MOS管工艺选型指南：平面/沟槽/屏蔽栅/超结技术
MOS管工艺选型的本质是场景与特性的精准匹配：平面工艺以“抗冲击+低成本”守护小家电电源；沟槽工艺用“深槽刻蚀”破解中低压高频损耗难题；屏蔽栅工艺靠“米勒电容降低10倍”实现超高频同步整流；超结工艺通过电荷补偿突破高压场景硅极限。MOS管的正确选型可使BOM成本降低20-30%、效率提升4-6%。
广东合科泰实业有限公司
省级“专精特新”
高新企业
联系人：黄先生
联系电话：13670157820
联系地址：广东省深圳市龙岗区康利城7栋8楼
- 了解企业
-
-
-
合科泰SI2301 MOSFET：精简版选型指南
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封装的P-CHANNEL MOSFET，专为DC-DC转换器与负载开关设计。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸适合高密度PCB布局，通过超低导通电阻、快速开关特性与高可靠性设计，为电子设备提供高效能功率控制解决方案。 该器件平衡性能与成本需求，可直接替代同类150mΩ产品，在保持相同可靠性的同时降低40%导通损耗，特别适合对空间和能效双重敏感 -
国产MOS管HKTD120N04，打破工业应用困局！
对于工业变频器厂家、充电桩企业、电动两三轮车制造商等企业来说，他们在选择电子元器件时面临着不少困扰。进口品牌虽然性能不错，但交期长，常常影响生产进度；高频应用时开关损耗高，导致设备效率低下；散热设计复杂，增加了产品的设计和生产成本。2025-08-27 阅读：180 -
-
-
合科泰HKTG150N03在行车记录仪的应用
行车记录仪已经成为提升道路安全的重要工具。它能够持续记录从日常通勤到高速事故的各种情况，由于安装简便且具备多种优势，行车记录仪在驾驶人群中迅速普及。行车记录仪的作用是视频监控记录、辅助价值、数据存储等等，必须具备较强的适应能力，能够在不同的照明条件下捕捉到清晰、可靠的影像。这对其中的MOS关提出了更高的要求，这款MOS管HKTG150N03具有高耐压、大电流、低导通电阻、快速开关速度的特性 -
-
-
-
MOS管在100W电源以上的半桥式电路应用方案
对于 100W 以上舞台灯光电源的半桥式电路，选用合科泰 HKTD120N04 场效应管，既能满足低压大电流场景需求，又能通过国产替代降低供应链风险，是高性价比的优选方案。 -
合科泰MOS管HKTD5N50：变频器与驱动器的可靠伙伴！
在工业自动化进程中，变频器与驱动器是实现电机精准控制的核心部件，对工业设备的高效运行起着关键作用。而 HKTD5N50 MOS 管，凭借卓越性能，成为变频器与驱动器当之无愧的可靠伙伴。