手持设备ESD老不过？先查这三件事再换TVS
很多时候，遇到ESD出了问题的第一反应往往是芯片被打坏了。但手持设备的ESD故障很多时候都是干扰，而非打穿。在MCY运行着各种中断的场景中，触摸屏在采样，蓝牙也在通信。这时候，ESD能量从USB口或者外壳分析耦合进来，只需要信号线上的一串毛刺，就可以让MCU的中断控制器被反复出发，这直接导致了堆栈溢出、程序跑飞，最终整体死机。
广东合科泰实业有限公司
省级“专精特新”
高新企业
联系人：黄先生
联系电话：13670157820
联系地址：广东省深圳市龙岗区康利城7栋8楼
- 了解企业
-
-
什么类型的MOS管在撑起消费电子市场？
最近热门MOS管被反复搜索，比如AO3400A这一款中低压的30V NMOS管，它是常见的SOT-23封装。单看这个规格参数并不是很突出，但是它正好卡在了消费电子的活跃节点，12V到30V电源管理节点。消费电子中手机、TWS耳机、PD充电器、移动电源等产品，它的内部有很多的负载开关和电路保护，这些应用所需的MOS管中，AO3400A这类器件就是主力。 -
UPS PFC效率卡在95%？先把Boost二极管的损耗账算清楚
开关频率拉到65kHz甚至100kHz，功率器件换了又换，效率却始终在94%到95%之间徘徊。这是不少UPS工程师都遇到过的困惑。问题很可能不在主开关管，而在于PFC级的Boost二极管。 每次MOSFET关断时，二极管从正向导通切换到反向截止。硅快恢复二极管（FRD）在这个过程中会产生一个反向恢复电流尖峰，这笔能量损耗会随频率增长而被放大。因此，Boost二极管的高频损耗是UPS高频化设计中的一个隐性瓶颈。 相比之下，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用肖特基结结构，没有少数载流子的存储效应，反向恢复电荷趋近于零。在PFC这类高频开关拓扑中，两类器件的表现差距会明显拉开。接下来，我们基于规格书参数，算清楚用SiC二极管替换硅FRD在UPS PFC典型工况下的损耗差异。 -
阈值电压VGS(th)的常见误读：刚开启并不等于正常工作？
阈值电压是MOSFET刚刚开启的临界电压，并非正常工作的条件。规格书中导通电阻所标注的栅极电压，才是你应该提供的驱动电压。当栅极电压仅比阈值电压高1到2伏时，导通电阻可能恶化33%甚至数倍。高压MOSFET必须使用10V驱动，不能省略驱动电路。在低压逻辑驱动的场合，应选择规格书中明确给出4.5V下导通电阻数据的型号。不要因为节省几毛钱的驱动电路，而导致整个方案的可靠性下降。 -
-
SiC MOS管直接替换硅MOS，为什么一上电就发烫？
很多人以为碳化硅MOS管和硅MOS管差不多，毕竟结构一样，好像只是“材料升级”了。觉得只要把硅MOS管直接替换成碳化硅MOS就行，电路哪怕原封不动性能也能提升，结果一上电发现器件比原来还烫。实际上，碳化硅MOS管对驱动电压的要求完全不同，如果用硅MOS管的逻辑去驱动，很可能反而导致效率变差了，甚至到损伤器件的程度。这不是碳化硅的问题，是没给它配对驱动电压。 -
消费电子领域替换：为什么说碳化硅替换硅器件正当时？
碳化硅替换传统硅基功率器件，已经不是一种趋势，而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用，还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多，超出了预期。合科泰不仅深耕功率器件多年，还重点主推碳化硅产品线，由此通过碳化硅材料的六大优势和应用系统成本，说明为什么现在是碳化硅替换硅器件的重要时期。 -
-
连续大电流应用中TOLL4封装MOSFET的选型，多数人栽在功率额定值上
在MOSFET选型时，不少工程师只看电流和电压参数就决定下单，结果产品在实际运行中要么触发过热保护，要么直接炸机。导致过热和炸机的一个重要原因，往往出在功率额定值（PD）这个参数上。因此，理解PD值的真实含义，是避免选型失误的关键第一步。 -
-
-
