深圳辰达半导体有限公司

为什么 ESD 测试能过，但实际应用还是被击坏？

在电子产品的开发过程中，静电放电（ESD）测试往往是 EMC 测试中的重要环节之一。很多客户反馈：样机在实验室中按照 IEC 61000-4-2 标准进行 ESD 测试能够顺利通过，但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚至整机死机的情况。这种现象让工程师感到困惑：既然实验室已经验证通过，为什么实际环境中仍会被静电或浪涌击坏？

2025-09-03 阅读：871 关键词： ESD测试实际环境差异浪涌防护器件选型 PCB布局

MDD稳压二极管开路失效问题解析

MDD稳压二极管（Zener Diode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问题。其中，开路失效是一种较为典型的失效模式，对电路功能影响很大。作为FAE，在现场支持客户时，常常需要针对这种现象进行分析和解答。

2025-08-28 阅读：623 关键词： MDD 稳压二极管稳压管开路失效预防开路失效稳压电路

稳压二极管为什么电压不稳？

MDD辰达半导体的稳压二极管（Zener Diode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是像教科书里描述的那样稳定：有时电压偏高，有时偏低，甚至随负载和温度变化而波动。那么，造成稳压二极管电压不稳的原因究竟有哪些呢？

2025-08-27 阅读：536

浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？

MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭受浪涌冲击，TVS的参数会不会发生漂移？它还能保持原有的防护性能吗？

2025-08-22 阅读：487 关键词： TVS 参数漂移浪涌冲击防护性能应对策略

MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析

在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性，导致实际防护效果与预期差距较大，甚至引发器件失效或系统不稳定。下面是TVS选型不清楚的典型问题。

2025-08-21 阅读：595 关键词： TVS选型工作电压浪涌能力封装参数可靠性

并联MOSFET设计指南：均流、寄生参数与热平衡

在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并联MOSFET的性能。

2025-07-04 阅读：6187 关键词： MOSFET并联均流设计寄生参数热平衡性能优化

在功率器件的参数表中，我们常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二极管的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很多工程师会忽略这一特性。实际上，在高压、大电流、感性负载场景下，SBD 也可能面临雪崩冲击，如果忽视这一点，轻则效率下降，重则器件击穿失效。

2025-08-14 阅读：683 关键词：肖特基二极管雪崩耐量功率器件电路设计可靠性