韩国总统下令加速推进5760亿美元芯片与AI项目:“速度是唯一重要的因素”
关键词: 韩国 半导体扩产 HBM 三星SK海力士 存储紧缺
7月6日,韩国总统李在明在一场政府会议上明确发出加速指令,要求政府全力加快上周刚刚公布的芯片与人工智能(AI)重大项目的落地步伐。他以龙仁产业园区为例指出,该项目从选址获批到开工耗时六年,这在以往已算相对较快,但在当前的全球竞争格局下,“这还不够快”。
“当前竞争的胜负取决于谁行动更快、谁能抢先占据优势。”李在明在会上直言,“速度是唯一重要的因素。”他警告称,如果在项目审批、土地征收以及电力和供水设施建设等环节出现拖延,韩国争夺先进产业全球领先地位的计划将受到严重影响。
为打破常规审批的桎梏,李在明要求政府在条件允许的情况下简化环境评估等审批流程,将原本依次办理的程序改为并行推进。在谈及基础设施保障时,他特别强调了电力供应的决定性作用:“尽管可再生能源规模不断扩大,但企业仍担心基荷电力供应不足,政府必须提前消除这些顾虑,确保芯片项目顺利推进。”
这一系列“唯快不破”的加速指令背后,是韩国史无前例的巨额产业布局。就在上周,韩国公布了一份总额超过5760亿美元(约合人民币3.91万亿元)的投资计划,重点投向芯片和AI等产业。此举意图十分明确:一方面巩固韩国在全球先进产业中的领先地位,另一方面将发展红利向外辐射,带动首都圈以外地区的发展。
按照计划,三星电子和SK海力士将分别投资400万亿韩元(约合人民币1.76万亿元),在韩国西南部建设新的芯片生产基地。此外,忠清地区还将投入81万亿韩元(约合人民币3566.43亿元),建设芯片封装产业集群。
关于新基地的具体落地,韩国总统秘书室长姜勋植在周一透露了最新进展。他表示,西南部芯片产业集群将落户光州一座军用机场所在地,目前的方案包括让三星电子和SK海力士共同进驻。这一全新布局不仅是为了应对AI时代对存储芯片的爆发式需求,更是为了缓解现有首都圈半导体集群在电力和用水方面已接近极限的瓶颈。
韩国政府之所以如此急切,正是因为其在全球存储芯片领域的统治地位正迎来前所未有的历史性机遇。当前,全球存储芯片市场正经历15年来最严重的供应短缺。受AI数据中心建设带来的结构性供需失衡影响,单台AI服务器的DRAM用量高达传统服务器的8倍,导致全球存储芯片整体库存仅够维持约4周,处于历史极低水平。在AI算力需求的强劲拉动下,2026年第二季度一般型DRAM合约价环比上涨高达58%至63%,NAND Flash涨幅更是突破70%。

在这场由AI引爆的全球性存储缺货潮中,韩国企业展现出了极强的竞争力。三星电子和SK海力士在全球DRAM市场的份额合计超过70%,在NAND闪存市场的份额也超过50%。特别是在为AI芯片量身定做的HBM(高带宽内存)领域,韩国企业更是形成了垄断式胜利,SK海力士与三星基本垄断了英伟达、AMD等AI加速器芯片所需的高端内存供应,两家企业2026年的DRAM、NAND和HBM产能已基本被预订一空。
然而,尽管巨头们都在疯狂扩产,但新建一座存储芯片晶圆厂从建设到量产需要18至24个月,这意味着2026年几乎不会有新增产能释放,远水难解近渴。业内普遍预计,这种供不应求的格局至少将持续至2027年。
分析指出,韩国此次将“速度”提升至国家战略高度,既是为了在全球AI浪潮中抢占先机,也是为了通过“三大超级项目”实现国家区域的均衡发展。随着三星、SK等巨头天量资金的注入,以及政府在审批和基建上的全面“开绿灯”,韩国半导体与AI产业的新一轮扩张已正式驶入快车道。