近日,由西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展,研究成果以“Van der Waals β-Ga₂O₃thin films on polycrystalline diamond substrates”为题在线发表于《Nature Communications》(DOI:10.1038/s41467-025-63666-x),该研究成功实现高质量β-Ga₂O₃薄膜与高导热多晶金刚石衬底的有效集成,为解决氧化镓基电子器件热管理难题提供了新路径。张进成教授为论文通讯作者,宁静教授与硕士研究生杨芷纯为论文共同第一作者。