SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDB-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JETD-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG2JETD-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口