欢迎访问深圳市中小企业公共服务平台电子信息窗口

深圳市杰盛微半导体有限公司

联系人:杨静璇

联系电话:13652334188

联系地址:深圳市龙岗区平湖街道上木古社区宝来工业深圳杰盛微实业有限公司

网址:http://www.jsmsemi.com

  • JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET

    JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET

    在工业电源、新能源设备、电机控制等领域,功率 MOSFET 作为核心开关器件,其性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起,本土品牌在高压功率器件领域不断突破,为客户提供高性价比、高可靠性的国产化选择。今天为大家带来杰盛微半导体(JSMSEMI)重磅打造的JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET,以 500V 高耐压、18A 大电流、低导通电阻的核心优势,成为高压功率场景的理想之选。
    2026-05-19 阅读:1018 关键词: 杰盛微 JSM18N50F 功率半导体 国产替代
  • JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET

    JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET

    在高频开关电源、有源功率因数校正等电力电子应用场景中,功率 MOSFET 的性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起,杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率器件领域,推出多款高性能、高可靠的功率 MOSFET,为行业提供优质国产替代方案。今天为大家详细介绍杰盛微重磅打造的JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET,这款器件凭借优异的核心参数、卓越的高频性能与稳定的品质,成为中高压高频应用场景的理想选择。
    2026-05-18 阅读:896 关键词: 杰盛微 JSM18N50C 功率MOSFET 国产替代 高频开关电源
  • JSM13N50F 500V N 沟道功率 MOSFET

    JSM13N50F 500V N 沟道功率 MOSFET

    在电子设备向小型化、高频化、高效化快速迭代的今天,功率 MOSFET 作为电源转换、能量控制的核心器件,其性能直接决定系统效率、稳定性与散热表现。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正(PFC)等场景,低损耗、快开关、高可靠的 MOSFET 成为工程师选型的核心诉求。
    2026-05-16 阅读:886 关键词: 杰盛微半导体 JSM13N50F 功率半导体 国产替代
  • JSM5N50D 500V N 沟道 MOSFET

    JSM5N50D 500V N 沟道 MOSFET

    在功率电子领域,高压、高效、高可靠始终是行业核心诉求。从工业电源到新能源设备,从消费电子到智能家电,一款性能卓越的 MOSFET,是保障系统稳定、提升能效的关键核心。杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率半导体领域,凭借深厚研发积淀与严苛品控体系,推出JSM5N50D 500V N 沟道 MOSFET,以 TO-252 封装实现高压性能与小型化设计的完美平衡,为中高压开关应用带来高性价比、高可靠的全新选择。
    2026-05-14 阅读:995 关键词: 杰盛微半导体 JSM5N50D 高压MOSFET 性能优势 应用场景
  • JSM6N40C 400V N 沟道 MOSFET

    JSM6N40C 400V N 沟道 MOSFET

    在工业控制、电源转换、家电驱动等中高压应用场景持续升级的当下,市场对功率器件的要求不断攀升 —— 更高耐压、更低损耗、更快开关速度、更稳定的可靠性,成为行业核心诉求。作为专注半导体功率器件研发与生产的创新企业,杰盛微 深耕功率 MOSFET 领域多年,凭借深厚技术积累与严苛品控标准,重磅推出JSM6N40C 400V N 沟道 MOSFET,以卓越性能、稳定品质与高性价比,为中高压功率系统提供高效可靠的核心解决方案。
  • JSM640C型号 220V N 沟道 MOSFET

    JSM640C型号 220V N 沟道 MOSFET

    在开关电源、不间断电源、功率因数校正等电力电子应用持续升级的今天,功率器件的性能、可靠性与供应链稳定性,成为工程师选型时的核心考量。作为深耕功率半导体领域的高新技术企业,杰盛微半导体(JSMSEMI)始终以自主研发、品质优先、客户导向为理念,聚焦中高压 MOSFET 赛道,依托先进沟槽工艺与全链条制造能力,推出JSM640C型号 220V N 沟道 MOSFET,可直接对标市场主流型号 JCS640C,实现电气参数、封装引脚、应用场景的全面兼容,为电源系统提供更高效、更可靠、更具性价比的国产优选方案。
    2026-05-14 阅读:1169 关键词: 杰盛微半导体 JSM640C 功率器件 参数性能 国产替代
  • JSM18N20F N 沟道功率 MOSFET

    JSM18N20F N 沟道功率 MOSFET

    在工业电源、通信供电、储能逆变等中高压功率场景持续升级的今天,高可靠性、低损耗、快开关的 MOSFET 已成硬件设计的核心刚需。面对进口器件交期波动、成本高企的行业痛点,杰盛微半导体(JSMSEMI) 基于成熟功率平台迭代优化,正式推出JSM18N20F N 沟道功率 MOSFET,精准对标市场主流型号 FDP18N20F,实现参数兼容、性能相当、可靠性越级、供应稳定,为电源工程师提供更安心的国产替代方案。
    2026-05-12 阅读:1043 关键词: 杰盛微 JSM18N20F 200V中功率MOSFET 国产替代
  • JSM63006 5A 28V三相无刷电机驱动电路

    JSM63006 5A 28V三相无刷电机驱动电路

    在智能家居、3D 打印、服务机器人、办公设备与小型工业自动化设备飞速发展的今天,小体积、高集成、高可靠性的三相无刷电机驱动芯片,已经成为产品性能、成本控制与量产稳定性的关键核心。 面对市场对稳定供货、高性价比、简单替换、功能完备的强烈需求,杰盛微半导体(JSMSEMI) 专注功率驱动芯片研发,正式推出JSM63006 5A 28V三相无刷电机驱动电路。该产品在引脚定义、功能逻辑、电气参数、应用拓扑上,实现对行业主流型号BD63006MUV 的高度兼容,为广大客户提供零风险、低成本、快速落地的国产替代优选方案。
  • JSM1002-CTNA-A 三模式可调节电荷泵控制器

    JSM1002-CTNA-A 三模式可调节电荷泵控制器

    在消费电子、便携式设备与智能硬件快速迭代的今天,小型化、低噪声、高效率、双路输出的电源管理方案,早已成为工程师们的核心诉求。传统电感式 DC-DC 方案体积大、EMI 干扰强、外围电路复杂,难以满足电池供电小型设备的严苛要求。 在此背景下,杰盛微(JSMSEMI) 基于成熟平台与自研电荷泵技术,正式推出JSM1002-CTNA-A 三模式可调节电荷泵控制器,产品可直接对标市场主流 FL1002 型号,在性能、兼容性、可靠性上全面对齐,同时依托杰盛微供应链与品质体系,为客户提供更稳定、更具性价比的国产替代选择,助力终端产品实现轻薄化、低功耗、高集成度升级。
    2026-05-09 阅读:1319 关键词: 杰盛微 JSM1002 电荷泵控制器 电源管理 国产替代
  • JSM8870 5A 45V PWM直流全桥马达驱动芯片

    JSM8870 5A 45V PWM直流全桥马达驱动芯片

    在智能家居、工业控制、办公自动化等领域快速发展的今天,直流有刷电机作为核心执行部件,对驱动芯片提出了更高要求 ——更高耐压、更大电流、更低功耗、更全保护、更稳可靠,同时还要兼顾国产化替代与成本优势。 立足国产芯片自主创新,杰盛微半导体(JSMSEMI) 正式推出JSM8870 PWM 直流全桥马达驱动芯片,可完美对标 DRV8870DDAR,在性能、参数、封装、应用上全面兼容,为电机驱动系统提供高性能、高可靠性、高性价比的国产优选方案。
  • JSM8837DTR 1.8A/12V 低压 H 桥电机驱动芯片

    JSM8837DTR 1.8A/12V 低压 H 桥电机驱动芯片

    在消费电子、智能硬件、小型机器人与电池供电运动控制场景中,一颗小体积、低功耗、强驱动、高可靠的电机驱动芯片,往往决定产品续航、响应速度与长期稳定性。 杰盛微半导体(JSMSEMI)推出的JSM8837DTR,正是面向这类场景打造的1.8A/12V 低压 H 桥电机驱动芯片,引脚定义、控制逻辑、功能接口与行业主流型号 DRV8837 高度兼容,在功耗、保护、散热与成本交付上具备明显优势,为摄像机、玩具、智能门锁、小型机器人、医疗便携设备提供一站式高性价比驱动方案。
  • JSM2308STR 700V 集成自举高低侧功率半桥驱动芯片

    JSM2308STR 700V 集成自举高低侧功率半桥驱动芯片

    在工业控制、家电变频、新能源逆变等领域,高压半桥驱动芯片是连接控制逻辑与功率器件的核心桥梁。长期以来,中高压驱动市场被海外品牌占据,供应链、交期与成本压力一直困扰着国内整机厂商。 如今,杰盛微半导体(JSMSEMI) 推出JSM2308STR—— 一款700V 集成自举高低侧功率半桥驱动芯片,性能全面对标市场主流型号 IRS2308,在耐压等级、驱动能力、保护机制上实现同步甚至超越,为国产高压驱动提供高可靠、高性价比的优选方案。
共18页   到第