JSM2006G650V集自举单相高低侧同相电机驱动芯片
在电机驱动领域，芯片的稳定性、兼容性和性能直接影响设备的运行效率与寿命。杰盛微半导体自主研发的JSM2006G 650V 集自举单相高低侧同相电机驱动芯片，凭借优异的参数表现和广泛的兼容性，成为替代 PT5606、KP85302 的理想选择，为电机控制、家电、逆变器等场景提供高性价比解决方案。
深圳市杰盛微半导体有限公司
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JSM2203STR 4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片
在功率电子驱动领域，稳定可靠的栅极驱动芯片是电路高效运行的核心。如果你正在寻找 FD2203 的高性价比替代方案，杰盛微半导体推出的JSM2203STR绝对值得关注！这款 4A250V 集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片，不仅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和应用灵活性上实现升级，为电机控制、逆变器、充电桩等场景提供强力支持。 -
JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片
在功率电子领域，半桥驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。杰盛微半导体推出的JSM2008STR作为一款 250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片，不仅继承了 IRS2008STR 的核心优势，更在兼容性与实用性上实现了无缝替代，成为高压 MOSFET 驱动场景的理想选择。本文将基于数据手册，从性能特性、电气规格、设计要点到应用场景进行全面解析。 -
JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
在电力电子领域，功率驱动芯片犹如 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增，一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片，成为工程师们的迫切需求。 杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美替代 TF2003M、IRS2003 等经典型号，更在可靠性、效率与适配性上实现全面升级，为工业与消费电子领域提供了更优解。 -
JSM5109G1.2A 250V单相高低侧同相栅极驱动芯片
在电机控制、逆变器等电力电子系统中，栅极驱动芯片就像 “神经中枢”，负责精准控制功率 MOSFET 的开关状态。选对驱动芯片，系统效率能提升 15% 以上，故障率降低 30%；选错了，则可能面临频繁宕机、功耗飙升等问题。 今天，杰盛微要给大家推荐一款 “全能选手”JSM5109G。作为 1.2A 250V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，它不仅能完美替代 U3116S、EG2132，更在性能、可靠性、兼容性上实现了 “越级” 表现。 -
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