近日,中欣晶圆实现技术突破,顺利拉制出企业首根12英寸重掺砷、重掺硼〈111〉晶棒。本次产出包含N型重掺砷、P型重掺硼两类产品,目标电阻率达到mΩ・cm级低阻区间,能够匹配高端功率器件外延衬底对于低电阻、高均匀性指标要求,进一步完善国产12英寸高端重掺硅片产品体系。
爱集微
2026-08-07
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