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  • 艾德克斯IT8100A/E短时过功率功能完成高性能电源EDPP功率循环测试

    艾德克斯IT8100A/E短时过功率功能完成高性能电源EDPP功率循环测试

    科瑞杰-高性能电源,如AI服务器电源、通信电源、新能源汽车充电机等对核心功率器件的可靠性要求极高,因此EDPP测试在这里不仅是验证手段,更是设计和选型的核心依据。
    2026-06-12 581 关键词: EDPP测试 IT8100A/E 直流电子负载 电源测试
  • 深圳贝腾科技-压缩空气系统专家

    深圳贝腾科技-压缩空气系统专家

    贝腾科技-压缩空气系统专家; 除水除油除粉尘,压缩空气找贝腾… 贝腾BI:您的生产能效与良品率协同优化伙伴 — 专攻成本黑洞… — 生产成本有黑洞,贝腾BI来掌控…
    2026-06-12 379 关键词: 贝腾科技 压缩空气 净化处理 能效优化
  • JSM2N65C 650V N 沟道功率 MOSFET

    JSM2N65C 650V N 沟道功率 MOSFET

    在电力电子设备飞速发展的当下,高频开关电源、有源功率因数校正电路早已渗透到工业设备、家电适配器、充电桩、工控电源等诸多领域。而作为电路核心开关元件,高压功率 MOSFET 的性能,直接决定了电源整机的转换效率、稳定性、散热表现与使用寿命。面对市场对器件高耐压、低损耗、快开关、强抗干扰能力的多重需求,杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率半导体领域,重磅推出JSM2N65C 650V N 沟道功率 MOSFET。这款采用经典 TO-220 封装的高压 MOS 管,凭借均衡的电气性能、扎实的可靠性与超高性价比,成为中小功率高压电源设计的理想选型,今天就带大家全方位解读这款实力派器件。
    2026-06-12 660 关键词: 杰盛微 JSM2N65C MOSFET TO-220 沟道功率MOSFET
  • 5G与AIoT时代:如何选择晶振常用频率?

    5G与AIoT时代:如何选择晶振常用频率?

    5G与AIoT时代:如何选择晶振常用频率?
    2026-06-12 681 关键词: 晶振 频点选型 应用场景 晶科鑫
  • 电子元器件外贸人注意!网站选错,询盘直接少一半!

    电子元器件外贸人注意!网站选错,询盘直接少一半!

    产品货源优质、价格有优势、业务员专业度在线,每天认真运营推广、深耕客户,可网站询盘寥寥无几,流量始终上不去。 明明所有获客动作都做了,投入了时间、金钱和精力,最终转化却惨不忍睹。 其实绝大多数时候,不是你的产品不行,也不是市场不景气,只是你的外贸网站选错了! 对于电子元器件行业来说,外贸网站从来不止是一个展示门面,更是核心获客工具、海外客户的第一对接入口。网站但凡踩坑,直接砍掉一半询盘,白白流失大量精准海外客户。 做电子元器件外贸建站,不用盲目跟风踩坑,吃透这3个核心关键点,彻底避开行业弯路,高效拿捏海外流量与询盘!
    2026-06-12 271 关键词: 外贸建站 电子元器件 网站速度 获客
  • 中国台湾芯片产业,太强了

    中国台湾芯片产业,太强了

    在工研院举办的「眺望2025 产业发展趋势研讨会」 上,IEK 产业分析师表示,2024 年中国台湾IC 产业产值正式突破5 兆元关卡,年成长预估达22%,高于全球市场平均水准。 IEK 指出,随着2024 年全球半导体市场的蓬勃发展,产业内的技术创新与市场竞争日益激烈。根据WSTS 预测,全球半导体产值预计将突破6,000 亿美元,年成长16%,反映市场强劲的表现。运算终端市场的需求持续成长,特别是高阶运算芯片在智能型手机、AI 运算、车用电子与伺服器等领域的应用,不断推动产业快速成长。
  • 一文读懂晶振

    一文读懂晶振

    晶振,一般指石英晶体振荡器,是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件。 石英晶体具有压电效应,若在晶体的两个电极上加上一电场,晶片就会产生机械变形;反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场。
    2026-06-12 151 关键词: 晶振 压电效应 分类 参数指标
  • JSM1N65D 650V 高压 N 沟道功率 MOSFET

    JSM1N65D 650V 高压 N 沟道功率 MOSFET

    在电力电子技术飞速发展的当下,功率 MOSFET 作为电源转换、电机驱动、稳压控制等电路的核心器件,其耐压能力、导通损耗、开关速度与散热性能,直接决定了终端产品的效率、稳定性与使用寿命。面对不间断电源、DC-DC 变换器、小型电机驱动等主流中高压应用场景,市场对高可靠性、低损耗、易量产的功率器件需求持续攀升。今天,杰盛微半导体为大家带来JSM1N65D 650V N 沟道 MOSFET,这款采用成熟垂直双扩散工艺打造的高压功率管,凭借均衡的电气性能、优异的散热设计与严苛的出厂检测,成为中小功率高压电路设计的优质选择,接下来就让我们全方位解锁这款实力派器件。
    2026-06-11 714 关键词: 杰盛微 JSM1N65D MOSFET TO-252
  • 如何在高密度PCB中实现±30kV的ESD防护?基于华轩阳HXY ESDB5V0的实战解析

    如何在高密度PCB中实现±30kV的ESD防护?基于华轩阳HXY ESDB5V0的实战解析

    在紧凑型消费电子设备和便携式仪器的设计中,接口防护往往是一道难题。随着数据传输速率的提升和PCB空间的压缩,工程师需要在不牺牲信号完整性的前提下,为高速数据线提供可靠的静电防护。传统的防护方案往往面临体积过大或寄生电容过高的问题。今天,我们就来深入解读华轩阳电子(HXY)推出的 ESDB5V0,看看这款器件如何在极小的封装下解决这一痛点。
    2026-06-11 723 关键词: ESD防护 ESDB5V0 SOD-523 高密度PCB
  • 15V瞬态抑制:ESD5621W15-2/TR在高速信号保护中的应用解析

    15V瞬态抑制:ESD5621W15-2/TR在高速信号保护中的应用解析

    在现代电子设计中,高速数据接口的静电防护(ESD)始终是一个微妙的平衡艺术。设计师不仅需要应对严苛的IEC 61000-4-2标准,还必须确保保护器件不会因为过大的寄生电容而拖累信号完整性。针对这一痛点,华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的 ESD5621W15-2/TR 提供了一个单向保护的紧凑型解决方案。
    2026-06-11 980 关键词: ESD防护 ESD5621W15-2/TR 15V瞬态抑制 SOD-323
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