高频电源如何兼顾效率与温升？Q-SSC05120-T：1200V SiC肖特基二极管设计思路
高频电源兼顾效率与温升，需评估换向损耗、结电容、热态压降、浪涌和散热条件。時科 Q-SSC05120-T 是1200V、5A SiC肖特基二极管，无反向恢复电流，并提供电容电荷、温度相关压降与浪涌参数，可作为PFC、光伏逆变器/可再生能源及UPS应用的候选器件。选型仍需结合拓扑、电压尖峰、电流波形和热路径验证。
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時科MOSFET 65W PD快充解决方案
本文介绍時科65W PD快充解决方案，重点分析SKG108N10AD同步整流MOSFET在整流损耗、驱动匹配、关断耐压、动态切换及散热布局方面的应用。器件具备100V耐压、毫欧级导通电阻、4.5V/10V驱动规格及PDFN5×6封装，可为高效率、小型化快充设计提供器件选型与电路优化参考。 -
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時科 DW0* 系列单节锂电池保护IC技术特点及应用分析
時科 SHIKUES DW0* 系列是面向单节锂离子/锂聚合物充电电池保护应用的保护IC，包括DW01和DW01B。产品集成过充、过放、过流及短路检测功能，并提供低功耗设计、0V电池充电及SOT23-6小型封装，可应用于TWS耳机、蓝牙设备、智能穿戴、小型数码产品及便携式电子设备等单节锂电池终端。 -
中低压MOS管在PD快充与电源适配器中的应用：SKGxxN10AD系列高效功率开关方案
随着PD快充、电源适配器等电源产品不断向高功率密度、高效率方向发展，中低压MOS管的性能对系统效率、热设计和可靠性具有重要影响。本文结合SKG108N10AD的主要参数，从导通电阻、100V耐压平台、新型沟槽工艺、栅极电荷、体二极管恢复特性以及PDFN5×6封装等方面，分析其在同步整流、电源管理、负载开关及DC-DC转换等典型应用中的特点，为中低压功率器件选型提供参考。