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深圳辰达半导体有限公司

省级“专精特新”

联系人：贺小姐

联系电话：18926067185

联系地址：广东省深圳市龙华区民塘路328号鸿荣源北站中心B座13楼

  • MDD开关二极管的合理 PCB 布局

    MDD开关二极管的合理 PCB 布局

    MDD辰达半导体 的 开关二极管 广泛应用于电源电路、射频（RF）电路和高速信号处理等领域，其主要作用是快速导通和关断，以保证电路的正常运作。然而，开关二极管的性能不仅仅依赖于选型，还与 PCB 布局密切相关。合理的 PCB 布局能有效减小寄生电感和电容，避免信号干扰，提升开关效率和可靠性。作为 FAE，我们需要帮助客户优化布局设计，以提高电路的整体性能。
    2025-09-11 阅读：1310 关键词： MDD辰达半导体 开关二极管 PCB布局 寄生电感 寄生电容
  • 为什么开关二极管速度不够快？

    为什么开关二极管速度不够快？

    在电子电路设计中，二极管不仅用作整流和限幅，还常常作为开关元件应用在高频和高速电路里。此类二极管被称为 开关二极管。它们的核心特性是能够快速完成导通与关断，从而不影响电路的工作速度。然而，在实际应用中，工程师常常发现：二极管在电路中表现出 开关速度不够快 的问题，导致波形畸变、效率下降甚至逻辑错误。这一现象的背后有多方面的原因。
    2025-09-10 阅读：1189 关键词： 开关二极管 开关速度 反向恢复时间 结电容 二极管选型
  • MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗？

    MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗？

    在电子产品设计中，MDD辰达半导体的静电二极管 是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时，往往会首先关注器件的 ESD 等级，例如标称可承受 ±8kV 接触放电或 ±15kV 空气放电。似乎只要电压等级够高，器件就能满足应用需求。然而，实际项目中我们经常发现：即使标称等级很高的 ESD 管，在实际应用中仍可能失效，导致接口芯片损坏。这说明，仅仅依赖“静电电压等级”来选型是不够的。
    2025-09-04 阅读：1284 关键词： 静电二极管选型 ESD电压等级局限 关键参数 选型思路 电子产品接口防护
  • 为什么 ESD 测试能过，但实际应用还是被击坏？

    为什么 ESD 测试能过，但实际应用还是被击坏？

    在电子产品的开发过程中，静电放电（ESD）测试往往是 EMC 测试中的重要环节之一。很多客户反馈：样机在实验室中按照 IEC 61000-4-2 标准进行 ESD 测试能够顺利通过，但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚至整机死机的情况。这种现象让工程师感到困惑：既然实验室已经验证通过，为什么实际环境中仍会被静电或浪涌击坏？
    2025-09-03 阅读：1155 关键词： ESD测试 实际环境差异 浪涌防护 器件选型 PCB布局
  • MDD稳压二极管开路失效问题解析

    MDD稳压二极管开路失效问题解析

    MDD稳压二极管（Zener Diode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问题。其中，开路失效是一种较为典型的失效模式，对电路功能影响很大。作为FAE，在现场支持客户时，常常需要针对这种现象进行分析和解答。
    2025-08-28 阅读：983 关键词： MDD 稳压二极管 稳压管开路 失效预防 开路失效 稳压电路
  • 稳压二极管为什么电压不稳？

    稳压二极管为什么电压不稳？

    MDD辰达半导体的稳压二极管（Zener Diode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是像教科书里描述的那样稳定：有时电压偏高，有时偏低，甚至随负载和温度变化而波动。那么，造成稳压二极管电压不稳的原因究竟有哪些呢？
    2025-08-27 阅读：722
  • 浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？

    浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？

    MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭受浪涌冲击，TVS的参数会不会发生漂移？它还能保持原有的防护性能吗？
    2025-08-22 阅读：794 关键词： TVS 参数漂移 浪涌冲击 防护性能 应对策略
  • MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析

    MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析

    在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性，导致实际防护效果与预期差距较大，甚至引发器件失效或系统不稳定。下面是TVS选型不清楚的典型问题。
    2025-08-21 阅读：1005 关键词： TVS选型 工作电压 浪涌能力 封装参数 可靠性
  • 并联MOSFET设计指南：均流、寄生参数与热平衡

    并联MOSFET设计指南：均流、寄生参数与热平衡

    在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并联MOSFET的性能。
    2025-07-04 阅读：6691 关键词： MOSFET并联 均流设计 寄生参数 热平衡 性能优化
  • MDD肖特基二极管的雪崩耐量及其工程意义

    MDD肖特基二极管的雪崩耐量及其工程意义

    在功率器件的参数表中，我们常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二极管 的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很多工程师会忽略这一特性。实际上，在高压、大电流、感性负载场景下，SBD 也可能面临雪崩冲击，如果忽视这一点，轻则效率下降，重则器件击穿失效。
    2025-08-14 阅读：1023 关键词： 肖特基二极管 雪崩耐量 功率器件 电路设计 可靠性
  • MDD肖特基二极管在光伏与车载 OBC 的应用场景及案例

    MDD肖特基二极管在光伏与车载 OBC 的应用场景及案例

    MDD肖特基二极管 因其低​正向压降（VF）、无明显反向恢复时间（trr）和高频特性，在高效率电源领域有着不可替代的作用。随着新能源产业的高速发展，光伏发电系统与车载 OBC（On-board Charger，车载充电机）对功率器件提出了更高的效率、耐温和可靠性要求。作为FAE，在项目支持中我们发现，SBD在这两类应用中虽场景不同，但核心需求高度一致：降低功耗、提升效率、提高长期可靠性。
    2025-08-13 阅读：1141 关键词： 肖特基二极管 光伏应用 车载OBC 选型建议 效率提升
  • MDD肖特基二极管在光伏与车载 OBC 的应用场景及案例

    MDD肖特基二极管在光伏与车载 OBC 的应用场景及案例

    MDD肖特基二极管 因其低​正向压降（VF）、无明显反向恢复时间（trr）和高频特性，在高效率电源领域有着不可替代的作用。随着新能源产业的高速发展，光伏发电系统与车载 OBC（On-board Charger，车载充电机）对功率器件提出了更高的效率、耐温和可靠性要求。作为FAE，在项目支持中我们发现，SBD在这两类应用中虽场景不同，但核心需求高度一致：降低功耗、提升效率、提高长期可靠性。
    2025-08-13 阅读：1112 关键词： 肖特基二极管 光伏应用 车载OBC 选型建议 效率提升
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