领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC(联合碳化硅)公司,现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件,从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半,并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项,额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案,同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成,其为设计人员提供了更多的器件方案,实现了更大的设计灵活性,因此可实现最佳的性价比权衡,同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。