SK海力士投资54万亿韩元建设龙仁Y2与清州M17晶圆厂

2026-08-07 来源：电子工程专辑

决定在龙仁DRAM厂Y2与清州NAND闪存厂M17建设项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元
Y2与M17首个无尘室分别将于2029年6月、2028年12月启用，稳步推进中长期投资战略
同步扩大DRAM与NAND闪存生产基础设施，按客户所需分阶段扩大产能
“这是为把握市场增长机遇而作出的战略性决定，以前瞻性布局确保生产基础，致力于稳定全球AI半导体供应链”

韩国首尔，2026年8月7日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）7日宣布，公司将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂（Fab），以应对AI时代持续增长的存储器需求。

当天，公司董事会决议通过，在龙仁“Y2”和清州“M17”晶圆厂建设项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元，合计投资约54万亿韩元。

此举是落实公司今年6月公布的中长期投资战略的又一关键进展。此前，SK海力士宣布计划向龙仁半导体集群投资600万亿韩元、向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁首座晶圆厂（Y1）建设正有序推进，此次投资决定标志着龙仁和清州两地后续晶圆厂建设都启动。

据市场调研机构Omdia预测，从去年至2030年，DRAM和NAND闪存市场需求年均增速将达19%。SK海力士表示，这并非一时的行业景气，而是源于存储器已从普通的零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。

SK海力士表示：“在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势；能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。”

龙仁Y2是公司在龙仁半导体集群内依次建设的四座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约34.1万坪（约113万平方米），将作为DRAM生产基地投入运营。项目计划明年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前，Y1晶圆厂建设进展顺利，预计明年2月启用首个无尘室。

SK海力士龙仁半导体集群鸟瞰

此前，SK海力士已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圆厂的全部建设。此次Y2建设即为支撑该目标的第二阶段关键举措，投资将分阶段实施至2031年10月。

本次投资金额还包括为Y2员工配套的办公及福利设施“支援楼”、集开发产品实验、测试与分析一体的“研发综合中心”，以及相关配套设施*等建设费用。

* 配套设施：水处理设施、区域公用设施（集中敷设电力、通信、上下水、热力等管线）、变电、仓储等设施。

龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地约126万坪（约416万平方米）。目前，支撑Y2投产的一期电力、供水基础设施建设已完成99%，进入收尾阶段。公司目标，晶圆厂与基础设施建设同步进行，Y2将按原定计划稳步推进，确保工期不受影响。

随着AI服务加速普及，NAND闪存需求正以企业级固态硬盘（eSSD）为核心快速增长。同时，AI推理过程中的KV缓存*需求进一步增加，叠加代理式（Agentic）与物理（Physical）AI应用逐步落地，NAND闪存的应用场景有望进一步拓展。

* KV缓存（KV Cache）：一种通过存储并复用此前生成的Key（键）与Value（值）向量的技术，减少重复计算，提升效率。

SK海力士之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地，是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施，新建晶圆厂可与现有产线协同增效；同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月，并将根据业务进度分阶段实施。