双芯MOS节省PCB空间，但你的散热跟得上吗？
双芯MOS（Dual MOSFET）这两年火得不行，一个封装里塞两颗芯片，PCB面积直接省一半，听着就心动。
但我见过太多工程师踩坑了，选型时只盯着RDS(on)和封装尺寸，忽略了热耦合效应，结果样机一跑起来，温升超出预期，效率也跟着掉。
今天就掰开聊聊双芯MOS的散热问题，看看HKTG35C06、HKTQ20C03、HKTQ20C04这三款料，表现到底怎么样。
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如何高效解决USB3.0 ESD问题并保证SI
1996 年，众所周之的通用串行接口（USB）初次问世。当时，版本 1.0 的 USB 接口仅可在低速（LS）模式和全速（FS）模式下，分别提供 1.5 Mb/s 和 12 Mb/s 的速率。2000 年， USB2.0 面市。新的高速（HS）模式可提供高达 480 Mb/s 的速率，并且依然向下兼容低速模式和全速模式。 2. USB3.0 系统概述 2008 年 11 月， USB3.0 技术规范发布。USB3.0 不仅包含了 USB2.0 的全部功能（HS、 FS 和LS），而且提供了名为超高速度（SuperSpeed）的单独的全新超高速数据链路。超高速度链路为下载（主机=>器件，被称为发送方向）和接收方向上的上传（器件=>主机）提供了单独的差分数据线路。 -
差分信号传输线的常用阻抗匹配方式
随着近几年来对速率的要求快速提高，串行总线由于有更好的抗干扰性和更少的信号线、更高的数据率而受到众多设计者的青睐。而串行总线又尤以差分信号的方式最多，差分信号与普通的单信号走线相比有3个明显的优势：抗干扰能力强；能有效抑制EMI；时序定位精确，所以越来越多的系统采用差分信号进行接收与传输。因而，差分信号的匹配也就成为一个更为重要的问题，目前，一般有两种不同匹配的方式，即分别并联匹配和单电阻跨接匹配。在通信过程中，有两种原因导致信号反射：阻抗不连续和阻抗不匹配。阻抗不连续或者不匹配，信号在传输线末端突然遇到阻抗不匹配，信号在这个地方就会引起反射。一旦产生反射，将会对需要的信号造成不同程度的影响，因此，应尽最大努力去消除这种反射，其中的一种方法，就是让终端电阻完全匹配。消除了反射，传输线上的能量就能全部被负载吸收，不再产生反射。 -
艾德克斯IT6500C宽范围大功率可编程直流电源双象限无缝切换
科瑞杰-IT6500C独具了CC/CV优先权功能：电源具有恒压和恒流两种工作模式，内部有两个环路（CV控制环和CC控制环），为了快速的的建立电压，传统电源默认为CV优先，即两个环路并联。 -
JSM7N65C 650V N 沟道功率 MOSFET
在电力电子行业快速发展的今天，高频开关电源、有源功率因数校正电路，是工控设备、消费电子、工业电源的核心组成部分。这类电路对功率半导体器件的耐压能力、导通损耗、开关速度、运行稳定性都有着极高要求。MOSFET 作为核心开关器件，其综合性能，直接决定了电源设备的转换效率、使用寿命与运行安全。深耕功率半导体领域的杰盛微，凭借成熟的芯片设计与封装制造工艺，推出JSM7N65C 650V N 沟道功率 MOSFET。这款器件专为中高压高频电源场景打造，集合低损耗、高速开关、强抗干扰、高可靠性等优势，搭配行业通用 TO-220 封装，安装便捷、散热表现优异，是中小功率开关电源、主动式 PFC 电路的优选器件。今天我们就全方位解读这款产品的性能亮点、参数优势、应用场景与设计价值。 -
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如何在恶劣电磁环境下保护RS485接口？基于P4SMA540CA的TVS防护方案解析
在工业现场，工程师最头疼的问题之一往往不是电路的核心功能，而是通信接口的稳定性。特别是RS485总线，由于其布线距离长、常与动力线并行走线，极易受到雷击感应或大功率设备开关产生的瞬态高压（EFT）冲击。一旦防护失效，轻则数据传输出错，重则导致后级MCU或通信芯片永久损坏。 -
移动电源新规后的BOM选型：TC-03方案必须看这5个器件
移动电源新规GB 4943.1-2022实施之后，2024年过到现在，行业经历了一波BOM整改潮。 新规对温升、电气间隙、过充保护都提出了更明确的要求。原来能过认证的老方案，换料是大概率事件。 TC-03作为市面上走量比较大的单芯片方案，配套器件选对了，认证能省不少心。选错了，调试周期拉长，认证机构打回重来，时间成本比器件贵多了。
