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  • 解决VBUS开关难题,P沟道MOSFET来助力

    解决VBUS开关难题,P沟道MOSFET来助力

    在电子工程领域,VBUS开关的性能对于电子设备的稳定运行至关重要。很多中层管理者在实际工作中,常常会遇到VBUS开关方面的各种问题,今天就来和大家深入探讨这些问题,并介绍一款能有效解决问题的产品——HKTQ30P03P沟道MOSFET。
  • NS4111 10W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

    NS4111 10W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

    NS4111 是一款 10W 单声道 AB/D 类切换音频功率放大器,支持差分输入,超低 EMI,无需滤波器。可通过不同电平控制芯片的工作模式:CTRL 脚电压为 2.0V-5.0V,芯片进入 D 类工作模式,0.9-1.5V 时芯片进入 AB 类工作模式,0.4V 以下时芯片关断,应用灵活方便。NS4111 采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰,最大限度地减少了对其他外部元件的影响。其输出无需滤波器的PWM 调制结构减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。NS4111 在 9V 的工作电压时,能够向 4Ω负载提供高达 10W 的输出功率,90%以上的效率更加适合便携式音频系统。 NS4111 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 NS4111 提供 eSOP-8 封装,额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
  • NS4165B 5.0W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

    NS4165B 5.0W 单声道 AB/D 类双模音频功率放大器

    NS4165B 是一款 AB/D 类工作模式可切换,高效率的单声道音频功放。AB/D 类工作模式可通过一个控制管脚高低电平切换,以匹配不同的应用环境。即使在 D 类工作模式下,NS4165B 采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰,最大限度地减少对其他部件的影响。其输出无需滤波器的PWM 调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。 NS4165B 在 5V 的工作电压时,能够向 2Ω负载提供高达 5.4W 的输出功率。 NS4165B 内置过热保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。NS4165B 提供 eSOP8封装,额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
  • TP5200 1A升压双串锂电池  充电IC

    TP5200 1A升压双串锂电池 充电IC

    P5200是一款开关升压型双串8.4V锂电池充电管理芯片。其ESOP8的封装以及简单的外围电路,使得TP5200非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。 TP5200对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段,恒流充电电流可通过外部电阻调整。TP5200内置功率PMOSFET,同步外置NMOS管,同步开关结构使其具有极少的外围器件,有效减少方案尺寸,降低BOM成本。
  • TP5100 2A开关降压 8.4V/4.2V锂电池  充电器芯片

    TP5100 2A开关降压 8.4V/4.2V锂电池 充电器芯片

    TP5100是一款开关降压型双节8.4V/单节4.2V锂电池充电管理芯片。其QFN16超小型封装与简单的外围电路,使得TP5100非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。同时,TP5100内置输入过流、欠压保护、芯片过温保护、短路保护、电池温度监控。 TP5100具有5V-12V输入电压,对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段,涓流预充电电流、恒流充电电流都通过外部电阻调整,最大充电电流达2A。TP5100采用频率400kHz的开关工作模式使它可以使用较小的外围器件,并在大电流充电中仍保持较小的发热量。 TP5100内置功率PMOSFET、防倒灌电路,所以无需防倒灌肖特基二极管等外围保护。
  • 合科泰MOS管:从扫地机器人到AI眼镜的开源硬件动力核心

    合科泰MOS管:从扫地机器人到AI眼镜的开源硬件动力核心

    全球智能家居清洁机器人市场正以33%的同比增速爆发式增长,而谷歌等科技巨头加速AI眼镜研发的消息,更凸显开源硬件创新的黄金时代已然到来。然而创客们却面临“进口器件交期长(3-6个月)、高频损耗高、散热设计复杂”的三重困境。成立于1992年的合科泰电子,以中低压/车规级MOS管的低导通电阻、小封装尺寸、高散热效率三大优势,正成为这场“动力革命”的关键推动者。
  • MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗?

    MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗?

    在电子产品设计中,MDD辰达半导体的静电二极管 是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时,往往会首先关注器件的 ESD 等级,例如标称可承受 ±8kV 接触放电或 ±15kV 空气放电。似乎只要电压等级够高,器件就能满足应用需求。然而,实际项目中我们经常发现:即使标称等级很高的 ESD 管,在实际应用中仍可能失效,导致接口芯片损坏。这说明,仅仅依赖“静电电压等级”来选型是不够的。
  • NS4168 2.5W -I2S 数字输入单声道 D 类音频功率放大器

    NS4168 2.5W -I2S 数字输入单声道 D 类音频功率放大器

    NS4168 是一款支持 I2S 数字音频信号输入且输出具有防失真功能的单声道 D 类音频功率放大器。内置有数模转换器(DAC)和多级 D 类调制器,具备出色的音频性能。利用 NS4168 的 I2S 数字音频串行接口传送至放大器,可以显著降低噪声源对所传输音频的影响。另外还避免了 MCU 主控芯片内置音频解码 DAC 所带来的噪声,最终获得较高的信噪比以及较小失真度。其闭环数字输入设计保留了数字 放大器的优势,同时又具有极佳的 PSRR 和音频性能。与其它 D 类架构相比,采用扩频脉冲密度调制可实现较低的 EMI 干扰和最高的音频效率。 NS4168 采用独特的防失真功能可以有效防止输入信号过载、电池电压下降导致的输出信号失真,同时可以有效保护在大功率输出时扬声器不被损坏。 NS4168 为单声道音频功放。左右声道选择通过CTRL 管脚电平可以设置。立体声产品可选用两个芯片,非常灵活。NS4168 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。
  • NS4225 20W×2 双声道 D 类音频功率放大器附加 PBTL/BTL 功能

    NS4225 20W×2 双声道 D 类音频功率放大器附加 PBTL/BTL 功能

    NS4225 是一款无需滤波器,每声道可输出25W 的 D 类立体声音频功率放大器。NS4225 采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰,最大限度地减少对其他部件的影响。其输出无需滤波器的 PWM 调制结构减少了外部元件、PCB面积和系统成本。NS4225 工作在 PBTL 模式时,即为一单声道音频功放。此时,输出驱动能力更强,功放效率更高。 NS4225 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 NS4225 提供 TSSOP-24 封装,额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
  • NS4216 10W×2 双声道 D 类音频功率放大器

    NS4216 10W×2 双声道 D 类音频功率放大器

    NS4216 是一款差分输入,超低 EMI,无需滤波器,20W(10W×2)双声道 D 类音频功率放大器。芯片有两个控制端分别控制芯片的左右声道,可通过高低电平控制芯片的工作模式:LCTRL/RCTRL脚电压为高电平时,芯片的 L/R 通道进入工作模式,低电平时芯片关断,应用灵活方便。NS4216 采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰,最大限度地减少了对其他外部元件的影响。其输出无需滤波器的 PWM 调制结构减少了外部元件、PCB 面积和系统成本。NS4216 在 9V 的工作电压时,能够向 4Ω负载提供高达 20W(10W×2)的输出功率,90%以上的效率更加适合便携式音频系统。 NS4216 内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 NS4216 提供 eTSSOP-24 封装,额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
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