随着新能源、电动汽车、5G通信、数据中心等高科技产业的迅猛发展,传统硅材料正逐渐遇到瓶颈。第三代半导体材料——碳化硅和氮化镓正成为焦点。它们以更高的电压承受能力、更低的能耗和更强的散热性能,被认为是这一代功率器件和射频器件的核心材料。
先说说什么是第三代半导体
半导体材料按照能带宽度大致分为三代:第一代:硅、锗,主导传统IC、微处理器、电路等;第二代:砷化镓、磷化铟,主要用于射频和光通信;第三代:碳化硅与氮化镓,属于宽禁带半导体。
相比硅,SiC 和 GaN 具有更大的带隙、更高的击穿电压、更快的开关速度、更小的导通电阻,尤其适用于高频、高压、高温环境。是功率电子和射频通信的理想材料。