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深圳市杰盛微半导体有限公司

联系人:杨静璇

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  • JSM3401AL ‑30V P 沟道增强型 MOSFET

    JSM3401AL ‑30V P 沟道增强型 MOSFET

    在消费电子、工业小功率设备的硬件设计中,电源开关器件是整个系统稳定运行的基石。很多工程师在选型时,既要兼顾低导通损耗、足够电流能力、紧凑封装,同时还要考量器件可靠性、供货稳定性以及环保合规性。P 沟道 MOSFET 因为驱动逻辑简单,无需额外升压电路,在电源反接保护、负载开关、DC‑DC 转换、电机驱动等场景被大量使用。
    2026-09-07 阅读:579 关键词: JSM3401AL P沟道MOSFET SOT‑23‑3L 负载开关
  • JSM3401 ‑30V P沟道 MOSFET

    JSM3401 ‑30V P沟道 MOSFET

    在硬件电路设计中,功率 MOSFET 是电源管理系统里不可或缺的核心器件。作为电压控制型开关,MOSFET 的导通损耗、开关速度、可靠性,直接决定整机的效率、发热表现与产品寿命。在负载开关、DC‑DC 变换、电机驱动、UPS 电源等场景,P 沟道 MOSFET 凭借高端驱动的便捷性,一直是工程师重点选型品类。
    2026-09-05 阅读:574 关键词: JSM3401 P沟道MOSFET SOT‑23 低压功率开关
  • JSM2305 TO‑252 P‑沟道 MOSFET

    JSM2305 TO‑252 P‑沟道 MOSFET

    电子设备的功率链路中,MOSFET 承担着电能开关、负载保护、电源转换的核心任务。随着各类大功率消费设备、工业电源、电机控制产品迭代,硬件工程师对 P‑沟道 MOSFET 提出了更高的要求:大电流承载能力、极低导通损耗、优异散热能力、稳定开关特性,同时兼顾器件可靠性与国产化供货保障。
    2026-09-04 阅读:965 关键词: JSM2305 P‑MOS TO‑252 功率开关
  • JSM2301A ‑20V P 沟道增强型 MOSFET

    JSM2301A ‑20V P 沟道增强型 MOSFET

    在消费电子、工控小功率电源领域,SOT‑23‑3 封装的 20V P 沟道 MOSFET 是电源路径管理、负载开关、电机驱动里的 “常客”。市场上传统通用型号供货波动、交期不稳定、成本压力上涨,很多硬件工程师都在寻找可以直接兼容、无需改板的国产替换器件。
    2026-09-02 阅读:752 关键词: 杰盛微 JSM2301A P沟道MOSFET 国产替代
  • JSM78N10Q 单 N 沟道功率 MOSFET

    JSM78N10Q 单 N 沟道功率 MOSFET

    在电源硬件设计的世界里,功率 MOSFET 就如同电路里的 “电力阀门”,承担电能通断、电压变换的核心使命。整机的转换效率、温升控制、功率密度乃至产品使用寿命,很大程度都由这一颗小小的功率器件决定。
    2026-09-02 阅读:830 关键词: 杰盛微 JSM78N10Q SGT沟槽MOS 功率分立器件
  • JSM150N06Q5 N 沟道快速开关 MOSFET

    JSM150N06Q5 N 沟道快速开关 MOSFET

    在消费电源、电动工具、机器人、BMS 电池管理等功率硬件的开发过程中,MOSFET 作为电能变换的 “开关心脏”,直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。当下电子产品持续向着小型化、大功率化方向迭代,工程师经常会遇到现实矛盾:既要 PCB 布局紧凑,缩减产品体积;又要承载大电流、压低导通损耗,同时兼顾开关速度与散热性能。传统封装器件往往很难把以上需求全部兼顾。
    2026-09-02 阅读:893 关键词: 杰盛微 JSM150N06Q5 MOSFET 功率分立器件
  • JSM130N06Q5 N 沟道沟槽 MOSFET

    JSM130N06Q5 N 沟道沟槽 MOSFET

    在电源、电机驱动、电池管理等功率类硬件开发中,MOSFET 作为电能开关的核心器件,直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。随着设备不断向小型化、大功率方向迭代,工程师常常面临一组矛盾:既要器件体积小巧,满足 PCB 高密度布局;又要实现大电流承载、极低导通损耗,同时兼顾开关性能与散热能力。很多传统器件很难同时兼顾以上需求。
    2026-08-29 阅读:504 关键词: 杰盛微 MOSFET DFN5060‑8L 低压大电流 国产化替代
  • JSM240N04Q5 N 沟道增强型 SGT MOSFET

    JSM240N04Q5 N 沟道增强型 SGT MOSFET

    当下电源行业朝着高功率密度、小型化、高效率方向持续迭代,硬件工程师常常会遇到棘手的选型难题:既要在有限 PCB 板空间内承载百安培级大电流,又要控制整机温升;既要保障低压 4.5V 驱动条件下优异导通性能,又要兼顾开关速度与器件可靠性;同时还要应对浪涌、雪崩冲击等复杂工况考验。传统沟槽 MOS 往往很难同时兼顾全部需求。
    2026-08-28 阅读:661 关键词: JSM240N04Q5 SGT MOS 40V MOS PDFN5060 国产MOSFET
  • JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET

    JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET

    在电源系统向高功率密度、小型化快速迭代的今天,低压大电流 MOSFET 是电力电子设备的核心基石。面对 UPS、DC‑DC 变换器等设备的严苛需求,国产功率半导体厂商杰盛微(JSMSEMI)推出 JSM180N04Q N 沟道增强型 SGT MOSFET,以 PDFN5060‑8L 紧凑贴片封装,实现 40V 耐压、180A 大电流与毫欧级导通电阻,为硬件工程师提供高可靠的国产化器件选型参考。
    2026-08-27 阅读:555 关键词: 杰盛微 JSM180N04Q SGT MOSFET PDFN5060 工业电源
  • JSM140N04Q N 沟道增强型 MOSFET

    JSM140N04Q N 沟道增强型 MOSFET

    随着工业电源、大功率 DC‑DC 变换系统持续向小型化、高功率密度、高效率迭代,硬件工程师经常会遇到一系列现实开发困境:既要在有限 PCB 面积内承载百安培级大电流,又要控制整机温升;MCU / 电源芯片仅 4.5V 低压驱动时 MOS 导通能力不足;感性负载带来的浪涌冲击容易造成器件失效;传统插件封装体积过大,无法满足紧凑型设备布局需求。
    2026-08-26 阅读:622 关键词: 杰盛微 JSM140N04Q MOSFET DFN5060 工业电源
  • JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET

    JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET

    电源系统朝着小型化、高功率密度方向快速迭代,如何在有限 PCB 空间内实现大电流承载、低发热损耗与高可靠性,是众多硬件工程师共同面对的设计难题。杰盛微(JSMSEMI)JSM120N04Q5 N 沟道增强型 MOSFET,以 DFN5060‑8L 紧凑型封装,集合 40V 耐压、120A 大电流、超低导通电阻、完整可靠性验证,为工业 DC‑DC 转换器电源管理场景提供优质国产器件选型方案。
    2026-08-25 阅读:606 关键词: 杰盛微 JSM120N04Q5 MOSFET 工业电源 低压驱动
  • JSM70N04Q  40V N 沟道 SGT MOSFET

    JSM70N04Q 40V N 沟道 SGT MOSFET

    在电子产品不断走向小型化、高功率密度的今天,功率 MOSFET 作为电路里的 “电子阀门”,直接决定电源转换效率、整机温升与产品可靠性。很多硬件工程师经常面临两难困境:既要器件承载大电流,又要压缩 PCB 布板面积;既要压低导通损耗,又要保障优秀的开关性能,普通沟槽 MOS 很难同时兼顾多重需求。
    2026-08-24 阅读:632 关键词: 杰盛微 JSM70N04Q SGT工艺 DFN3030 功率MOSFET