台积电1.6nm工艺Q4量产，英伟达“费曼”GPU锁定首发产能

国际电子商情讯，据台媒援引业界消息称，台积电已完成A16（1.6纳米级）制程的开发与验证，计划于今年第四季度正式进入量产。

A16是台积电首个采用“超级电源轨”（Super Power Rail，简称SPR）背面供电网络（BSPDN）技术的埃米级CMOS平台，标志着先进制程从纳米时代正式迈入埃米时代。

台积电此前多次公开表示将在2026年内完成A16技术开发并于第四季度量产，此次开发与验证的完成意味着该路线图如期兑现。A16主要面向人工智能（AI）与高性能计算（HPC）芯片市场，被台积电定位为2纳米N2P工艺之后的关键升级节点。

台积电董事会已于8月11日批准总额约294.425亿美元的资本支出计划，专项用于先进制程与封装产能扩张，为A16量产提供资金保障。

SPR背面供电：破解布线瓶颈，兼顾兼容性

A16的核心技术亮点在于SPR背面供电架构。传统芯片正面需同时承载供电线路与信号互连，随着制程节点不断缩小，布线空间日趋拥挤，IR Drop（电阻压降）问题加剧。SPR技术将电源网络从晶圆正面迁移至背面，通过专用垂直背面接点（VB）直接向晶体管源极和漏极供电，实现供电线路与信号线路的物理空间完全分离。

相较于增强版2纳米工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%至10%，同等性能下功耗降低15%至20%，芯片密度提升8%至10%。三项指标同步改善，对需兼顾高吞吐量与严格功率上限的AI加速器和HPC芯片具有显著吸引力。

尤为关键的是，台积电将对正面晶体管结构和既有设计生态的改动控制在最低水平。据华尔街见闻报道，A16保留了N2P的栅极密度和NanoFlex设计弹性，已基于台积电先进制程进行设计的客户向A16迁移时，无需对标准单元和设计架构进行大规模重构。这一兼容性优势对设计周期长、IP复杂度高的AI芯片客户尤为重要。

英伟达“费曼”GPU计划2028量产

供应链消息显示，英伟达已锁定台积电A16制程用于下一代代号为“费曼”（Feynman）的GPU微架构，并直接跳过N2（2纳米）系列节点，但也有报道称可能采用A16+N3P混合工艺以应对产能约束。“费曼”GPU计划于2028年下半年量产，将取代当前的Rubin和Rubin Ultra架构。

实际上，“费曼”平台不仅依赖A16制程本身，还将组合运用台积电多项目级封装技术：通过SoIC实现3D芯粒垂直堆叠，以CoWoS-L进行2.5D横向整合，并首次大规模导入共封装光学（CPO）技术。内存方面，英伟达预计与合作伙伴共同开发定制化HBM，量产时点可能导入HBM4E。系统级带宽目标突破1,000TB/s，迈入PB/s级别。

业界分析指出，英伟达选择跳过N2直取A16，核心原因在于A16的背面供电技术能为功耗达数千瓦级的巨型AI GPU提供更优的能效表现，同时设计迁移成本可控。NVIDIA作为台积电长期核心客户的率先“选边”，为A16制程提供了有力的市场背书。

三星1.4nm SF1.4推迟至2029年量产

在台积电A16加速落地的同期，竞争对手三星晶圆代工却在先进制程路线上出现调整。上月初，三星在SAFE Forum 2026论坛（韩国首尔场）上更新技术蓝图，将1.4纳米（SF1.4）量产时间从此前预告的2027年推迟至2029年，为官方首次公开确认延后。

三星将资源重心转向2纳米（SF2）及其衍生工艺SF2P的良率稳定化和性能优化，Exynos 2800智能手机版旗舰处理器的制造工艺也从原计划的1.4纳米调整为2纳米先进版本。目前，三星已在NRD-K先进研究设施安装ASML高数值孔径EUV光刻设备，为2029年SF1.4量产做准备。

对比来看，台积电A14（1.4纳米级）计划2028年量产，三星SF1.4则定于2029年，两者相差约一年。而台积电A16今年第四季度即将量产，三星在埃米级制程上的实际产能落地预计将更晚。

CoWoS产能瓶颈催生产业链分工新格局

值得注意的是，随着AI芯片需求持续攀升，台积电先进封装技术CoWoS的产能瓶颈日益凸显。台媒还报道称，台积电部分CoWoS先进封装后段订单外溢至英特尔马来西亚工厂，以部分产能合作支持共同大客户。台湾经济研究院研究员刘佩真预测，随着产业链走向更精细的专业化分工与区域化互补，AI半导体供应链正从过去的“赢家通吃”模式转向协同共进，共同做大AI市场。