UCC27523DR 具有 5V UVLO、反相输入和使能的 5A/5A 双通道栅极驱动器

AMC1411DWLR 具有高 CMTI 的 2V 输入、精密电压检测增强型隔离放大器

ADS7951SBRGET 12 位、1 MSPS、8 通道、单端、SAR ADC

S5A63157DCKR 5V、2：1 （SPDT）、1 通道通用模拟开关，具有过冲和引擎盖下保护

TPS72325DBVT ACTIVE 200mA、负、可调低压差稳压器，带使能功能

SN74CB3Q3244PWR 具有 2 个控制输入的 3.3V、1:1 (SPST)、8 通道 FET 高带宽总线开关

LP2951-30DRGR 具有电源正常指示和使能功能的汽车类 100mA、30V、低压降稳压器

TLV3502AIDCN 4.5ns 轨到轨比较器

TPS25940LRVCT 具有反向电流阻断功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A

SN74LS540NS 具有三态输出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器

OMAPL138EZCEA3 数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC C6000 DSP+ARM

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYNB DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYMA DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BMMA DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-90 °~ 95 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BMK0 DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40 °~ 95 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BCNB DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作电压1.5V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BCMA DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作电压1.5V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BCK0 DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.5V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYK0 DDR3 适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0° ~ 85 C° 96FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BMMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BMK0 DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BHMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+105° 96FBGA封装

三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BFMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装