深圳辰达半导体有限公司

多颗二极管并联或串联时，电流/电压均分是否均衡？

在高频电路设计中，半导体器件的寄生参数往往比静态指标更为关键。高压二极管或开关二极管在 datasheet 中，通常会标注一个结电容（Cj）参数。很多客户在初期选型时容易忽略它，只关注耐压、正向电流和反向恢复时间。但在实际的高频应用中，结电容却可能直接决定电路的速度和信号完整性。MDD辰达半导体在本文将结合物理机理和应用案例，从 FAE 角度进行分析。

2025-09-18 阅读：300 关键词：高频电路设计半导体器件结电容信号完整性低结电容二极管辰达半导体

高压二极管应用中，是否有足够铜箔/散热片，结温是否接近极限？

在半导体器件的可靠性设计中，温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS 管还是高压二极管，其寿命与结温（Tj）有着直接关系。客户常常会问：我的电路中参数都选对了，为什么二极管仍然失效？作为 MDD辰达半导体 FAE，我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热，器件结温是否已经接近极限。

2025-09-17 阅读：303

MDD开关二极管的合理 PCB 布局

MDD辰达半导体的开关二极管广泛应用于电源电路、射频（RF）电路和高速信号处理等领域，其主要作用是快速导通和关断，以保证电路的正常运作。然而，开关二极管的性能不仅仅依赖于选型，还与 PCB 布局密切相关。合理的 PCB 布局能有效减小寄生电感和电容，避免信号干扰，提升开关效率和可靠性。作为 FAE，我们需要帮助客户优化布局设计，以提高电路的整体性能。

2025-09-11 阅读：334 关键词： MDD辰达半导体开关二极管 PCB布局寄生电感寄生电容

为什么开关二极管速度不够快？

在电子电路设计中，二极管不仅用作整流和限幅，还常常作为开关元件应用在高频和高速电路里。此类二极管被称为开关二极管。它们的核心特性是能够快速完成导通与关断，从而不影响电路的工作速度。然而，在实际应用中，工程师常常发现：二极管在电路中表现出开关速度不够快的问题，导致波形畸变、效率下降甚至逻辑错误。这一现象的背后有多方面的原因。

2025-09-10 阅读：345 关键词：开关二极管开关速度反向恢复时间结电容二极管选型

MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗？

在电子产品设计中，MDD辰达半导体的静电二极管是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时，往往会首先关注器件的 ESD 等级，例如标称可承受 ±8kV 接触放电或 ±15kV 空气放电。似乎只要电压等级够高，器件就能满足应用需求。然而，实际项目中我们经常发现：即使标称等级很高的 ESD 管，在实际应用中仍可能失效，导致接口芯片损坏。这说明，仅仅依赖“静电电压等级”来选型是不够的。

2025-09-04 阅读：484 关键词：静电二极管选型 ESD电压等级局限关键参数选型思路电子产品接口防护

为什么 ESD 测试能过，但实际应用还是被击坏？

在电子产品的开发过程中，静电放电（ESD）测试往往是 EMC 测试中的重要环节之一。很多客户反馈：样机在实验室中按照 IEC 61000-4-2 标准进行 ESD 测试能够顺利通过，但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚至整机死机的情况。这种现象让工程师感到困惑：既然实验室已经验证通过，为什么实际环境中仍会被静电或浪涌击坏？

2025-09-03 阅读：508 关键词： ESD测试实际环境差异浪涌防护器件选型 PCB布局

MDD稳压二极管开路失效问题解析

MDD稳压二极管（Zener Diode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问题。其中，开路失效是一种较为典型的失效模式，对电路功能影响很大。作为FAE，在现场支持客户时，常常需要针对这种现象进行分析和解答。

2025-08-28 阅读：168 关键词： MDD 稳压二极管稳压管开路失效预防开路失效稳压电路

稳压二极管为什么电压不稳？

MDD辰达半导体的稳压二极管（Zener Diode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是像教科书里描述的那样稳定：有时电压偏高，有时偏低，甚至随负载和温度变化而波动。那么，造成稳压二极管电压不稳的原因究竟有哪些呢？

2025-08-27 阅读：254

浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？

MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭受浪涌冲击，TVS的参数会不会发生漂移？它还能保持原有的防护性能吗？

2025-08-22 阅读：193 关键词： TVS 参数漂移浪涌冲击防护性能应对策略

MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析

在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性，导致实际防护效果与预期差距较大，甚至引发器件失效或系统不稳定。下面是TVS选型不清楚的典型问题。

2025-08-21 阅读：363 关键词： TVS选型工作电压浪涌能力封装参数可靠性

并联MOSFET设计指南：均流、寄生参数与热平衡

在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并联MOSFET的性能。

2025-07-04 阅读：4090 关键词： MOSFET并联均流设计寄生参数热平衡性能优化

在功率器件的参数表中，我们常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二极管的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很多工程师会忽略这一特性。实际上，在高压、大电流、感性负载场景下，SBD 也可能面临雪崩冲击，如果忽视这一点，轻则效率下降，重则器件击穿失效。

2025-08-14 阅读：277 关键词：肖特基二极管雪崩耐量功率器件电路设计可靠性