欢迎访问深圳市中小企业公共服务平台电子信息窗口
登录
|
注册
搜资讯
搜资讯
搜产品
热搜:
展会
|
补贴
|
智能制造
|
活动
|
讲座
|
集成电路
|
商标
|
首页
政府政策
最新政策
通知公告
申报技巧
政策解读
行业资讯
行业动态
产业观察
企业动态
行业报告
国际市场
视频动态
行业智库
展会列表
展会报道
产品中心
品牌企业
双碳服务
产业空间
投资指引
产业园区
电子市场
供需发布
商会之窗
商会概况
商会章程
商会架构
产业智库
分支机构
会员列表
行业精英
商会动态
工作报告
社会公益
党风建设
工联会
商会会刊
加入商会
联系我们
首页
产品中心
产品名
查找产品
产品分类列表
消费电子产品
音响设备
电视机
摄/录像机
LED/OLED
数码产品
其他
电子元器件
电子器件
电子元件及组件
半导体器件
集成电路
光电子器件
敏感元件及传感器
电子塑料零件
其他
电子计算机
电脑/笔记本/平板
计算机网络设备
计算机外部设备
配套及耗材
计算机应用产品
其他
通信设备
传输/交换设备
通信终端设备
其他通信设备
电子仪器
电子设备
软件
其他
最新
资讯
更多...
华为盘古大模型回应抄袭质疑:坚守开源合规与自主创新
百亿营收,手机ODM一哥赴港IPO!抢跑AI眼镜、汽车电子
企业级SSD的核心技术与市场趋势
GaN代工格局生变?台积电退场,纳微转单力积电谋新局
身价300亿!舱驾融合成智能化新起点,这家公司的新平台有何看点?
科学与健康|研判未来科技发展趋势,战略科学家们关心啥?
西门子NX新增AI助手等多项功能
DC监测技术、3+1麦开放式降噪,荣耀可穿戴新品重构AI边界
山东曲阜市委领导一行到访电子商会
集成电路
SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH6H60BM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UHAHA0AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 556FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-JGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-JGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AA-MGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-JGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装
价格:电微13928429281
<
27
28
29
30
31
32
33
34
>
共87页 到第
页
确定