JSM4842 SOP-8封装双通道 N 沟道 MOSFET

为解决行业痛点，深圳市杰盛微半导体（JSMSEMI） 推出全新 SOP-8 封装双通道 N 沟道 MOSFET——JSM4842。单颗芯片集成两路完全独立 30V 功率 MOS 管，依托自研先进沟槽工艺实现超低导通电阻与优异开关特性，兼顾散热性能、宽温稳定性与环保标准，一站式满足多通道低压电源管理需求，成为国产双通道 MOS 器件高性价比替代优选。

一、器件核心架构：单封装双独立通路，简化电路设计

JSM4842 采用标准 SOP-8 贴片封装，内部集成两路互不干扰的 N 沟道增强型 MOS 管，每一路均配套原生体二极管，两路电气隔离，互不影响工作状态。

清晰标准化引脚定义（芯片丝印圆点为定位角）

• 左侧引脚：S1（1 脚源极）、G1（2 脚栅极）、S2（3 脚源极）、G2（4 脚栅极）

• 右侧引脚：D1（5/6 脚并联漏极）、D2（7/8 脚并联漏极）

双漏极引脚并联设计大幅提升散热面积，大电流工况下有效降低温升。相较于两颗分立 MOS 布局，JSM4842 可减少近 40% PCB 占用面积，简化布线、缩短研发周期，适合空间严苛的便携设备、小型电源模块。

二、硬核工艺加持，四大核心性能优势拉满

杰盛微深耕功率 MOSFET 工艺多年，JSM4842 采用高单元密度沟槽晶圆工艺，从底层优化器件导通、开关、热稳定三大关键指标，核心亮点一目了然：

1. 30V 耐压 7A 大电流，超低导通损耗

器件额定漏源耐压 VDS=30V，25℃环境下单路连续漏极电流 7A，100℃高温降额后仍可稳定输出 5.2A，峰值脉冲电流可达 33A，充足电流余量适配各类大电流开关场景。 导通电阻表现行业领先：VGS=4.5V、ID=7A 工况下，RDS (on) 典型值仅 18mΩ，最大值不超过 23mΩ。根据功率损耗公式 P=I²R，极低导通电阻能够显著降低电路发热，提升电源转换效率，延长设备续航时间。

2. 低栅极电荷，高频开关损耗大幅降低

高频 DC-DC 电路中，栅极充放电电荷直接决定开关损耗与 EMI 表现。JSM4842 总栅电荷 Qg 典型值 16nC，米勒电荷 Qgd 仅 6.8nC，开关时序参数表现优异：开通延迟 10ns、上升时间 4ns、关断延迟 27ns、下降时间 5ns，支持高频同步降压拓扑，无需额外复杂缓冲电路即可抑制开关尖峰。 输入 / 输出 / 反向传输电容参数均衡，VDS=15V 测试条件下 Ciss=560pF、Coss=125pF、Crss=90pF，在快充、笔记本主板 VRM 电路中稳定发挥高效开关性能。

3. 宽温稳定运行，全场景可靠耐用

JSM4842 工作结温区间覆盖 - 55℃~+150℃，兼顾低温户外设备与高温密闭电源模组使用需求。多项温度特性经过完整验证：

1. 阈值电压 VGS (th) 区间 1~3V，典型 1.6V，随温度线性平缓变化，高低温环境不会出现误导通、驱动不足问题；

2. 漏源击穿电压随温度小幅抬升，高温工况耐压安全余量充足；

3. 配套完整安全工作区（SOA）曲线，区分直流、10ms/100ms/1s 脉冲电流限制，工程师可快速评估短时过载耐受能力；

4. 单管最大耗散功率 2.5W，封装优化散热通道，20℃以下可满功率运行，高温线性降额设计规避热击穿风险。

4. 环保合规 + 优异体二极管，适配同步整流

产品为绿色环保器件，完全符合 RoHS 无铅标准，适配国内外消费电子出口规范。每路 MOS 集成高性能体二极管，IS=1A 时正向压降典型 0.78V，连续续流电流 5.8A，在同步 Buck 上下桥拓扑中可省去外置续流二极管，进一步精简 BOM 清单、压缩物料成本。

栅源耐压支持 ±20V，兼容 3.3V、5V、10V 主流驱动电压，通用型极强，无需搭配电平转换电路即可对接绝大多数电源管理芯片。

三、完整电气参数一览，设计有据可依

（一）绝对最大额定值（Tc=25℃）

（二）关键直流电气特性

1. 关断特性：零栅压漏电流 IDSS≤1μA，栅极漏电流 IGSS≤±100nA，待机功耗极低；

2. 导通特性：正向跨导 GFS 最小 3S，驱动控制响应灵敏；

3. 动态开关：纳秒级开关时序，适配百 kHz 高频开关电路；

4. 二极管特性：低正向压降，同步整流场景零额外器件。

四、多元落地应用，覆盖全行业电源场景

凭借双通道集成、30V 耐压、7A 大电流三大核心优势，JSM4842 适配当下主流低压电源设计场景，完美解决双通道开关需求：

1. 同步 Buck 降压转换器（消费电子主力场景）

笔记本、平板、快充适配器、便携充电宝板载 VRM 电路，一颗 JSM4842 即可集成上下桥两路开关，替代两颗单路 MOS，缩小电源模块体积，提升转换效率，降低整机发热。

2. 锂电池充放电保护 BMS

小型储能电池、手持设备锂电池管理板，双通路分别控制充电、放电回路，精准管控电流通断，依托低导通电阻减少充放电损耗，延长电池循环寿命。

3. 双通道负载开关与信号切换

智能家居模块、物联网传感器、USB 接口多路电源切换，独立两路控制互不干扰，关断漏电流微安级，设备待机功耗大幅下降。

4. 小型电机驱动、云台控制

手持云台、小型风扇、筋膜枪等 BLDC 电机半桥驱动电路，双通道 MOS 实现电流换向，低内阻降低电机工作温升，延长设备连续工作时长。

5. 工业小型 DC-DC 模块

工业传感器供电、24V 转 5V 辅助电源，宽温特性适配车间高低温复杂环境，稳定耐受瞬时电压冲击，提升工业设备运行可靠性。

五、杰盛微品质体系，为客户量产全程护航

作为国产功率半导体深耕企业，杰盛微（JSMSEMI）始终坚持技术创新、品质至上的发展理念，从研发、制造到交付建立全流程标准化管控体系，选择 JSM4842，客户可获得三重保障：

1. 严苛全维度可靠性测试

每一批次 JSM4842 均完成冷热冲击、高温高湿、长时间老化、雪崩冲击等可靠性验证，严格管控器件参数一致性，批量生产良率稳定，规避终端产品批量失效风险。所有特性曲线、封装尺寸、测试条件完整收录 5 页官方规格书，工程师设计阶段可精准评估器件极限工况。

2. 标准 SOP-8 封装，兼容替代无门槛

器件采用通用 SOP-8 贴片封装，完整提供毫米 / 英寸双规格机械尺寸图纸，PCB 封装库可直接复用通用 SOP8 标准。市面上双通道 30V MOS 型号可直接引脚兼容替换，无需重新改板、重新验证，大幅缩短产品升级迭代周期。

3. 本地化专属技术服务支持

杰盛微配备专业功率器件应用工程师团队，面向客户免费提供样品测试、电路方案调试、温升仿真、EMI 优化一对一技术支持；稳定国产供应链保障充足现货库存，交期可控，摆脱海外器件供货周期长、涨价断供困扰，助力企业完成元器件国产化替代。

六、结语

在电子产品小型化、高效化、国产化的行业大趋势下，双通道集成 MOSFET 正在成为电源设计的主流选择。杰盛微 JSM4842 以单封装双独立通路、30V/7A 功率规格、超低导通损耗、优异高频开关性能，一站式解决工程师双通道开关电路设计痛点，兼顾小型化、高效率、低成本三大核心诉求。

从消费电子便携设备到工业小型电源模块，JSM4842 凭借均衡全面的性能、稳定可靠的量产品质，成为低压双通道功率开关方案的优选国产器件。未来杰盛微将持续深耕沟槽 MOSFET 工艺研发，不断丰富 30V/60V/100V 全系列单 / 双通道功率器件矩阵，以自主半导体技术赋能国内电子产业升级。