兆易创新GD32H78D/77D系列MCU强劲来袭，以澎湃算力驱动图形交互新体验
商兆易创新宣布，正式推出GD32H78D/77D系列高性能32位通用微控制器，产品基于高性能Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存（TCM），搭载专用数学加速引擎及丰富的外设接口，实现了高性能、低功耗与专用加速器的完美融合
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电容在电源电路、音频电路、射频电路中的作用
电容描述的是器件储存电荷的能力。电容的定义是器件的电荷量与电势之比，常用C表示。电容的量纲是L-2M-1T4I2，国际单位制下单位是F(法拉)。电容器是一种基本的线性电子元件。电容器在电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔离直流电路中都有应用。 电子产品，电容无疑是一种不可或缺的器件，其广泛应用于电源电路、音频电路以及射频电路等多个领域。接下来，我们将深入探讨电容的基础知识，带你全面了解这一关键电子元件。电容，英文为“Capacitance”，也常被称作“电容量”，它衡量的是在特定电位差下，电荷的储存量。这一物理量以C表示，其国际单位是法拉(F)。简单来说，当电荷在电场中受到力的作用而发生移动时，若导体间存在介质，便会阻碍电荷的移动，导致电荷在导体上累积，这种现象即为电容的形成。电容的计算公式为：C=εS/4πkd。其中，ε代表介电常数，S是电容极板的正对面积，d是极板间的距离，而k则是静电力常量。特别地，对于平行板电容器而言，其电容可简化为C=εS/d，其中ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。 -
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如何为10-30W反激LED驱动电源选择与优化MOSFET？
合科泰针对10-30W反激式LED驱动应用推出系列化产品，该系列MOS管具备600V电压额定值，RDS(on)低至0.12Ω，Qg仅15nC，体二极管反向恢复时间50ns、反向恢复电流1.5A，同时提供TO-220F、PDFN5x6等封装选项适配不同散热与空间需求。合科泰可提供全流程技术支持，协助客户在效率、EMI、成本之间找到最佳平衡，实现LED驱动电源的高效、可靠、低成本目标。 -
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MOS管应用中，常见的各种‘击穿’现象
mos管也称场效应管，这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。MOSFET是一种场效应晶体管(利用电场控制电流)，由金属氧化物半导体制成，是目前使用最广泛的生产技术。在功率MOSFET领域，碳化硅(SiC)也被使用，因为它是电源、逆变器和其他应用所需的更高性能和效率的理想选择。东芝多年来一直致力于MOSFET的开发和生产，我们广泛的低中高耐压设备产品线具有低损耗、高速度、低导通电阻和小封装等特点—适合各种应用的MOSFET。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 -
