长江存储绕弯128层NAND禁令限制，传120层NAND新品已送交客户认证。韩青秀摄

美国近期晶片禁令再升级，中美科技战对峙烟硝瀰漫，记忆体禁令限制维持不变，但对长江储存等中系代表厂商的金箍咒预料短期将难再放宽。

业界透露，为了避开美国对128层以上NAND Flash设备出口的限制，长江存储另闢蹊径寻觅出路，以“五台山”为产品命名的秘密武器，刻意将层数堆叠降至120层，但升级原有Xtacking结构，I/O速度堪比其他NAND原厂200层以上性能。

近期新产品已陆续送样验证，预计2024年初将展开量产，未来120层NAND将成为重点推动的营运主力。

长江存储2022年后起直追，推出旗舰232层3D NAND晶片，越级挑战记忆体大厂如三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、铠侠（Kioxia）等。

但美国大刀开铡，美系设备供应商受到出口管制规范，迅速停止供货与相关服务，并在年底将长江存储列入制裁实体清单，外界曾认为，在缺乏设备商技术支援下，长江存储2024年起恐将淡出3D NAND市场竞争。

供应链透露，为了规避美国禁令的红线，长江存储开发Xtacking 4.0新架构，将可望摆脱128层的限制，虽然长江存储不愿再对外强调堆叠层数。

但据悉，“五台山”新产品已从第3季底~第4季陆续送样认证，配合供应链也积极进行调整设计，虽然堆叠层数仅120层，但量产成熟后，不排除可继续延伸堆叠至240层或以上，不仅绕弯突围封锁，且可持续提升成本竞争力。

供应链预期，Xtacking 4.0架构的120层NAND可望在年底推出，并有望从2024年第1季~第2季量产，届时将可供应128、256及512 Gb等晶片产品。虽然短期内不会应用在企业级储存或高密度产品，但在消费性电子应用或手机品牌供应链等领域，长江存储必然将不会缺席。

长江存储在禁令前，大量採购的微影机等设备均属于顶级配置，且目前128层设备机台均逐年摊提折旧成本，产品价格将具有竞争力，基于Xtacking 3.0架构的128层NAND已稳定量产出货，未来武汉二厂将陆续扩大产量。预计2024年起将大量转换至120层NAND产品，成为美国禁令限制下的主力制程。

长江储存的Xtacking技术原理，是将晶圆独立加工I/O及记忆单位操作的週边电路，储存单元则在另一片晶圆独立处理，并将两片晶圆进行黏合，不同于传统NAND原厂堆叠。

Xtacking 3.0架构进一步提高CMOS元件的性能和I/O速度，232层堆叠NAND可拥有2400MT/s 的传输速度。据传，最新4.0架构性能将与其他NAND原厂200层以上的产品表现相当。

业界指出，早在半年前，长江存储的初期样品曾一度流出，韩系记忆体大厂曾详细进行分析，当时对于性能表现与技术架构大为震惊。不过长江存储直到近期才正式向客户提出送样验证，预期量产品质和性能验证结果，将在2024年初较为明朗。

但无论初期量产品质表现如何，在中国半导体国产化推动浪潮下，中系品牌及模组业者必然将大力支持导入，长江存储将在中国内需市场取得无可取代的主导地位。