三星电子重组HBM团队 并入DRAM开发室

（文/罗叶馨梅）11月27日，三星电子对去年新设立的高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整。公司决定撤销负责半导体业务的DS部门下属HBM开发团队，将相关人员整体划归DRAM开发室。市场普遍关注此次架构调整对三星HBM业务推进节奏及内部协同机制的影响。

HBM开发团队撤销后，原有成员将调入DRAM开发室下属设计团队，继续从事下一代HBM产品和技术研发。此前负责HBM开发团队的孙永洙被任命为设计团队负责人，统筹HBM相关项目推进。未来团队将围绕HBM4、HBM4E等新一代产品开展设计优化和工艺验证工作。三星电子预计在本周内完成组织调整，并于下月初召开全球战略会议，检视明年的业务规划。

在业务层面，三星电子近年持续加大HBM领域投入，并与英伟达、超威半导体（AMD）、OpenAI、博通等科技巨头建立合作关系。公司以HBM3和HBM3E量产应用经验为基础，专注提升堆叠封装、带宽、能效及可靠性等核心竞争力。韩媒分析认为，将HBM开发力量纳入DRAM开发体系之下，有望在制程演进、设计验证与量产导入方面形成更紧密的协同。

从市场表现看，三星电子今年第二季度在全球HBM市场的排名一度跌至第三位，短期内承受竞争压力。公司预计，随着HBM4供应规模的逐步扩大，明年起其HBM市场份额有望实现回升。市场调研机构TrendForce预测，到2026年，三星电子在全球HBM市场的占有率有望超过30%，这一预期也被视为公司强化先进存储业务布局的重要参考。

业内人士指出，HBM作为面向人工智能训练、推理和高性能计算等场景的关键存储器，已经成为存储厂商争夺的新高地。三星通过重组HBM团队并将其并入DRAM开发室，有望在资源统筹、技术迭代和客户支持方面提升整体效率，巩固其在高端存储赛道的竞争地位。但同时，高端存储市场仍受下游AI服务器需求波动、技术演进速度以及客户验证周期等因素影响，本次组织调整能否快速转化为市场份额和盈利能力的改善仍存在不确定性，投资者需保持理性判断。

（校对/秋贤）