欢迎访问深圳市中小企业公共服务平台电子信息窗口
登录
|
注册
搜资讯
搜资讯
搜产品
热搜:
展会
|
补贴
|
智能制造
|
活动
|
讲座
|
集成电路
|
商标
|
首页
政府政策
最新政策
通知公告
申报技巧
政策解读
行业资讯
行业动态
产业观察
企业动态
行业报告
国际市场
视频动态
行业智库
展会列表
展会报道
产品中心
品牌企业
双碳服务
产业空间
投资指引
产业园区
电子市场
供需发布
商会之窗
商会概况
商会章程
商会架构
产业智库
分支机构
会员列表
行业精英
商会动态
工作报告
社会公益
党风建设
工联会
商会会刊
加入商会
联系我们
首页
产品中心
产品名
查找产品
产品分类列表
消费电子产品
音响设备
电视机
摄/录像机
LED/OLED
数码产品
其他
电子元器件
电子器件
电子元件及组件
半导体器件
集成电路
光电子器件
敏感元件及传感器
电子塑料零件
其他
电子计算机
电脑/笔记本/平板
计算机网络设备
计算机外部设备
配套及耗材
计算机应用产品
其他
通信设备
传输/交换设备
通信终端设备
其他通信设备
电子仪器
电子设备
软件
其他
最新
资讯
更多...
华为盘古大模型回应抄袭质疑:坚守开源合规与自主创新
国家速滑馆人形机器人实训基地正式启用 首批赛队已入驻
比亚迪汉 L “兆瓦闪充技术” 引领新能源充电革命
百亿营收,手机ODM一哥赴港IPO!抢跑AI眼镜、汽车电子
企业级SSD的核心技术与市场趋势
GaN代工格局生变?台积电退场,纳微转单力积电谋新局
身价300亿!舱驾融合成智能化新起点,这家公司的新平台有何看点?
科学与健康|研判未来科技发展趋势,战略科学家们关心啥?
西门子NX新增AI助手等多项功能
集成电路
三星KLMAG2GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMAG1JETD-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GETF-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GESD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMEG8UCTA-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。256GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMDG4UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。128GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMCG2UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMCG2KCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMBG4GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMBG4GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMAG2GEUF-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMAG2GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM8G1GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLM4G1FETE-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。4GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11 x 10 x 0.8 mm HS400接口
价格:电微咨询13928429281
三星KLMDG4UCTB-B041 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。HS400接口 128GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
价格:电微咨询13928429281
三星KLMCG2UCTB-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品,可用于开发超薄移动设备。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm
价格:电微咨询13928429281
三星M474A2K43BB1-CTD 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
三星M474A2K43BB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
三星M474A1G43DB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
三星M474A1G43DB0-CPB 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
三星M393B2G70EB0-YMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA
价格:电微咨询13928429281
<
31
32
33
34
35
36
37
38
>
共87页 到第
页
确定