Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
21IC电子网
2021-05-26
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