JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

       在新能源、工业控制、消费电子等领域飞速发展的当下，功率器件作为电路核心 “动力枢纽”，其性能上限直接决定了终端产品的能效、稳定性与使用寿命。杰盛微半导体深耕功率器件研发与制造多年，始终以技术创新为核心驱动力，今日正式推出200V N 沟道 MOSFET——JSM9N20D。这款凝聚了杰盛微核心技术的产品，凭借快速开关、高可靠性、优异热性能等多重优势，专为开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等关键场景量身打造，为电力电子行业提供高性能、高性价比的解决方案。

一、三大核心特性，破解功率应用痛点

JSM9N20D 的研发团队深入洞察行业需求，针对功率器件在高频工作、极端工况下的核心痛点，打造了三大核心技术优势，从根源上提升产品竞争力：

1. 极速开关响应，降低高频损耗

高频化是电力电子设备小型化、高效化的核心趋势，而开关速度是制约高频应用的关键因素。JSM9N20D 通过优化芯片结构与工艺，大幅降低寄生电容与电阻，实现了纳秒级的极速开关响应：导通延迟时间仅 35ns，关断延迟时间 98ns，上升时间 7ns，下降时间 32ns。这一性能让器件在高频切换过程中，开关损耗显著降低，不仅能提升终端产品的能效等级，还能减少散热压力，为设备小型化设计提供更大空间，完美适配高频电源、快速充放电等场景。

2. 100% 雪崩测试，筑牢可靠性防线

雪崩击穿是功率器件在过载、电感储能释放等极端工况下的主要失效原因之一，雪崩耐受能力直接关系到产品的使用寿命与稳定性。JSM9N20D 经过 100% 严苛雪崩测试，单脉冲雪崩能量高达 115mJ，重复雪崩能量 69mJ，雪崩电流 5A，即便在突发过载或电路异常的情况下，也能稳定承受能量冲击，避免器件损坏。这一特性让终端产品在复杂工作环境中更具可靠性，降低售后维修成本，尤其适用于对稳定性要求极高的工业电源、UPS 等关键设备。

3. 优异 dv/dt 能力，减少电磁干扰

在电压快速变化的功率转换场景中，dv/dt 应力容易引发电磁干扰（EMI），影响周边电路正常工作，增加滤波设计难度与成本。JSM9N20D 具备改善的 dv/dt 承受能力，能有效抑制电压突变带来的电磁辐射，降低系统 EMI 水平。这一优势不仅简化了工程师的电路设计流程，减少滤波元件的使用，还能提升整个系统的电磁兼容性，让产品更易通过行业认证，加快上市周期。

二、多元应用场景，赋能行业高质量发展

凭借卓越的综合性能，JSM9N20D 的应用场景覆盖电力电子行业多个核心领域，为不同行业的客户提供定制化解决方案：

1. 开关模式电源（SMPS）

在通信电源、工业电源、消费电子适配器等 SMPS 应用中，JSM9N20D 的快速开关特性与低导通损耗，能大幅提升电源转换效率，助力产品达到更高的能效标准（如 80PLUS 认证）；同时，其高雪崩耐受能力与优异的 EMI 表现，能提升电源的稳定性与可靠性，减少故障发生率。

2. 不间断电源（UPS）

UPS 作为关键设备的 “电力保障”，对功率器件的可靠性与电流承载能力要求极高。JSM9N20D 的 9A 连续漏极电流、36A 脉冲漏极电流，能满足 UPS 在市电中断时的大功率输出需求；100% 雪崩测试验证与宽温工作范围，确保 UPS 在极端工况下仍能稳定运行，为服务器、数据中心、医疗设备等关键负载提供持续电力。

3. 功率因数校正（PFC）

在空调、冰箱、工业变频器等大功率设备中，PFC 电路是提升电网功率因数、减少谐波污染的核心环节。JSM9N20D 的快速开关响应与低损耗特性，能优化 PFC 电路的工作效率，降低能耗；改善的 dv/dt 能力则能减少电路中的电磁干扰，让设备更易满足电网谐波标准，提升产品市场竞争力。

三、关键参数：硬核性能，数据说话

（1）最大额定值

（2）动态电气参数

（3）热学特性

四、硬核参数加持，全方位满足应用需求

如果说核心特性是产品的 “软实力”，那么实打实的电气与热性能参数就是 JSM9N20D 的 “硬底气”。从电压电流承载能力到静态动态性能，再到热管理表现，JSM9N20D 均达到行业领先水平：

1. 电气参数：强承载、低损耗、高兼容

• 电压与电流承载：漏源电压（Voss）达到 200V，满足中高压功率转换需求；连续漏极电流（ID）稳定在 9A，脉冲漏极电流高达 36A，能轻松应对大功率输出场景，适配从消费电子到工业设备的多元功率需求。

• 静态性能：栅源阈值电压控制在 2.0~4.0V，驱动门槛低，兼容市面上主流驱动芯片；在 VGS=10V、ID=4.5A 的工况下，漏源导通电阻（DS (on)）典型值仅 0.25Ω，最大值不超过 0.3Ω，导通损耗极低，进一步提升产品能效；零栅压漏极电流（Dss）最大值仅 1μA，栅源泄漏电流（GSS）不超过 ±100nA，静态功耗微乎其微。

• 动态性能：输入电容（Ciss）605pF、输出电容（Coss）87pF、反向传输电容（Crss）37pF 的低寄生电容组合，配合 19.14nC 的总栅极电荷（Qg），让器件在高频工作时驱动损耗小、响应迅速；栅源电荷（Qgs）3nC、栅漏电荷（Qgd）8nC 的合理分配，进一步优化了开关特性。

• 体二极管特性：内置体二极管性能优异，连续体二极管电流 9A，脉冲正向电流 36A，反向恢复时间 145ns，反向恢复电荷 0.82μC，为电路续流提供可靠保障，无需额外搭配续流二极管，简化电路设计。

2. 热性能：宽温适应、高效散热

热管理是功率器件长期稳定工作的关键，JSM9N20D 在热性能上表现突出：

• 工作结温与存储温度范围均为 - 55~+150℃，既能适应严寒地区的户外设备场景，也能耐受工业设备内部的高温环境；

• 采用经典的 TO-252 封装，结壳热阻仅 1.7K/W，热量从芯片到封装壳体的传导效率高，配合 60K/W 的结环境热阻，即便在密闭空间中，也能通过合理的散热设计实现高效散热，避免器件因过热导致性能衰减或失效。

五、TO-252 封装设计，兼顾实用性与兼容性

JSM9N20D 采用工业界广泛认可的 TO-252 封装，在尺寸设计与引脚布局上充分考虑了实用性与兼容性：

1. 尺寸优化，适配多元安装场景

封装关键尺寸经过精准调校：长度（L1）为 9.60~10.50mm，宽度（B）为 5.70~6.30mm，高度（A）为 6.30~6.90mm，小巧的体积便于在 PCB 板上紧凑布局，节省安装空间；引脚间距与长度设计符合行业标准，适配自动化焊接工艺，提升生产效率。

2. 标识清晰，便于生产识别

器件表面直接标注型号 “JSM9N20D”，标识清晰明确，在来料检验、生产焊接、后期维修等环节中，能快速准确识别产品型号，避免混淆，提升生产与维护效率。

3. 工艺可靠，保障长期稳定

封装过程严格遵循杰盛微的品质管控标准，引脚镀层均匀、附着力强，抗氧化与耐腐蚀性能优异；封装与芯片的结合紧密，机械强度高，能承受运输与安装过程中的振动与冲击，保障产品在全生命周期内的稳定运行。

杰盛微：以技术创新，筑功率器件标杆

杰盛微半导体自成立以来，始终专注于功率器件的研发、生产与销售，凭借专业的研发团队、先进的生产设备与完善的质量管控体系，在 MOSFET、IGBT 等领域积累了深厚的技术沉淀。公司坚持以市场需求为导向，以技术创新为核心，不断突破性能瓶颈，推出了一系列满足行业需求的高性能产品，赢得了全球客户的认可与信赖。

JSM9N20D 的成功推出，是杰盛微技术实力的又一重要体现。未来，杰盛微将持续加大研发投入，聚焦电力电子行业的技术痛点与发展趋势，优化产品布局，提升产品性能与性价比，为全球客户提供更具竞争力的功率器件解决方案；同时，公司将秉持 “品质至上、客户第一” 的理念，完善售前咨询、售中技术支持、售后保障等全流程服务体系，与合作伙伴携手共进，共同推动电力电子行业的创新发展。

如果您正在为开关电源、UPS、PFC 等应用寻找高性能、高可靠性的 MOSFET 产品，杰盛微 JSM9N20D 绝对是您的优选之选。欢迎联系杰盛微销售团队，获取详细技术资料、样品测试与报价信息，让我们一起解锁功率应用新可能！