JSM5N65F 650V N 沟道功率 MOSFET
在电力电子领域，功率 MOSFET 作为电路的核心 “电能开关”，其性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。尤其是高压高频场景下，器件的耐压能力、开关速度、导通损耗及抗干扰能力，都是工程师选型时重点考量的核心指标。面对当下开关电源、有源功率因数校正电路（PFC）等设备小型化、高频化、高效率的发展趋势，一款综合性能优异的高压 MOSFET，能够有效简化电路设计、降低散热压力、提升产品市场竞争力。
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华轩阳电子邀您相约2026慕尼黑上海电子展 | 共探功率器件技术革新与场景赋能
2026年6月15日 —— 在电子产业迈向高频、高效与智能化的今天，功率器件作为系统“心脏”的地位愈发凸显。深圳市华轩阳电子有限公司（以下简称“华轩阳电子”）宣布将盛装亮相electronica China 2026（慕尼黑上海电子展）。作为专注于功率器件解决方案的技术专家，我们将以“技术赋能，场景驱动”为主题，展示在新能源、AI算力、高端制造等领域的最新技术成果与全链路服务能力。诚邀全球合作伙伴莅临我们的展位，共同探索功率半导体的无限可能。 -
肖特基二极管和普通整流二极管怎么选？MDD 辰达半导体一线选型经验分享
做电源、修板子经常碰到这俩：都是二极管，都能整流，长得也像，但价格、性能差不少。 很多人搞不清什么时候用肖特基、什么时候用普通整流管，要么选错了发热炸机，要么花冤枉钱用高端料做低端活。现将它俩的区别，再附上实测型号供您参考了解。 -
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JSM2N65D 650V N 沟道 MOSFET
在电力电子技术飞速发展的今天，高频开关电源、有源功率因数校正电路已经成为工业设备、智能家居、安防、照明等领域的核心组成部分。市场对电源产品的转换效率、运行稳定性、体积尺寸、使用寿命提出了越来越严苛的要求。作为电路中的核心功率器件，高压 MOSFET 的性能直接决定了整台设备的综合表现。杰盛微（JSMSEMI）专注功率半导体研发与生产，深耕中小功率电源赛道多年，凭借成熟的工艺技术与严格的品控体系，持续为行业输送高可靠、高性价比的功率器件。今天为大家全面介绍JSM2N65D这款 650V N 沟道 MOSFET。器件采用行业主流 TO-252 贴片封装，兼顾电气性能、散热能力与量产适配性，是中小功率高压电源、PFC 电路的理想选型方案。 -
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400W峰值脉冲功率下的精密防护：P4SMAxxx(C)A系列TVS二极管深度解析
在嵌入式硬件设计中，接口防护往往是最容易被忽视，却又最致命的环节。特别是在工业通信现场，RS-232、RS-485总线以及各类低频信号线极易遭受静电（ESD）和雷击浪涌的侵袭。一旦防护失效，轻则数据紊乱，重则核心芯片报废。如何在有限的PCB空间内，实现高效且可靠的瞬态电压抑制，是每一位硬件工程师面临的必修课。 -
