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Tower Semiconductor被控盗用知识产权,涉及多孔硅技术
2022-07-19 来源:网络整理
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关键词: 英特尔 半导体 晶圆

今年初英特尔宣布以每股53美元的现金,总价约54亿美元,收购以色列半导体厂商Tower Semiconductor,预计交易会在2023年2月完成。英特尔表示,对方是一间领先的模拟半导体解决方案代工厂,能大大推进其IDM 2.0战略,进一步扩大其制造能力,提供更丰富和差异化的技术组合,是一笔高度互补的交易。


英特尔的收购还没完成,不过Tower Semiconductor却遇到了麻烦的事情。据相关媒体报道,近日,总部位于英国卡迪夫的复合半导体晶圆生产商IQE对Tower Semiconductor提起诉讼,称盗用了其知识产权,该案由美国加利福尼亚州的地方法院负责。



虽然Tower Semiconductor已获得了相关专利,但IQE认为这些专利是基于自己的技术。IQE表示有“重要证据”表明Tower Semiconductor盗用了其技术,严重损害了IQE的竞争力以及技术研发和专利申请上投入的大量资源,目前索赔的重点是后者多孔硅技术上,主要用于制造5G和先进传感器的组件。比如总部位于法国的半导体制造商Soitec就采用相关技术,制造用于5G手机的组件。


投资银行Peel Hunt的金融分析师Damindu Jayaweera在给投资者的一份报告中,对IQE索赔的“重要证据”表示认同,称目前制造商的一些组件和多孔硅技术有关。如果最终判定存在问题,将削弱Soitec在RF-SOI领域的主导地位,其价值约为每年5亿美元。


Tower Semiconductor在部分领域的专业技术是英特尔所看重的,英特尔CEO帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)曾提到,前者的专业技术组合有助于英特尔的代工服务,推进成为全球主要代工供应商的目标。