氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者Navitas Semiconductor(纳斯达克代码:NVTS)宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心,进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比,基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍,节能高达 70%。据估计,氮化镓OBC、DC-DC 转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程,或将电池成本降低 5%,和原先使用硅芯片相比,氮化镓功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年来到。据估计,到 2050 年,将电动汽车升级到使用GaN之后,道路部门的二氧化碳排放量每年有望减少 20%,这也是《巴黎协定》的减排目标。