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深圳辰达半导体有限公司

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  • MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案

    MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案

    在现代电子系统中,MDD辰达半导体 逻辑IC(集成电路)扮演着至关重要的角色,广泛应用于数据处理、时序控制、信号转换等各类电路中。随着技术的进步,不同逻辑系列的IC(如TTL、CMOS、BiCMOS等)不断被引入市场,它们具有各自的优势,但也带来了逻辑电平不兼容的问题,尤其是在多个不同类型的逻辑IC互联时,电平不匹配的问题显得尤为突出。作为FAE,帮助客户理解并解决这些问题,是保证系统稳定性和可靠性的关键。
  • MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略

    MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略

    随着数字电路设计的复杂度不断提升,功耗管理成为了系统设计中不可忽视的重要议题。尤其是在移动设备、消费电子、嵌入式系统等领域,如何降低功耗以提高能源效率和延长电池寿命,已成为设计过程中关键的考虑因素之一。对于MDD辰达半导体 逻辑IC(集成电路)而言,合理的功耗管理不仅能提升系统性能,还能有效延长设备的使用寿命。因此,作为FAE,在客户的设计过程中,协助优化功耗管理是一项重要任务。
  • 感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案

    感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案

    在各种电源、电机控制、继电器驱动及工业控制系统中,普通整流二极管常被用于抑制感性负载的反向电动势,保护驱动电路安全。然而,很多工程师在实际设计中只关注“电流够不够、耐压够不够”,忽视了电路动态特性、器件响应时间及散热问题,导致整流二极管出现发热、损坏或保护失效等问题。本文将从FAE角度,结合典型案例,分析感性负载应用中整流二极管常见问题及优化建议。
    2025-11-03 阅读:103 关键词: 感性负载 整流二极管 反向电压尖峰 二极管过热
  • MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

    MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

    在功率电子系统中,MOSFET 以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而,FAE在现场调试和失效分析中发现,栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制端,虽然不直接承载大电流,但其电压的稳定性却直接决定了MOS的导通状态与系统安全。任何一次“栅极失控”,都可能导致器件击穿、短路甚至整机损坏。
  • 多颗MOS并联时热分布不均,导致个别器件过热失效的原因与对策

    多颗MOS并联时热分布不均,导致个别器件过热失效的原因与对策

    在高功率应用中,为了分担电流、降低损耗,工程师往往会将多颗MOSFET并联使用。例如在DC-DC电源、马达驱动或逆变器电路中,通过并联MOS实现更大的电流承载能力与更低的导通阻抗。然而,MDD FAE在现场常遇到这样的问题:虽然设计理论上电流均分,但实测发现某颗MOS温度明显偏高,最终提前热失效。这种“热分布不均”的现象是并联设计中最常见、也最容易被忽视的隐患之一。
  • MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案

    MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案

    MDD辰达半导体 桥堆(Bridge Rectifier)是电源电路中最基础也是最关键的整流器件,它负责将交流电(AC)转换为直流电(DC),为后级电路提供稳定的电源。然而在长期的客户应用中,FAE 常常接到反馈:电源输出异常、波形畸变或设备无法启动。经排查后发现,根本原因多是桥堆出现了开路失效或单向导通的问题。这类故障虽然常见,但诊断难度较大,若处理不当可能导致整机电源系统反复损坏。
  • MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案

    MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案

    在电源电路中,桥堆(Bridge Rectifier)是将交流电(AC)转换为直流电(DC)的关键器件。它由四个二极管组成,按特定结构连接成全波整流电路,输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而,在现场应用中,工程师常会遇到桥堆整流输出电压异常、波形畸变或不稳定等问题。这类现象不仅影响电源效率,还可能导致后级电路异常甚至损坏。作为 MDD辰达半导体的 FAE,我们需要从器件特性、电路设计、负载匹配等多个角度分析原因并提出对策。
    2025-10-15 阅读:495 关键词: MDD桥堆 整流输出异常 FAE设计建议 桥堆整流
  • 三极管漏电流偏大问题解析与解决方案

    三极管漏电流偏大问题解析与解决方案

    在电子电路应用中,MDD辰达半导体 三极管 作为常见的基础器件,被广泛用于放大与开关控制。然而,工程师在测试与使用中,经常会遇到一个典型现象:三极管的漏电流(主要指反向漏电流 I_CBO、I_CEO)偏大。这种现象轻则带来电路功耗上升、静态电压漂移,重则导致器件发热、失效甚至影响系统稳定性。作为 FAE,我们需要帮助客户理解其原因并提供优化建议。
  • 三极管 PCB 布局问题与优化建议

    三极管 PCB 布局问题与优化建议

    MDD辰达半导体 三极管 在电子电路中广泛应用于放大、开关、调制等场合。虽然器件本身的性能参数很重要,但在实际应用中,PCB 布局往往直接决定了电路的稳定性、速度以及可靠性。很多工程师在调试时会发现:同样的三极管,换一个 PCB 布局,性能差异竟然非常大。这说明三极管的 PCB 布局问题不容忽视。下面结合常见问题和优化经验进行分析。
  • 多颗二极管并联或串联时,电流/电压均分是否均衡?

    多颗二极管并联或串联时,电流/电压均分是否均衡?

    在高频电路设计中,半导体器件的寄生参数往往比静态指标更为关键。高压二极管或开关二极管在 datasheet 中,通常会标注一个 结电容(Cj) 参数。很多客户在初期选型时容易忽略它,只关注耐压、正向电流和反向恢复时间。但在实际的高频应用中,结电容却可能直接决定电路的速度和信号完整性。MDD辰达半导体 在本文将结合物理机理和应用案例,从 FAE 角度进行分析。
  • 高压二极管应用中,是否有足够铜箔/散热片,结温是否接近极限?

    高压二极管应用中,是否有足够铜箔/散热片,结温是否接近极限?

    在半导体器件的可靠性设计中,温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS 管还是高压二极管,其寿命与结温(Tj)有着直接关系。客户常常会问:我的电路中参数都选对了,为什么二极管仍然失效?作为 MDD辰达半导体 FAE,我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热,器件结温是否已经接近极限。
    2025-09-17 阅读:454
  • MDD开关二极管的合理 PCB 布局

    MDD开关二极管的合理 PCB 布局

    MDD辰达半导体 的 开关二极管 广泛应用于电源电路、射频(RF)电路和高速信号处理等领域,其主要作用是快速导通和关断,以保证电路的正常运作。然而,开关二极管的性能不仅仅依赖于选型,还与 PCB 布局密切相关。合理的 PCB 布局能有效减小寄生电感和电容,避免信号干扰,提升开关效率和可靠性。作为 FAE,我们需要帮助客户优化布局设计,以提高电路的整体性能。
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