深圳市杰盛微半导体有限公司

JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

在新能源、工业控制、消费电子等领域飞速发展的当下，功率器件作为电路核心“动力枢纽”，其性能上限直接决定了终端产品的能效、稳定性与使用寿命。杰盛微半导体深耕功率器件研发与制造多年，始终以技术创新为核心驱动力，今日正式推出200V N沟道MOSFET——JSM9N20D。这款凝聚了杰盛微核心技术的产品，凭借快速开关、高可靠性、优异热性能等多重优势，专为开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等关键场景量身打造，为电力电子行业提供高性能、高性价比的解决方案。

2026-02-04 阅读：1486 关键词：功率器件 JSM9N20D 沟道MOSFET

JSM9N20C 200V N 沟道 MOSFET

在电力电子技术日新月异的当下，MOSFET作为承载能量转换与电路控制的核心功率器件，其性能表现直接决定了终端产品的能效水平、运行稳定性与使用寿命。从工业自动化生产线的核心控制单元，到消费电子的高效电源适配器；从新能源领域的小型逆变器，到汽车电子中的电机驱动系统，高压MOSFET的品质与可靠性始终是行业创新发展的关键支撑。

2026-02-04 阅读：1580 关键词：杰盛微半导体 JSM9N20C MOSFET 低阻高效

JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET

在新能源、工业控制、汽车电子等领域高速发展的今天，功率半导体器件作为能量转换与电路控制的核心，其性能直接决定了终端设备的能效、可靠性与市场竞争力。杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率器件赛道多年，以技术创新为内核，重磅推出JSM9N20F 200V N沟道MOSFET。这款凝聚了杰盛微核心研发实力的旗舰级产品，凭借全维度均衡的性能表现，为多场景电力电子应用提供一站式解决方案，重新定义中高压MOSFET的性能标杆。

2026-02-04 阅读：1762 关键词：沟道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半导体

JSM401F 耐高压双极锁存霍尔芯片

在汽车电子、工业控制、智能硬件等核心领域，霍尔芯片作为“传感核心”，其性能直接决定设备的稳定性、使用寿命与运行精度。长期以来，SS41F凭借成熟的市场应用成为双极锁存霍尔芯片的“参考标杆”，但进口芯片的供货周期波动、成本居高不下等问题，始终困扰着国内制造企业。如今，杰盛微自主研发的JSM401F耐高压双极锁存霍尔芯片横空出世！不仅在核心参数上全面对标SS41F，更在耐高压、抗干扰、温度适配等关键性能上实现突破，以“国产芯”的硬核实力，为行业提供更稳定、高性价比的传感解决方案，重新定义工业级霍尔芯片的性能天花板。

2026-02-04 阅读：1817 关键词： JSM401F 霍尔芯片性能优势国产替代

JSM402H高压双极锁存/高灵敏度霍尔芯片

在消费电子、汽车电子与工业控制领域，霍尔传感器作为磁场检测的核心器件，其性能直接决定了终端产品的稳定性与可靠性。提及行业经典型号SS360，其双极锁特性与广泛适配性早已深入人心。

2026-02-04 阅读：1586 关键词：霍尔传感器 JSM402H 霍尔芯片

JSM6921 霍尔电流传感器

在新能源革命与工业4.0的浪潮下，电流传感器作为电力电子设备的“感知核心”，直接决定了设备的控制精度、能效水平与安全可靠性。随着中低功率场景（光伏逆变器、变频器、充电桩等）需求爆发，市场对高性能、高性价比的电流检测方案呼声日益高涨。杰盛微半导体深耕半导体领域多年，凭借自主研发实力重磅推出JSM6921霍尔效应隔离式线性电流传感器，全面对标国际主流型号CC6921，在隔离性能、量程覆盖、精准度等核心指标上实现升级突破，为国内企业提供“国产替代、性能更优”的一站式电流检测解决方案，助力产业降本增效与技术升级。

2026-02-04 阅读：1671 关键词：电流传感器 JSM6921 中低功率场景国产替代

JSM468 低功耗高灵敏度双极霍尔传感器

在便携电子、工业控制、智能家居等领域，霍尔传感器作为“磁场感知核心”，其性能直接决定终端产品的稳定性、功耗表现与用户体验。行业内，CC6103凭借低功耗特性成为众多工程师的选型首选，但市场对更高性价比、更强兼容性的替代方案需求日益迫切。杰盛微深耕半导体传感器领域，依托成熟CMOS工艺与核心技术积累，重磅推出JSM468低功耗高灵敏度双极霍尔传感器——不仅在核心参数、封装形式上与CC6103高度兼容，实现无缝替换，更在集成设计、抗干扰能力、环保合规等方面实现升级，为企业提供“性能不打折、成本更优化”的优质选择！

2026-02-03 阅读：1511 关键词：霍尔传感器 JSM468 CC6103 低功耗替代方案