对华设备出口审批受阻，SK海力士美国450亿美元建厂计划承压

11月3日，据路透社报道，美国官员已搁置SK海力士为其中国大连工厂引进美国芯片制造设备所需的出口许可审批。此举可能影响该公司提升大连工厂生产效率的计划，并波及其通过旗下Solidigm在美国纽约州建设大型NAND闪存工厂的项目。知情人士称，美国商务部尚未正式拒绝相关申请，双方谈判仍在继续。

SK海力士希望获得新的美国出口许可证，将芯片制造设备运往大连工厂。该公司认为，提高大连工厂的产出、开发更先进的NAND闪存制造技术，有助于创造收入，为其在美国的扩张计划提供资金，并增强长期竞争力。大连项目能否获得批准，因此被知情人士视为推进纽约投资计划的关键因素。

据悉，Solidigm计划投资约450亿美元，在纽约州马西市建设两座NAND闪存工厂，未来投资总额可能达到1000亿美元左右。NAND闪存是一种断电后仍能保存数据的存储器，广泛应用于数据中心存储。对于希望吸引外国投资、推动芯片制造业回流的美国政府而言，该项目具有较强吸引力。

然而，相关谈判也使美国政府面临政策取舍：一方面需要维护以防止美国技术对外泄露，另一方面又希望争取SK海力士的大规模投资。美国国会设立的两党机构——美中经济与安全审查委员会成员利兰·米勒表示，如果没有白宫批准，相关安排最终难以推进。白宫暂未对此置评。

知情人士透露，自8月下旬以来，Solidigm高管已与美国商务部官员会面近10次。在8月下旬的一次会议中，Solidigm联合首席执行官Richard Chin及其他高管会见了美国商务部长霍华德·卢特尼克和商务部副部长杰弗里·凯斯勒。政府官员对Solidigm可能在美国开展的投资及NAND工厂建设表现出浓厚兴趣，并希望推动相关事宜落地。

此后，Solidigm起草了多个版本的许可证申请，并在与主管部门沟通的过程中不断修改。不过，在上周的一次会议上，凯斯勒仍坚持美方立场，即不希望更多美国芯片制造设备出口至中国，用于升级技术或扩大产能。与此同时，商务部尚未正式拒绝向大连工厂闲置空间出口设备的申请，双方还在就2027年维持大连工厂运转所需的设备出口许可证进行谈判。

SK海力士方面认为，在既有洁净室内安装设备、填补空置空间并不等于扩大产能，因为相关洁净室已于2023年建成。路透社此前还报道称，该公司计划在大连生产技术更复杂的NAND产品。如何界定填补闲置空间、技术升级与产能扩张之间的边界，可能成为许可证审批的重要争议点。

针对建厂消息，Solidigm上周发表声明称，作为一家在美国创立并总部位于美国的科技公司，公司会定期评估各种战略选择，以更好服务客户并提升长期竞争力，目前正在探索全球多个潜在地点建设NAND闪存工厂的方案，尚未决定任何具体行动。总部位于加州兰乔科尔多瓦的Solidigm维持这一表态，美国商务部尚未回应相关询问，SK海力士也未立即回复置评请求。

SK海力士于2020年同意以90亿美元收购英特尔NAND及固态硬盘存储业务，由此控制大连NAND工厂。此后，美国逐步加强对中国先进芯片工厂获取美国芯片制造设备的限制。起初，部分在华外资芯片制造企业获得豁免，但美国商务部去年撤销相关授权，改以年度许可证管理，允许供应商在数量限制内提供特定设备和技术。

美国商务部在2025年8月的声明中进一步表示，不打算向在华晶圆厂发放用于技术升级或产能扩张的许可证。在此背景下，SK海力士大连设备许可与纽约投资计划被紧密联系在一起。最终审批结果不仅将影响该公司全球产能布局，也将检验美国政府如何在国家安全、对华技术限制与吸引半导体投资之间作出平衡。