合科泰 MOS 管：以优化策略提升开关速度与电路效率
在开关电源、电机驱动和新能源逆变器等应用中，MOS管的开关速度和电路效率直接影响整体性能和能耗。而MOS管的开关速度与电路效率，它们之间有着怎样的关联，合科泰又是如何通过多项技术创新对MOS管进行优化的呢？提升MOS管的这两个关键指标，助力工程师实现更高能效的设计。
广东合科泰实业有限公司
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二极管的反向恢复时间：原理、影响及合科泰解决方案
在开关电源、高频整流和逆变器等电路中，二极管的反向恢复时间直接关系到系统效率、EMI表现甚至可靠性。合科泰通过芯片设计与工艺创新，为市场提供了反向恢复时间性能优异的二极管产品。那么，什么是二极管的反向恢复时间？它会产生哪些影响？合科泰又是如何应对这一问题的呢？2025-09-17 阅读：147 -
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解决VBUS开关难题，P沟道MOSFET来助力
在电子工程领域，VBUS开关的性能对于电子设备的稳定运行至关重要。很多中层管理者在实际工作中，常常会遇到VBUS开关方面的各种问题，今天就来和大家深入探讨这些问题，并介绍一款能有效解决问题的产品——HKTQ30P03P沟道MOSFET。 -
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合科泰MOS管HKTD120N04，工业变频器的理想之选
工业变频器核心元件的国产化替代已成为制造业降本增效的关键。进口MOS管普遍面临三大痛点：交期长达3-6个月导致生产停滞、高频开关损耗降低设备效率、复杂散热设计推高成本。合科泰HKTD120N04作为国产替代方案，以低导通电阻、快速交付与工业级可靠性，为变频器厂商提供理想选择。 -
