杰盛微LM317L系列 100mA 可调式三端正电压稳压器
在电子设备的 “心脏” 部位，总有一颗默默守护的芯片 —— 稳压器。作为深耕半导体领域的国家级高新技术企业，杰盛微半导体（JSMSEMI）始终以 “精准供电，稳定护航” 为使命，今天我们要向大家隆重介绍自主研发的明星产品：LM317L 系列 100mA 可调式三端正电压稳压器。这款凝聚着杰盛微核心技术的产品，凭借 1.25V~37V 宽电压调节范围、1% 高精度输出及三重保护机制，已成为消费电子、网络通信、工业控制等领域的可靠之选。
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二极管的反向恢复时间：原理、影响及合科泰解决方案
在开关电源、高频整流和逆变器等电路中，二极管的反向恢复时间直接关系到系统效率、EMI表现甚至可靠性。合科泰通过芯片设计与工艺创新，为市场提供了反向恢复时间性能优异的二极管产品。那么，什么是二极管的反向恢复时间？它会产生哪些影响？合科泰又是如何应对这一问题的呢？2025-09-17 133 -
高压二极管应用中，是否有足够铜箔/散热片，结温是否接近极限？
在半导体器件的可靠性设计中，温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS 管还是高压二极管，其寿命与结温（Tj）有着直接关系。客户常常会问：我的电路中参数都选对了，为什么二极管仍然失效？作为 MDD辰达半导体 FAE，我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热，器件结温是否已经接近极限。2025-09-17 135 -
RY2201 Cell Li-ion and Li-poly Battery Protection IC
The RY2201 is a high integration solution for lithium-ion/polymer battery protection. RY2201 contains internal power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits and delay circuits. RY2201 has all the protection functions required in the battery application including overcharging, over discharging, overcurrent and load short circuiting protection etc. The accurate overcharging detection voltage ensures safe and full utilization charging.2025-09-17 120 -
深爱半导体全新推出600V IPM：多领域高效能源转换核心深爱半导体全新推出600V IPM：多领域高效能源转换核心深爱半导体全新推出600V IPM：多领域高效能源转换核心
深爱半导体最新推出的SICXXN60CDR系列600V三相智能功率模块（IPM），是我们面向中高功率能源转换市场的重要战略产品。该系列产品秉承深爱在功率半导体领域的技术优势，并在集成度、可靠性、热管理及系统保护等维度实现了全面突破，充分体现了我们对市场趋势和客户需求的深刻洞察。该系列的推出，标志着深爱半导体在智能功率模块领域的又一次重要进步，将进一步巩固我们在功率半导体市场的技术领先地位和品牌影响力。我们将始终以客户需求为核心，持续推动产品与技术创新，为全球客户提供更高效、更可靠的能源转换解决方案。2025-09-17 137 -
NP3401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP3401MR uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.2025-09-17 130 -
NP4407SR 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP4407 uses advanced trench technologyand design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and batteryprotection applications.2025-09-17 112 -
NP8205MR 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP8205MR-S uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gatecharge and operation with gate voltages as low as2.5V. This device is suitable for use as a Batteryprotection or in other Switching application2025-09-17 116
