三星QLC闪存遭遇质量危机，规模量产推迟至2026上半年

近日消息，三星在其第九代V9 QLC NAND闪存技术的研发与生产上遭遇重大挫折，因产品被曝存在“根本性设计缺陷”，公司已决定推迟该产品的大规模量产计划。这一变故不仅暴露了三星在高端存储技术上的瓶颈，也可能对其在NAND闪存市场的领先地位构成严峻挑战。

三星原计划在其第九代V9 QLC NAND闪存技术上实现技术飞跃。该产品采用了先进的280层堆叠工艺，旨在进一步提升存储密度、降低成本并优化性能，以应对AI时代对海量数据存储的迫切需求。

然而，首批试产的V9 QLC芯片未能达到预期性能标准，暴露出严重的设计问题。这一“根本性缺陷”迫使三星不得不重新评估和调整其生产节奏。目前预计，V9 QLC的大规模量产时间将推迟至2026年上半年，比原计划大幅延后。

目前，在市场份额上，三星依然保持着领先地位。数据显示，2025年第二季度，三星以32.9%的市场份额稳居全球NAND闪存市场第一，其相关业务营收环比增长近24%，达到52亿美元。然而，亮眼的市场份额背后，是其存储业务部门（DS部门）经营利润的急剧下滑。该季度，DS部门的经营利润同比大幅减少94%，仅为0.4万亿韩元，这是近六个季度以来首次跌破万亿韩元大关，反映出其盈利能力正面临巨大压力。

此次QLC技术的延期，暴露出三星在激烈市场竞争中的被动局面。在三星陷入技术瓶颈的同时，其竞争对手却在快速追赶甚至实现超越。日本存储厂商Kioxia（铠侠）已成功推出332层V10级NAND闪存，在堆叠层数上领先于三星的280层技术。而韩国另一大存储巨头SK hynix也在QLC领域取得突破，成功实现了321层2TB QLC NAND的量产。

相比之下，三星最新的高端QLC产品仍停留在上一代V7阶段，甚至未能推出V8版本的QLC产品，在技术迭代速度上明显落后。

QLC（Quad-Level Cell）闪存因其在单位成本上的显著优势，成为存储海量“冷数据”的首选方案，尤其在AI服务器、云计算和大数据中心等领域需求激增。随着AI技术的蓬勃发展，市场对高密度、低成本存储的需求持续扩大。然而，三星QLC量产的推迟，可能导致其错失这一关键市场机遇。有市场预测指出，到2026年，三星在QLC市场的份额可能仅占9%，远低于其主要竞争对手，这将严重削弱其在下一代存储技术格局中的话语权。

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