時科亮相 PCIM Asia 2026，以高效功率器件赋能 AI 电源、工业控制与新能源应用从高压碳化硅到中低压 MOS，集中展示多场景功率半导体解决方案。
2026年8月26日至28日，PCIM Asia 2026在深圳国际会展中心举行。時科携多款功率半导体产品及应用方案亮相展会（展位号16C66），共同探讨AI基础设施、工业控制、新能源及高效电源系统的技术发展与应用机遇。本次展会，時科围绕功率转换系统对高效率、高功率密度、高可靠性及小型化的需求，重点展示碳化硅MOS管、碳化硅二极管、Low VF肖特基二极管，以及面向PD快充等应用的中低压MOS产品。碳化硅MOS管：面向高压、高频、高效率功率转换
随着AI服务器、新能源及高功率工业设备持续提升功率等级，系统对器件耐压、导通损耗和开关性能提出了更高要求。時科碳化硅MOS管产品覆盖650 V、750 V、1200 V、1700 V及3300 V等电压平台，并提供TO-220、TO-247、D2PAK-7L、TOLL等多种封装选择。随着AI服务器、新能源及高功率工业设备持续提升功率等级，系统对器件耐压、导通损耗和开关性能提出了更高要求。時科碳化硅MOS管产品覆盖650 V、750 V、1200 V、1700 V及3300 V等电压平台，并提供TO-220、TO-247、D2PAK-7L、TOLL等多种封装选择。- 650 V SKSC065N系列，导通电阻覆盖15 mΩ至90 mΩ
- 1200 V SKSC120N系列，导通电阻覆盖7.5 mΩ至80 mΩ
- 1700 V SKSC170N系列，导通电阻覆盖20 mΩ至80 mΩ
- 3300 V SKSC330N系列，导通电阻覆盖15 mΩ至1000 mΩ
相关产品可应用于AI服务器电源、PFC及LLC电路、高压直流系统、车载OBC/DC-DC、光伏逆变器、储能变流器、工业电源、电动汽车充电设备及轨道交通等领域。其中，针对AI服务器及高性能计算电源架构，時科可提供从高压前端、中间母线转换到板级供电的MOS器件选择，助力系统提升转换效率、功率密度与动态响应能力。碳化硅二极管：助力高频电源实现低损耗、小型化
時科碳化硅二极管方案以650 V产品为重点，提供TO-252、DFN5×6及DFN8×8等封装：- SSC系列TO-252产品，电流覆盖4 A至10 A
- SSC系列DFN5×6产品，电流覆盖4 A至10 A
- SSC系列DFN8×8产品，电流覆盖6 A至10 A
产品适用于高频开关电源及相关功率转换系统，可满足设备对紧凑封装、高效开关和散热设计的综合需求。Low VF肖特基二极管：服务UPS、工业电源及BMS应用
本次展出的Low VF肖特基二极管方案覆盖多种耐压和电流规格：- 150 V至300 V、90 A双芯片TO-247产品
相关产品可用于UPS、工业电源、BMS及网络终端设备等应用，为系统提供兼顾低正向压降、效率和紧凑尺寸的器件选择。中低压MOS：聚焦PD快充与同步整流
面向消费类快充和高频DC-DC转换需求，時科还带来了中低压MOS管PD快充方案。展品包括100 V PDFN5×6产品以及30 V、40 V PDFN3×3产品，典型型号包括：- SKG95N10AD：100 V、95 A、5.5 mΩ
- SKG108N10AD：100 V、108 A、5.2 mΩ
- SK45N03BD：30 V、45 A、8.5 mΩ
相关器件可用于同步整流、VBUS开关及PD快充电源，帮助设计人员在有限板级空间内实现更低导通损耗和更高转换效率。与時科相约PCIM Asia 2026
从高压碳化硅器件到中低压MOS产品，時科持续围绕功率半导体应用需求完善产品布局，为AI电源、工业控制、新能源、储能、汽车电子及消费电源等领域提供更具竞争力的器件与方案支持。PCIM Asia 2026期间，欢迎各位行业伙伴、工程师及客户莅临展位号16C66，现场了解時科功率半导体产品与应用方案，与我们共同探讨高效电能转换的更多可能。
