企业动态

SC4D50120H-JSM 碳化硅肖特基二极管

在新能源、工业控制等领域飞速发展的今天，功率器件的性能直接决定了系统的效率、可靠性与小型化水平。传统硅基器件逐渐难以满足高频、高温、高压场景下的严苛需求，而碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，正以其卓越的物理特性重塑功率电子行业格局。杰盛微半导体深耕功率器件领域多年，凭借深厚的技术积累与精准的市场洞察，重磅推出SC4D50120H-JSM碳化硅肖特基二极管。这款产品集零恢复电流、高阻断电压、宽温工作等多重优势于一身，为各类高端电力电子设备提供了高效可靠的解决方案，堪称功率系统升级的“性能利器”。

2026-02-05 1485 关键词：碳化硅肖特基二极管功率器件二极管
SC6D10170H-JSM 碳化硅肖特基二极管

在新能源、工业控制等高端电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借高效、耐高温、高频的核心优势，成为提升系统性能的关键器件。杰盛微半导体深耕宽禁带半导体领域，重磅推出SC6D10170H碳化硅肖特基二极管，精准对标行业标杆型号C4D1017OH，在电气性能、可靠性、应用适配性等方面实现全面突破，为各类高要求电力电子设备注入强劲动力！

2026-02-05 1343 关键词：碳化硅肖特基二极管 SC6D10170H 杰盛微半导体
JSM741 差动霍尔速度传感器

在汽车产业电动化、智能化的浪潮下，车载传感器作为车辆的“感知神经”，是保障行车安全、实现智能控制的核心基础。其中，车轮速度传感器作为ABS、ESP、自动变速器等关键系统的核心元器件，需在高低温、强电磁干扰、剧烈振动等严苛车载环境中，持续稳定输出精准的转速数据，技术门槛与可靠性要求极高。杰盛微深耕车载半导体领域，凭借自主研发实力与多年技术沉淀，推出JSM741差动霍尔速度传感器芯片，全面对标TLE4941，在核心性能、技术架构、应用适配等方面实现精准匹配，更结合本土产业需求完成创新升级，以国产芯硬实力为汽车电子行业提供高性能、高可靠性、高性价比的无缝替代解决方案，推动车载核心传感器的国产化替代进程。

2026-02-05 1379 关键词： JSM741 车载传感器国产化替代
单片机芯片怎么选？从参数到场景，一文读懂选型秘籍！

选单片机，核心是 “需求 - 参数 - 场景” 精准匹配：成本敏感就盯 8 位低价芯片，工业场景优先可靠性，电池供电死磕低功耗。跟着这篇攻略走，从参数到场景全吃透，再也不用为选型发愁！

2026-02-05 2031 关键词：单片机芯片选型参数选型步骤
IAR携手极海半导体，高效开发全球首款基于Cortex－M52的G32R501实时控制MCU，赋能中国嵌入式创新

全球领先的嵌入式开发工具供应商IAR与中国知名MCU供应商极海半导体联合正式宣布，IAR Embedded Workbench for Arm的最新版本现已全面支持极海G32R501系列实时控制MCU。G32R501是全球首款基于Arm® Cortex®-M52处理器双核架构的实时控制MCU，支持Arm Helium™矢量扩展（M-profile Vector Extension, MVE）和极海自研的紫电数学指令扩展单元等创新特性，可广泛适用于新能源光伏、工业自动化、新能源汽车、商业电源等高端应用领域。

2026-02-05 1637 关键词： IAR 极海半导体 G32R501 实时控制MCU 嵌入式开发
JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

在新能源、工业控制、消费电子等领域飞速发展的当下，功率器件作为电路核心“动力枢纽”，其性能上限直接决定了终端产品的能效、稳定性与使用寿命。杰盛微半导体深耕功率器件研发与制造多年，始终以技术创新为核心驱动力，今日正式推出200V N沟道MOSFET——JSM9N20D。这款凝聚了杰盛微核心技术的产品，凭借快速开关、高可靠性、优异热性能等多重优势，专为开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等关键场景量身打造，为电力电子行业提供高性能、高性价比的解决方案。

2026-02-04 1173 关键词：功率器件 JSM9N20D 沟道MOSFET
四脚碳化硅HSCH132M120：封装革命、高耐压优势与高压应用全解析

随着新能源汽车、光伏储能、工业变频等高压大功率应用的快速增长，传统硅基功率器件在效率、功率密度和温升控制等方面逐渐面临瓶颈。碳化硅作为新一代半导体材料，凭借其更宽的能量带隙、更好的导热性和更高的耐压强度等天然优势，正在改变功率电子行业。在这一技术变革中，合科泰电子推出了四脚封装的碳化硅MOSFET HSCH132M120（1200V/132A）。该产品以其独特的封装设计、出色的开关性能和可靠的

2026-02-04 1963 关键词：碳化硅MOSFET 四脚封装高压应用技术参数市场选型
JSM9N20C 200V N 沟道 MOSFET

在电力电子技术日新月异的当下，MOSFET作为承载能量转换与电路控制的核心功率器件，其性能表现直接决定了终端产品的能效水平、运行稳定性与使用寿命。从工业自动化生产线的核心控制单元，到消费电子的高效电源适配器；从新能源领域的小型逆变器，到汽车电子中的电机驱动系统，高压MOSFET的品质与可靠性始终是行业创新发展的关键支撑。

2026-02-04 1254 关键词：杰盛微半导体 JSM9N20C MOSFET 低阻高效
JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET

在新能源、工业控制、汽车电子等领域高速发展的今天，功率半导体器件作为能量转换与电路控制的核心，其性能直接决定了终端设备的能效、可靠性与市场竞争力。杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率器件赛道多年，以技术创新为内核，重磅推出JSM9N20F 200V N沟道MOSFET。这款凝聚了杰盛微核心研发实力的旗舰级产品，凭借全维度均衡的性能表现，为多场景电力电子应用提供一站式解决方案，重新定义中高压MOSFET的性能标杆。

2026-02-04 1393 关键词：沟道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半导体
JSM401F 耐高压双极锁存霍尔芯片

在汽车电子、工业控制、智能硬件等核心领域，霍尔芯片作为“传感核心”，其性能直接决定设备的稳定性、使用寿命与运行精度。长期以来，SS41F凭借成熟的市场应用成为双极锁存霍尔芯片的“参考标杆”，但进口芯片的供货周期波动、成本居高不下等问题，始终困扰着国内制造企业。如今，杰盛微自主研发的JSM401F耐高压双极锁存霍尔芯片横空出世！不仅在核心参数上全面对标SS41F，更在耐高压、抗干扰、温度适配等关键性能上实现突破，以“国产芯”的硬核实力，为行业提供更稳定、高性价比的传感解决方案，重新定义工业级霍尔芯片的性能天花板。

2026-02-04 1425 关键词： JSM401F 霍尔芯片性能优势国产替代