英特尔率先量产High-NA EUV芯片，加速晶圆代工业务突围

近日，光刻设备巨头ASML正式宣布，英特尔晶圆代工（Intel Foundry）已成功在Intel 18A工艺节点上，利用ASML高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术，量产部分代号为“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列处理器。

这标志着英特尔成为全球首家将High-NA EUV技术应用于逻辑芯片大规模生产的企业，在先进制程赛道上抢占了至关重要的技术高地。

High-NA EUV被业界视为未来十年先进芯片制造的核心刚需技术。相较于传统数值孔径（NA）为0.33的EUV设备，新一代High-NA EUV设备的数值孔径提升至0.55，光刻分辨率大幅提高了约1.7倍。这意味着在同等尺寸的硅片上，能够刻画出更细微的电路结构，塞进更多的晶体管，从而显著提升芯片算力并降低功耗。

ASML首席执行官Christophe Fouquet将此次部署称为“半导体光刻技术发展历程中的重要里程碑”，更高密度的图案化将进一步加速AI及新兴科技的发展。

英特尔与ASML自2024年起就在研发设施中推进High-NA EUV的商业化合作。自陈立武（Lip-Bu Tan）2025年3月接任CEO以来，晶圆代工被定位为公司复苏计划的关键一环，甚至被称为“国家级关键战略资产”。

英特尔高级首席工程师Steve Carson前不久还披露，公司已利用ASML High-NA EUV在一个季度内生产3万片晶圆——这种可靠性数据是设备从"研发样机"跨入"产线主力"的关键门槛。

英特尔方面透露，其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地已完成18A工艺特定层的High-NA EUV双重认证，量产良率已完全追平现有的成熟NXE EUV平台水平，证明了该技术已彻底摆脱试验阶段，具备规模化商用价值。

此次High-NA EUV的率先量产，不仅是英特尔技术实力的展现，更是其全面加码晶圆代工业务的强烈信号。英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran强调，这一里程碑证明了High-NA EUV能够稳定融入主流先进芯片的大规模制造流程，为未来节点实现顶尖性能和制造灵活性提供了更多选择。

事实上，英特尔的代工战略正在迎来关键拐点。除了提前在18A节点导入High-NA EUV技术外，最新行业分析指出，英特尔下一代核心处理器Nova Lake的运算晶粒，正计划大规模转回自有18A制程生产。

若该计划顺利推进，台积电在CPU代工市场的比重将大幅缩减。这一“产能回流”举措表明，英特尔的先进制程已具备生产自家最核心产品的能力，其代工业务正从“内部验证”迈向“外部竞争”的新阶段。

英特尔的激进布局正在重塑全球半导体代工格局。目前，尽管台积电也早已购入High-NA EUV设备，但出于成本考量，计划推迟至2029年左右才投入量产。英特尔借此时间差，有望在2027至2028年的先进制程产能释放窗口期确立领先优势。