企业动态

JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD 单相高低侧同相栅极驱动芯片。它不仅在封装、核心参数上与 IRS21867 高度兼容，更在保护机制、电气特性与设计适配性上实现优化，为工程师提供了高性价比的国产替代新选择。今天，我们就从参数对比、性能优势、设计指南与应用场景四个维度，全面解析这款 “国产强芯”。

2025-08-27 432 关键词：高压栅极驱动芯片 JSM21867STR 国产替代电机驱动应用场景
JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD 单相高低侧同相栅极驱动芯片。它不仅在封装、核心参数上与 IRS21867 高度兼容，更在保护机制、电气特性与设计适配性上实现优化，为工程师提供了高性价比的国产替代新选择。今天，我们就从参数对比、性能优势、设计指南与应用场景四个维度，全面解析这款 “国产强芯”。

2025-08-27 265
电子元器件价格进入低位区间，合科泰MOSFET助力解决工业控制挑战

深圳华强等头部渠道商最新监测数据显示，2025年二季度以来，MOSFET等核心电子元器件价格已进入近三年低位区间，主流型号均价较2023年峰值下降35%-40%，库存周转天数回落至60天以内的健康水平。这一趋势为工业控制企业优化供应链成本、实现国产替代提供了关键窗口期。合科泰MOSFET以“参数精准匹配+供应链可控+成本优化”三重优势，为工业控制企业提供高可靠性的国产替代选项。

2025-08-26 538 关键词：音频功率放大器防削顶失真 AB/D类切换免滤波器过流保护
HT8731 内置自适应H类升压和防破音功能的10WD类及AB类音频功率放大器

HT8731是一款内置自适应H类升压的单声道D类音频功率放大器，由锂电池供电时，THD+N<1%、20-20kHz全频段信号条件下，能连续输出6W功率(4Ω负载);另外，其还支持AB类模式。 HT8731内置的H类升压，提供8.0V最大输出电压。其小音乐信号时不升压,仅当功率较大时，提供一个适应输出功率的电压给D类功放，其可大幅提高系统效率，延长电池续航时间 HT8731的最大特点是防削顶失真(ACF)输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真(破音)，也能自适应地防止在BOOST升压电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。HT8731提供两种不同音乐体验的ACF模式以及ACF-Of 模式。

2025-08-26 447 关键词：音频功率放大器防削顶失真 AB/D类切换免滤波器过流保护
HT81293 18W内置升压单声道D类音频功放

HT81293是一款内置升压的单声道D类音频功率放大器，由锂电池供电时，THD+N=10%,能连续输出18W功率(42负载)。HT81293A内置可动态调节的升压，可以提供一个适应不同输出功率的电压给D类功放，其可大幅提高系统效率，延长电池续航时间。HT81293F则内置固定升压，提供一个固定9V或12V的升压给D类功放。HT81293可配置升压限流值，以防止过大的电流尖峰。

2025-08-26 458 关键词：音频功率放大器防削顶失真升压功能扩频技术过流保护
JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片

在功率电子领域，驱动芯片是连接控制信号与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与稳定性。今天要为大家介绍的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率预驱动芯片 —— 一款专为高压、高速场景设计的 1.5A/250V 三相高同低反逻辑芯片，凭借单芯片集成、宽适配性、强防护等优势，已成为电机控制、逆变器等领域的优选方案。

2025-08-25 394 关键词：功率预驱动芯片 JSM6287 电机控制逆变器驱动性能
JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片

在功率电子领域，驱动芯片是连接控制信号与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与稳定性。今天要为大家介绍的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率预驱动芯片 —— 一款专为高压、高速场景设计的 1.5A/250V 三相高同低反逻辑芯片，凭借单芯片集成、宽适配性、强防护等优势，已成为电机控制、逆变器等领域的优选方案。

2025-08-25 402 关键词：功率预驱动芯片 JSM6287 电机控制逆变器驱动性能
HT6873 6W高保真超低EMI防削顶单声道D类音频功率放大器

HT6873是一款高保真超低EMI的，具有防削顶失真功能的单声道免滤波D类音频功率放大器，在5V电源，10%THD+N，4Q负载条件下输出3.5W高功率，在各类音频终端应用中维持高效率并提供AB类放大器高保真、低噪声的性能。AROC辐射和传导干扰抑制电路使HT6873具有优异的全带宽低辐射性能，在不加辅助滤波设计、输出喇叭线长20cm时的辐射水平远在FCC Part15 Class B 标准之下。

2025-08-25 495 关键词：音频功率放大器 EMI抑制防削顶失真过流保护便携式应用
HT6872 4.7W防削顶单声道D类音频功率放大器

HT6872是一款低EMI的，防削顶失真的，单声道免滤波D类音频功率放大器。在6.5V电源，10%THD+N，4Q负载条件下，输出4.7W功率，在各类音频终端应用中维持高效率并提供AB类放大器的性能。 HT6872的最大特点是防削顶失真(ACF)输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真(破音)，也能自适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的输出削顶,显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。同时芯片具有ACF-Off模式。 HT6872具有独有的电磁辐射(EMI)抑制技术和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅助设计时仍远在FCC Pant15 Class B 标准之下，不仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。 HT6872内部集成免滤波器数字调制技术，能够直接驱动扬声器，并最大程度减小脉冲输出信号的失真和噪音。输出无需滤波网络，极少的外部元器件节省了系统空间和成本，是便携式应用的理想选择此外，HT6872内置的关断功能使待机电流最小化，还集成了输出端过流保护、片内过温保护和电源欠压异常保护等功能。

2025-08-25 545 关键词：音频功率放大器防削顶失真 EMI抑制过流保护便携式应用
HT6881 4.7W防削顶单声道音频功率放大器

HT6881是一款低EMI的，防削顶失真的，单声道免滤波D类音频功率放大器。在6.5V电源，10%THD+N，4Q负载条件下，输出4.7W功率，在各类音频终端应用中维持高效率并提供AB类放大器的性能。 HT6881的最大特点是防削顶失真(ACF)输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真(破音)，也能自适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的输出削顶,显著提高音质，创造非常舒适的听音享受并保护扬声器免受过载损坏。同时芯片具有ACF-Of模式。 HT6881具有独有的电磁辐射(EMI)抑制技术和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅助设计时仍远在FCC Part15 Class B 标准之下，不仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。其还能切换至AB类模式，以彻底消除电磁辐射。 HT6881内部集成免滤波器数字调制技术，能够直接驱动扬声器，并最大程度减小脉冲输出信号的失真和噪音。输出无需滤波网络，极少的外部元器件节省了系统空间和成本，是便携式应用的理想选择。此外，HT6881内置的关断功能使待机电流最小化，还集成了输出端过流保护、片内过温保护和电源欠压异常保护等功能。

2025-08-25 489 关键词：音频功率放大器防削顶失真 EMI抑制 AB类/D类切换过流保护