全球首家！英飞凌在奥地利菲拉赫工厂实现全球首款300 mm碳化硅晶圆功能性功率器件

近日，英飞凌科技股份公司宣布，已在奥地利菲拉赫工厂成功将300 mm碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一创新里程碑的企业。英飞凌也在11月10日慕尼黑开幕的electronica 2026展会上，首次向公众展示了首片完成加工的300 mm碳化硅晶圆。

300 mm单片晶圆芯片产出可达200 mm的2.3倍

碳化硅是实现高效电能转换的关键半导体材料：凭借优异的材料特性，它能实现更低的功率损耗、更高的功率密度，并可在高电压和高温环境下高效运行，广泛应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电桩、大型储能系统、工业传动装置以及不间断电源等领域——AI数据中心对碳化硅的需求也在不断增长，应用正进一步拓展至固态变压器、固态断路器与供电单元。

300 mm碳化硅晶圆：相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的单片晶圆芯片产出数量可达前者的2.3倍

与200 mm晶圆相比，300 mm晶圆的芯片生产技术更先进，生产效率也大幅提升：得益于更大的晶圆直径，单片晶圆的芯片生产数量可达200 mm晶圆的2.3倍。但要让300 mm碳化硅从实验室走向规模化生产并不容易——英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck在贺词中特别提到，正是团队"不懈努力，在推动300 mm碳化硅技术从实验室迈向规模化生产方面取得了重大进展"。

英飞凌科技股份公司首席执行官 Jochen Hanebeck 与300 mm碳化硅晶圆、300 mm超薄硅晶圆与300 mm氮化镓晶圆合影

英飞凌怎么突破的？用现有硅设备造碳化硅，还攻克了"冷切割"

此次突破的关键在于：该成果利用英飞凌现有硅制造设备得以实现——这意味着无需从零新建产线，为300 mm碳化硅的工艺可行性提供了现实路径。与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂成功验证了冷切割（Cold Split）技术用于300 mm碳化硅晶圆的可行性：相较于传统的线锯切割工艺，冷切割技术可从碳化硅晶锭中分离出晶圆，不仅减少材料损耗，还可大幅缩短加工时间，从而以更低的资本支出从同一晶锭中获取更多晶圆。

英飞凌表示，将与客户及合作伙伴紧密协作，规划300 mm碳化硅的技术路线与产能爬坡节奏，同时持续推进现有200 mm碳化硅制造路线图——两条路线并行，目标是提供兼具成本效益和稳定供货的先进碳化硅功率技术。

至此，英飞凌已掌握全部三种半导体相关材料的300 mm晶圆技术：硅、碳化硅和氮化镓。就在2026年10月27日，英飞凌刚刚宣布投资约11亿欧元，在菲拉赫建设一座采用300 mm晶圆技术生产氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产基地；此次碳化硅领域的成果，将这一模式拓展至第二种宽禁带材料。

英飞凌现已掌握全部三种材料的300 mm晶圆技术：硅、碳化硅和氮化镓

2026财年创纪录收官，数据中心电源被寄予厚望

技术里程碑的背后是强劲的经营基本盘。英飞凌今日同步发布的2026财年（截至2026年9月30日）财报显示：

第四季度：营收47.06亿欧元，利润11.19亿欧元，利润率23.8%，以创纪录季度业绩收官；

全年：营收163.53亿欧元，同比增长12%；利润32.23亿欧元，利润率19.7%；调整后每股收益1.73欧元；自由现金流9.93亿欧元，调整后自由现金流19.25亿欧元。

展望2027财年（基于欧元/美元汇率1.15的假设），英飞凌预计：营收约200亿欧元，其中数据中心电源业务营收预计接近40亿欧元；调整后毛利率预计在44%~49%之间，利润率预计在24%~26%之间；计划投资30亿至35亿欧元；调整后自由现金流预计约22亿欧元。管理委员会还计划在2027年2月举行的年度股东大会上提议，将每股股息上调0.03欧元至0.38欧元。

Jochen Hanebeck表示，面向数据中心电源、能源基础设施扩建与现代化升级、电动出行以及软件定义汽车的半导体解决方案，将成为推动业务增长的重要驱动力；凭借硅、氮化镓以及目前实现的300 mm碳化硅晶圆技术，英飞凌"在推动半导体制造规模化和驱动盈利性增长方面处于领先地位"。