、新能源逆变等领域，三相半桥栅极驱动芯片是功率系统的 “心脏”，承担着弱电控制强电的关键桥梁作用。长期以来，中高压三相驱动市场被海外型号占据，国产芯片在耐压、保护、延时匹配、抗扰性能上存在短板，导致工程师在选型时面临供货紧张、成本高企、技术支持滞后等难题。 如今，杰盛微半导体推出JSM21364STR—— 一款700V 带使能与故障报告的三相半桥 IGBT/MOSFET 驱动芯片，SOP-28-300mil 封装，可直接对标 IRS21364，在关键参数上实现对等甚至优化，完美覆盖电机控制、变频家电、通用逆变、微型逆变器等主流场景，为国产功率驱动提供高可靠、高性价比、交期稳定的全新选择。 -
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JSM4423 -30V P沟道MOSFET
在笔记本电脑、迷你主机（UMPC）以及各类高端网通设备的心脏地带，电源管理系统（PMIC）正面临着前所未有的挑战。随着处理器性能的飙升，供电电路必须在毫厘之间精准调控电流，同时还要应对高密度PCB布局带来的散热压力。 在同步整流 Buck 电路中，低侧开关（Low-Side Switch） 的选择往往决定了整个电源系统的成败。今天，我们要为大家深度解析一款来自杰盛微（JSMSEMI）的重磅新品——JSM4423。这不仅仅是一颗-30V P沟道MOSFET，更是针对高密度电源应用的一剂“退烧药”。 -
JSM57102BDR 高速低侧栅极驱动芯片
在新能源汽车、工业控制、光伏储能等大功率电力电子系统飞速发展的当下，栅极驱动芯片作为连接主控单元与功率开关器件的核心桥梁，其驱动能力、响应速度、保护完整性与长期可靠性，直接决定了整机系统的效率、安全等级与使用寿命。面对市场对高集成、强保护、车规级驱动方案的持续刚需，杰盛微半导体（JSMSEMI） 基于自主研发功率模拟技术平台，正式推出 JSM57102BDR 高速低侧栅极驱动芯片，可对标型号 UCC57102B，以优异性能、稳定品质与完善生态，为行业提供高可靠、高性价比的国产化功率驱动解决方案。 -
JSM4421 SOP‑8‑60V P 沟道 MOSFET
在工业电源、电机驱动、DC‑DC 转换等功率应用场景持续升级的今天，市场 对高耐压、大电流、低导通损耗、高可靠性的 MOSFET 需求日益迫切。作为功率系统的核心开关器件，MOSFET 的性能直接决定整机效率、温升与稳定性。 杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，聚焦沟槽 MOSFET 工艺创新，推出JSM4421 SOP‑8‑60V P 沟道 MOSFET，产品可精准对标行业主流型号 TC4421，在关键电气、热学与可靠性指标上实现对等甚至优化，为客户提供高性价比、稳定供货、安全合规的国产替代优选方案。 -
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JSM27531 单通道低压侧栅极驱动器
在功率电子技术高速迭代的当下，开关电源、工业驱动、光伏逆变等领域对高速、强驱、高鲁棒性栅极驱动芯片的需求持续攀升。作为功率系统的 “核心关节”，驱动芯片的性能直接决定整机效率、散热表现与长期寿命。面对市场对高性价比、高可靠性国产驱动器件的迫切需求，杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率半导体领域，重磅推出单通道低压侧栅极驱动器 JSM27531。产品引脚兼容、性能对标行业主流方案，可对标型号 UCC27531，以自主研发的核心实力，为工程师提供稳定供货、成本优化的国产优选，助力功率电子设备实现高效升级与自主可控。