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  • JSM741 差动霍尔速度传感器

    JSM741 差动霍尔速度传感器

    在汽车产业电动化、智能化的浪潮下,车载传感器作为车辆的“感知神经”,是保障行车安全、实现智能控制的核心基础。其中,车轮速度传感器作为ABS、ESP、自动变速器等关键系统的核心元器件,需在高低温、强电磁干扰、剧烈振动等严苛车载环境中,持续稳定输出精准的转速数据,技术门槛与可靠性要求极高。杰盛微深耕车载半导体领域,凭借自主研发实力与多年技术沉淀,推出JSM741差动霍尔速度传感器芯片,全面对标TLE4941,在核心性能、技术架构、应用适配等方面实现精准匹配,更结合本土产业需求完成创新升级,以国产芯硬实力为汽车电子行业提供高性能、高可靠性、高性价比的无缝替代解决方案,推动车载核心传感器的国产化替代进程。
    2026-02-05 769 关键词: JSM741 车载传感器 国产化替代
  • 单片机芯片怎么选?从参数到场景,一文读懂选型秘籍!

    单片机芯片怎么选?从参数到场景,一文读懂选型秘籍!

    选单片机,核心是 “需求 - 参数 - 场景” 精准匹配:成本敏感就盯 8 位低价芯片,工业场景优先可靠性,电池供电死磕低功耗。跟着这篇攻略走,从参数到场景全吃透,再也不用为选型发愁!
    2026-02-05 1000 关键词: 单片机芯片 选型 参数 选型步骤
  • IAR携手极海半导体,高效开发全球首款基于Cortex-M52的G32R501实时控制MCU,赋能中国嵌入式创新

    IAR携手极海半导体,高效开发全球首款基于Cortex-M52的G32R501实时控制MCU,赋能中国嵌入式创新

    全球领先的嵌入式开发工具供应商IAR与中国知名MCU供应商极海半导体联合正式宣布,IAR Embedded Workbench for Arm的最新版本现已全面支持极海G32R501系列实时控制MCU。G32R501是全球首款基于Arm® Cortex®-M52处理器双核架构的实时控制MCU,支持Arm Helium™矢量扩展(M-profile Vector Extension, MVE)和极海自研的紫电数学指令扩展单元等创新特性,可广泛适用于新能源光伏、工业自动化、新能源汽车、商业电源等高端应用领域。
  • JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

    JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

    在新能源、工业控制、消费电子等领域飞速发展的当下,功率器件作为电路核心“动力枢纽”,其性能上限直接决定了终端产品的能效、稳定性与使用寿命。杰盛微半导体深耕功率器件研发与制造多年,始终以技术创新为核心驱动力,今日正式推出200V N沟道MOSFET——JSM9N20D。这款凝聚了杰盛微核心技术的产品,凭借快速开关、高可靠性、优异热性能等多重优势,专为开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等关键场景量身打造,为电力电子行业提供高性能、高性价比的解决方案。
    2026-02-04 684 关键词: 功率器件 JSM9N20D 沟道MOSFET
  • 四脚碳化硅HSCH132M120:封装革命、高耐压优势与高压应用全解析

    四脚碳化硅HSCH132M120:封装革命、高耐压优势与高压应用全解析

    随着新能源汽车、光伏储能、工业变频等高压大功率应用的快速增长,传统硅基功率器件在效率、功率密度和温升控制等方面逐渐面临瓶颈。碳化硅作为新一代半导体材料,凭借其更宽的能量带隙、更好的导热性和更高的耐压强度等天然优势,正在改变功率电子行业。 在这一技术变革中,合科泰电子推出了四脚封装的碳化硅MOSFET HSCH132M120(1200V/132A)。该产品以其独特的封装设计、出色的开关性能和可靠的
  • JSM9N20C 200V N 沟道 MOSFET

    JSM9N20C 200V N 沟道 MOSFET

    在电力电子技术日新月异的当下,MOSFET作为承载能量转换与电路控制的核心功率器件,其性能表现直接决定了终端产品的能效水平、运行稳定性与使用寿命。从工业自动化生产线的核心控制单元,到消费电子的高效电源适配器;从新能源领域的小型逆变器,到汽车电子中的电机驱动系统,高压MOSFET的品质与可靠性始终是行业创新发展的关键支撑。
    2026-02-04 721 关键词: 杰盛微半导体 JSM9N20C MOSFET 低阻高效
  • JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET

    JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET

    在新能源、工业控制、汽车电子等领域高速发展的今天,功率半导体器件作为能量转换与电路控制的核心,其性能直接决定了终端设备的能效、可靠性与市场竞争力。杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕功率器件赛道多年,以技术创新为内核,重磅推出JSM9N20F 200V N沟道MOSFET。这款凝聚了杰盛微核心研发实力的旗舰级产品,凭借全维度均衡的性能表现,为多场景电力电子应用提供一站式解决方案,重新定义中高压MOSFET的性能标杆。
    2026-02-04 872 关键词: 沟道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半导体
  • JSM401F 耐高压双极锁存霍尔芯片

    JSM401F 耐高压双极锁存霍尔芯片

    在汽车电子、工业控制、智能硬件等核心领域,霍尔芯片作为“传感核心”,其性能直接决定设备的稳定性、使用寿命与运行精度。长期以来,SS41F凭借成熟的市场应用成为双极锁存霍尔芯片的“参考标杆”,但进口芯片的供货周期波动、成本居高不下等问题,始终困扰着国内制造企业。如今,杰盛微自主研发的JSM401F耐高压双极锁存霍尔芯片横空出世!不仅在核心参数上全面对标SS41F,更在耐高压、抗干扰、温度适配等关键性能上实现突破,以“国产芯”的硬核实力,为行业提供更稳定、高性价比的传感解决方案,重新定义工业级霍尔芯片的性能天花板。
    2026-02-04 849 关键词: JSM401F 霍尔芯片 性能优势 国产替代
  • JSM402H高压双极锁存/高灵敏度霍尔芯片

    JSM402H高压双极锁存/高灵敏度霍尔芯片

    在消费电子、汽车电子与工业控制领域,霍尔传感器作为磁场检测的核心器件,其性能直接决定了终端产品的稳定性与可靠性。提及行业经典型号SS360,其双极锁特性与广泛适配性早已深入人心。
    2026-02-04 640 关键词: 霍尔传感器 JSM402H 霍尔芯片
  • 鼎新破局向致远 聚力同芯创未来|晶科鑫年终总结暨年度盛典圆满礼成

    鼎新破局向致远 聚力同芯创未来|晶科鑫年终总结暨年度盛典圆满礼成

    暖冬时节,盛事如约。1月31日,深圳市晶科鑫实业有限公司 “鼎新破局向致远,聚力同芯创未来” 年度总结大会暨年度盛典,在深圳龙岗天安云谷粤洲宴宴会艺术中心启幕。晶科鑫全体同仁欢聚一堂,回首一年耕耘路,共庆今朝丰收果,也以满腔热忱,为新一年的征程吹响奋进号角。
    2026-02-04 580 关键词: 晶科鑫 年度总结 创新 团结
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