投资100亿美元！美光将在美国设立存储研究中心

美光将在未来10年内投资100亿美元，建立一个大规模的专用内存研究实验室，这将是美国首个专用内存研究中心。

美光于当地时间8月20日布，将在其总部所在美国地爱达荷州博伊西市建立下一代研究中心——“美光研究实验室”，该实验室将汇聚数百名研究人员。这项投资旨在解决人工智能（AI）技术发展带来的海量数据处理瓶颈问题，并突破下一代半导体的理论极限。

美光将下一代内存技术、高性能计算架构、先进半导体封装和未来半导体制造工艺列为主要研究领域。该公司的战略是以该研究实验室为中心，构建一个涵盖整个半导体生态系统的合作网络，包括客户公司、学术界、政府机构和初创企业。

美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉强调：“我们今天做出的决定将决定谁将引领未来的人工智能经济，美国的人工智能未来将建立在美国制造的存储器之上。”

美国商务部长霍华德·卢特尼克也对美光的举措表示支持，他指出：“存储器是美国技术优势的核心要素，首个专用存储器实验室的建立以及100亿美元的研发投资将增强美国的创新能力，并创造数百个高质量就业岗位。”

美光宣布的大规模研发投资表明，三星电子、SK海力士和美光之间在存储器领域的领先地位之争正变得愈发激烈。据市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，今年第二季度，三星电子以39%的市场份额（按营收计算）领跑全球DRAM市场，SK海力士（26%）和美光（25%）紧随其后。

在用于人工智能加速器的高带宽内存（HBM）市场，SK海力士保持领先地位，而三星电子和美光则继续紧追不舍。今年第一季度，SK海力士在HBM市场的营收份额高达58%，远超三星电子和美光（均为21%）。然而，随着三星电子于2月份率先在业内开始量产和出货HBM4，抢占先机，而SK海力士和美光也在积极扩大HBM4的供应，技术竞争日趋激烈。