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深圳辰达半导体有限公司

省级“专精特新”

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  • 二极管故障的最明显现象与诊断方法

    二极管故障的最明显现象与诊断方法

    二极管作为最基础的电子元器件之一,广泛应用于整流、限压、保护等电路中。其主要作用是: 单向导电:只允许电流通过一个方向。 整流作用:将交流电转换为直流电。 保护作用:如 TVS 二极管、ESD 管等,保护电路不受瞬时电压冲击的影响。 然而,二极管作为消耗品,长期使用中可能会发生故障。了解其故障的明显现象,可以帮助工程师快速识别问题,并采取相应的修复措施
    2026-02-02 阅读:75 关键词: 二极管 故障现象 导通电压异常 短路失效
  • 哪些应用环境最容易导致 ESD 管短路失效?——从失效机理到工程对策

    哪些应用环境最容易导致 ESD 管短路失效?——从失效机理到工程对策

    在实际项目中,FAE 经常遇到这样的问题: ESD 测试通过、产品初期正常,但现场使用一段时间后,ESD 管直接短路,信号线被拉死。 很多工程师第一反应是“器件质量问题”,但从失效分析结果来看,80% 以上与应用环境密切相关,而非单纯的器件缺陷。
    2026-01-27 阅读:221 关键词: ESD管短路 ESD管 短路
  • 优化三极管驱动设计与上升沿性能提升

    优化三极管驱动设计与上升沿性能提升

    三极管作为基础的分立器件,在各种控制、放大和开关电路中都有广泛应用。然而,在驱动负载或级联其它器件(如 MOSFET、继电器等)时,经常会遇到 上升沿缓慢、波形畸变、导通不及时 等问题,这些问题不仅影响电路性能,还会增加功率损耗、EMI 干扰及热应力。 在实际工程应用中,如何利用优质分立器件(如 MDD的 MOSFET、三极管、小信号器件等)改善驱动性能,是提高系统稳定性、效率与可靠性的关键设计思路。
    2026-01-26 阅读:292 关键词: 三极管
  • 告别充电难题,MDD 辰达半导体针对清洁电器推出分立器件解决方案

    告别充电难题,MDD 辰达半导体针对清洁电器推出分立器件解决方案

    随着生活水平的提高和智能家居概念的深入人心,清洁家电正以前所未有的速度走进千家万户。据统计,全球智能扫地机器人市场规模已超过百亿美元,在这一快速发展的市场中,产品的可靠性、安全性和智能化水平已成为消费者选择的关键因素。
    2026-01-14 阅读:840 关键词: 清洁家电 扫地机器人 智能化充电
  • 散热设计不良为何会导致 MOSFET 过热失效?

    散热设计不良为何会导致 MOSFET 过热失效?

    在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中,MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中,MOSFET 本身参数选型并不低,但仍然频繁烧毁,最终溯源发现,根本原因并非器件质量,而是散热设计不良。 散热问题往往是“隐性故障”,短期测试可能正常,但在长期运行或高温环境下极易暴露。
    2026-01-12 阅读:611 关键词: MOSFET过热失效 MOSFET 辰达半导体
  • 二极管导通电压过高对效率的影响及优化方案

    二极管导通电压过高对效率的影响及优化方案

    在现代电子电路中,二极管被广泛应用于整流、电源管理、保护电路等领域。二极管的导通电压(V_f)是其一个重要参数,它决定了电流通过二极管时的电压降。如果二极管的导通电压过高,它将直接影响电路的效率,尤其在电源设计和电能转换应用中,功率损失和效率的损害尤为显著。本文MDD辰达半导体将探讨二极管导通电压过高对电路效率的影响,并提出优化解决方案,以提高电路的性能。
    2026-01-05 阅读:667 关键词: 二极管导通电压 二极管 低V_f二极管 MOSFET替代
  • MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

    MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

    MOSFET(场效应晶体管)广泛应用于现代电子电路,特别是在高效电力电子和开关电源设计中。其高速开关特性使其在很多高频应用中成为理想的选择。然而,在某些应用中,由于MOSFET开关速度不足,可能导致功率损失增大,进而影响整个电路的效率和性能。本文MDD辰达半导体将探讨MOSFET开关速度不足导致功率损失的原因,并提供解决方案,以提高系统的性能和效率。
    2026-01-04 阅读:685 关键词: MOSFET 开关速度 功率损失 栅极驱动 门电荷 散热设计
  • MDD保护器件在应用中的效果及常见问题与解决方案

    MDD保护器件在应用中的效果及常见问题与解决方案

    保护器件在现代电子产品中扮演着重要角色,尤其是在汽车电子、通信设备、消费电子及工业控制系统中。它们的主要作用是防止电路组件遭受过电压、过电流、瞬态干扰、静电放电等异常情况的损害,从而延长系统的使用寿命,提升系统的可靠性和安全性。本文MDD辰达半导体将深入探讨保护器件的工作原理、应用效果,以及常见问题和解决方案。
  • 汽车电子中的分立器件应用与选择指南:如何提高可靠性与性能

    汽车电子中的分立器件应用与选择指南:如何提高可靠性与性能

    随着汽车行业的迅猛发展,尤其是电动汽车(EV)和自动驾驶技术的兴起,汽车电子系统变得更加复杂和多样化。在这些系统中,分立器件是实现高效、稳定、可靠功能的核心组成部分。本文 MDD辰达半导体 将详细探讨分立器件在汽车电子中的应用,并介绍如何通过合理选择这些器件提高整体系统的性能和可靠性。
    2025-12-22 阅读:752 关键词: 汽车电子 分立器件 TVS二极管 MOSFET IGBT 可靠性
  • 关于0.42mΩ超低导通电阻MOSFET的市场应用与挑战

    关于0.42mΩ超低导通电阻MOSFET的市场应用与挑战

    在电源管理系统和高效电池管理系统(BMS)设计中,MOSFET作为开关元件,扮演着重要角色。由于其导通电阻直接影响到电路效率、功率损耗和热量产生,因此低导通电阻的MOSFET成为越来越多高效系统设计的优选。然而,在实际市场中,是否真的存在0.42mΩ的超低导通电阻MOSFET?本文MDD将探讨这种超低导通电阻MOSFET的市场应用、优势及其面临的挑战。
    2025-12-16 阅读:562 关键词: MOSFET 超低导通电阻 技术挑战 市场应用 成本与性能
  • BMS设计中如何选择MOSFET——关键考虑因素与最佳实践

    BMS设计中如何选择MOSFET——关键考虑因素与最佳实践

    在电池管理系统(BMS)设计中,辰达半导体 MOSFET作为开关元件,负责电池充放电、均衡、过流保护和温度控制等功能的实现。MOSFET的性能直接影响系统的效率、可靠性和安全性。因此,在选择MOSFET时需要综合考虑多个因素,以确保其满足BMS的高效和稳定运行要求。本文将介绍在BMS设计过程中选择MDD的MOSFET时需要重点关注的关键因素和最佳实践。
    2025-12-15 阅读:563 关键词: BMS设计 MOSFET 关键参数 选择实践 热管理
  • 如何判断MDDESD二极管的热失效与修复

    如何判断MDDESD二极管的热失效与修复

    MDD辰达半导体ESD二极管的热失效通常与其长时间在过电流和高温环境中工作相关。在过电压、过电流的脉冲作用下,二极管的温度可能迅速升高,超过其最大工作温度,从而导致热失效。这不仅会导致二极管的性能下降,还可能导致二极管的永久性损坏。为了确保电路的可靠性,MDDFAE工程师需要掌握如何快速诊断ESD二极管的热失效并采取相应的修复措施。
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