SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-MGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 315FBGA封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-JGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 441FBGA封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-BGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 496FBGA封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3LK2K20BM-BGCN 低功耗双倍数据率同步动态 速率5500Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.5V 温度-25~+85 LPDDR5 496FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH6H60BM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装