JSM2003STR250V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
在电力电子领域,功率驱动芯片犹如 “神经中枢”,直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增,一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片,成为工程师们的迫切需求。
杰盛微(JSMSEMI)深耕功率半导体领域多年,重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,不仅完美替代 TF2003M、IRS2003 等经典型号,更在可靠性、效率与适配性上实现全面升级,为工业与消费电子领域提供了更优解。









