芯片功耗与温度的相互影响
芯片内部的每个电路都被设计成执行某个特定的功能，这些电路的功耗取决于几个因素，包括晶体管的数目和密度，转换速度有多快，以及在芯片上晶体管被放置的位置。耗散功率被转换成热，必须去除这些热，以得到具有热可靠的系统。功率密度和除热速度决定了电路的温度。温度的变化改变了器件和互连元件的特性，并且作为结果，会影响电路和系统的工作状态。
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TPS513885 5.5V 至 24V、12A 同步降压转换器
说明 该器件是单片 12A 同步降压转换器 ， 集成了 MOSFET，简单易用且高效，只需极少的外部元件， 适合空间受限的电源系统。 TPS513885 采用了 D-CAP3 控制模式，此控制模式只 需内部补偿即可实现快速瞬态响应以及出色的线路和负 载调整。ULQ 的延长电池寿命特性非常有益于在低功 耗运行时延长电池寿命。输入电压较低时，大负荷运行 可显著改善负载瞬态性能。 可使用 EN 引脚来设置 Eco-Mode 或 Out-of-Audio (OOA) 模式，从而实现轻负载运行。Eco-mode 可在轻 负载运行期间维持高效率。OOA 模式可将开关频率保 持在可闻频率以上，同时将对效率的影响降至最低。即 使转换器处于运行状态，也可以动态切换 EN 引脚。 TPS513885 集成了电源正常状态指示器并具备输出放 电功能。TPS513885 提供完整保护，包括 OVP、 UVP、OCP、OTP 和 UVLO。此器件可采用 13 引脚 -
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碳化硅时代的效率突围：ST8L65N044M9 在高频电源设计中的应用解析
在追求极致功率密度的今天，工程师们面临着一个经典的两难困境：如何在提高开关频率以缩小无源器件体积的同时，控制住急剧上升的开关损耗？传统的硅基MOSFET在这一领域已经触及了物理极限。随着宽禁带半导体材料的成熟，碳化硅（SiC）功率器件正在重塑电源设计的规则。今天，我们将深入剖析华轩阳电子（HXY）的一款明星产品——ST8L65N044M9，看看它是如何通过材料特性解决上述痛点的。 -
硬核拆解1200V/32A碳化硅MOSFET：华轩阳IMW120R090M1HXKSA1在高功率电源设计中的应用
在工业电源与高压DC/DC变换器的设计中，如何平衡开关频率、系统效率与散热成本，始终是硬件工程师面临的最大挑战。传统的硅基MOSFET在高频下损耗巨大，而市面上的碳化硅（SiC）器件往往价格高昂且供货周期不稳定。今天，我们深入解读华轩阳电子（HXY MOSFET）的一款高性价比N沟道增强型碳化硅功率器件——IMW120R090M1HXKSA1，看看它如何在保证性能的同时，为工程师提供更具成本优势的国产化替代方案。
