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JSM2110STR4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

做电力电子设计的工程师，多半绕不开 IR2110 这款经典栅极驱动芯片。从车间里的电机驱动器，到机房里的开关电源，它曾是无数项目的 “标配选择”。但最近两年，越来越多工程师吐槽：“IR2110 撑不住新需求了！” 高压场景扛不住、驱动能力不够用、PCB 布局占空间…… 这些痛点，如今终于有了完美解决方案 —— 杰盛微自主研发的JSM2110STR，不仅能无缝替代 IR2110，更在核心性能上实现 “降维打击”。今天就带大家拆解这款 “升级款驱动芯片”，看看它到底能解决多少工程难题。

2025-09-06 811 关键词： JSM2110STR IR2110 栅极驱动芯片电力电子设计驱动能力
JSM2106STR 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片

在高压驱动芯片领域，IRS2106 曾凭借稳定的性能成为工程师选型清单中的 “常客”。但随着电力电子设备对耐压、抗干扰、效率的要求不断提升，一款更具竞争力的替代产品逐渐走进大众视野 —— 杰盛微自主研发的 JSM2106STR。这款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅完美兼容 IRS2106 的应用场景，更在关键性能指标上实现突破，为行业带来更优的驱动解决方案。

2025-09-05 826 关键词： JSM2106STR IRS2106 高压驱动芯片电机控制工业逆变器
JSM2104STR 700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

在电子科技飞速发展的当下，驱动芯片作为电子设备中的关键组件，其性能优劣直接影响着整个系统的运行效率与稳定性。一直以来，IRS2104 凭借其出色的性能在高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动领域占据着重要地位。然而，今天我们要为大家带来一个令人振奋的消息：杰盛微半导体推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性价比，成为了 IRS2104 的有力替代者，为广大工程师和电子设备制造商提供了更优的选择。

2025-09-05 1062 关键词： JSM2104STR IRS2104 驱动芯片电子设备芯片替代
解决VBUS开关难题，P沟道MOSFET来助力

在电子工程领域，VBUS开关的性能对于电子设备的稳定运行至关重要。很多中层管理者在实际工作中，常常会遇到VBUS开关方面的各种问题，今天就来和大家深入探讨这些问题，并介绍一款能有效解决问题的产品——HKTQ30P03P沟道MOSFET。

2025-09-05 848 关键词： VBUS开关 HKTQ30P03P沟道MOSFET N沟道MOSFET 电子设备合科泰
NS4111 10W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

NS4111 是一款 10W 单声道 AB/D 类切换音频功率放大器，支持差分输入，超低 EMI，无需滤波器。可通过不同电平控制芯片的工作模式：CTRL 脚电压为 2.0V-5.0V，芯片进入 D 类工作模式，0.9-1.5V 时芯片进入 AB 类工作模式，0.4V 以下时芯片关断，应用灵活方便。NS4111 采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度地减少了对其他外部元件的影响。其输出无需滤波器的PWM 调制结构减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。NS4111 在 9V 的工作电压时，能够向 4Ω负载提供高达 10W 的输出功率，90%以上的效率更加适合便携式音频系统。 NS4111 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 NS4111 提供 eSOP-8 封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。

2025-09-05 809 关键词： NS4111 音频功率放大器 AB/D类双模过流保护消费类音频设备
NS4165B 5.0W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

NS4165B 是一款 AB/D 类工作模式可切换，高效率的单声道音频功放。AB/D 类工作模式可通过一个控制管脚高低电平切换，以匹配不同的应用环境。即使在 D 类工作模式下，NS4165B 采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度地减少对其他部件的影响。其输出无需滤波器的PWM 调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。 NS4165B 在 5V 的工作电压时，能够向 2Ω负载提供高达 5.4W 的输出功率。 NS4165B 内置过热保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。NS4165B 提供 eSOP8封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。

2025-09-05 931 关键词： NS4165B 音频功率放大器 AB/D类双模过热保护便携音响应用
TP5200 1A升压双串锂电池充电IC

P5200是一款开关升压型双串8.4V锂电池充电管理芯片。其ESOP8的封装以及简单的外围电路，使得TP5200非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。 TP5200对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段，恒流充电电流可通过外部电阻调整。TP5200内置功率PMOSFET，同步外置NMOS管，同步开关结构使其具有极少的外围器件，有效减少方案尺寸，降低BOM成本。

2025-09-05 995 关键词： TP5200 升压充电IC 双串锂电池三段充电便携式设备充电
合科泰MOS管：从扫地机器人到AI眼镜的开源硬件动力核心

全球智能家居清洁机器人市场正以33%的同比增速爆发式增长，而谷歌等科技巨头加速AI眼镜研发的消息，更凸显开源硬件创新的黄金时代已然到来。然而创客们却面临“进口器件交期长（3-6个月）、高频损耗高、散热设计复杂”的三重困境。成立于1992年的合科泰电子，以中低压/车规级MOS管的低导通电阻、小封装尺寸、高散热效率三大优势，正成为这场“动力革命”的关键推动者。

2025-09-04 996 关键词：开源硬件智能家居清洁机器人 AI眼镜 MOS管合科泰电子
MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗？

在电子产品设计中，MDD辰达半导体的静电二极管是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时，往往会首先关注器件的 ESD 等级，例如标称可承受 ±8kV 接触放电或 ±15kV 空气放电。似乎只要电压等级够高，器件就能满足应用需求。然而，实际项目中我们经常发现：即使标称等级很高的 ESD 管，在实际应用中仍可能失效，导致接口芯片损坏。这说明，仅仅依赖“静电电压等级”来选型是不够的。

2025-09-04 1208 关键词：静电二极管选型 ESD电压等级局限关键参数选型思路电子产品接口防护
NS4168 2.5W -I2S 数字输入单声道 D 类音频功率放大器

NS4168 是一款支持 I2S 数字音频信号输入且输出具有防失真功能的单声道 D 类音频功率放大器。内置有数模转换器（DAC）和多级 D 类调制器，具备出色的音频性能。利用 NS4168 的 I2S 数字音频串行接口传送至放大器，可以显著降低噪声源对所传输音频的影响。另外还避免了 MCU 主控芯片内置音频解码 DAC 所带来的噪声，最终获得较高的信噪比以及较小失真度。其闭环数字输入设计保留了数字放大器的优势，同时又具有极佳的 PSRR 和音频性能。与其它 D 类架构相比，采用扩频脉冲密度调制可实现较低的 EMI 干扰和最高的音频效率。 NS4168 采用独特的防失真功能可以有效防止输入信号过载、电池电压下降导致的输出信号失真，同时可以有效保护在大功率输出时扬声器不被损坏。 NS4168 为单声道音频功放。左右声道选择通过CTRL 管脚电平可以设置。立体声产品可选用两个芯片，非常灵活。NS4168 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。

2025-09-04 1190 关键词： NS4168 数字音频功率放大器 I2S接口音频性能应用范围