南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片
南芯科技宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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合科泰MOSFET选型指南：7N60与7N65的核心区别及替换原则
在MOSFET选型过程中，工程师经常遇到一些疑问，如型号为7N60和7N65的器件究竟有什么区别，以及能否直接相互替换。从命名规则来看，7N60和7N65中的“7N”代表电流规格为7A，而“60”和“65”分别表示耐压等级为600V和650V。两者最核心的差异就在于漏源电压相差了50V。 除此之外，合科泰的规格书显示，这两款产品的栅源电压均为±30V，连续漏极电流均为7A，栅极阈值电压均为2.0至4.0V，耗散功率均为27.2W，封装也同为TO-252。导通电阻方面，7N60的典型值为1.20Ω，7N65约为1.30Ω，两者基本相当。 -
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